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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体功率元件-CN201410227870.2在审
发明人：杨亚谕;林恒光 -专利权人：晶元光电股份有限公司;广镓光电股份有限公司
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体功率元件，包含一基板、一第一半导体层、一第二半导体层、一第三半导体层、一源极电极、一背向电极以及一P型金属氧化层。第一半导体层具有一第一能隙，且位于基板上方；第二半导体层具有一第二能隙大于第一能隙，且位于第一半导体层上方；第三半导体层具有一第三能隙小于第二能隙，且位于第二半导体层上方；源极电极位于第三半导体层上方；背向电极电连接源极电极；P型金属氧化层位于背向电极以及第三半导体层之间。
半导体功率元件

[发明专利]可挠式发光二极管组件及发光二极管灯泡-CN201410460339.X有效
发明人：刘弘智;郑子淇 -专利权人： 广镓光电股份有限公司;英特明光能股份有限公司
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种可挠式发光二极管组件及发光二极管灯泡，该发光二极管组件包含有一可挠式透光基板、多个发光二极管芯片、以及一第一波长转换层。其中，可挠式透光基板具有形成于第一表面上的多个导电区段。该多个发光二极管芯片设在该第一表面上并分别与该多个导电区电连接。该第一波长转换层设于该第一表面，大致覆盖(cover)该多个发光二极管芯片。
可挠式发光二极管组件灯泡

[发明专利]发光二极管组件以及相关的照明装置-CN201410400286.2有效
发明人：陈泽澎;郑子淇 -专利权人： 广镓光电股份有限公司;英特明光能股份有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管组件以及相关的照明装置，该发光二极管组件包含有一发光二极管芯片。发光二极管芯片包含有：一透明基底，具有一表面，该表面大致为一长条，该长条具有二终端；及至少一发光二极管单元形成于该表面上，并具有一发光叠层；以及二接合垫，形成于该二终端上。发光二极管组件还包含一支撑结构，用以支撑该发光二极管芯片且相对于该发光叠层所发出的光为透明；以及一透光结构，大致包裹该发光二极管单元。
发光二极管组件以及相关照明装置

[发明专利]半导体元件-CN201310253258.8有效
发明人：程志青;童敬文 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：在本发明的一实施例中，半导体元件包含一基板及设置于该基板上方的一外延层。该基板包含一上表面以及多个设置于该上表面的凸块，该凸块包含一顶面及多个壁面，该顶面实质上平行于该该上表面，该壁面夹置于该顶面与该上表面之间。在本发明的一实施例中，该外延层在该上表面上方的晶格方向与在该壁面上方的晶格方向实质相同。
半导体元件

[发明专利]发光二极管装置-CN201110399454.7有效
发明人：柯力群;吴国祯 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管装置，包括一管芯。该管芯包括一基底以及一叠层结构。该叠层结构位于该基底上且包括彼此独立的一中间部分以及一周围部分。该周围部分环绕该中间部分且具有一内侧面。该内侧面具有一反射层，而该反射层具有一第一反射面以及一第二反射面。该第一反射面面对该中间部分，且该第二反射面与该周围部分的内侧面接触。
发光二极管装置

[发明专利]半导体发光二极管结构-CN201210423090.6有效
发明人：温伟值;郭修邑;王泰钧 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基底的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且第一侧壁包含有至少一第一蚀刻面以及一第二蚀刻面，而第一蚀刻面与外露表面间具有一第一夹角α，第二蚀刻面与外露表面间具有一第二夹角β，且第一蚀刻面和第二蚀刻面彼此相邻；及一电极结构，设置于外延结构上。
半导体发光二极管结构

[发明专利]发光装置结构-CN201210037085.1有效
发明人：黄羽民;吴国祯;李君圣 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光装置，其特征在于包括一基底；一外延结构，设置于基底上，外延结构至少包括第一导电型半导体层、活性发光层和第二导电型半导体层；一第一电极，设置于第一导电型半导体层上；一透明导电层，位于第一电极和第一导电型半导体层间；以及一三维立体分布式布拉格反射层，位于所述透明导电层和所述第一导电型半导体层间。
发光装置结构

[发明专利]发光元件及其制作方法-CN201210141483.8有效
发明人：程志青 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件及其制作方法，发光元件包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电层、第一电极及第二电极。发光结构区域与静电放电保护结构区域形成在基板上。发光结构区域包括第一半导体层、发光层、第二半导体层。静电放电保护结构区域包括第三半导体层、主动层及第四半导体层。沟槽形成在发光结构区域与静电放电保护区域之间。导电层配置在沟槽上。第一电极形成在静电放电保护结构区域上，并覆盖至少部分静电放电保护结构区域。第二电极形成在发光结构区域上，且不延伸至静电放电保护结构区域上。
发光元件及其制作方法

[发明专利]半导体发光结构-CN201110169117.9有效
发明人：李君圣;吴国祯;温伟值 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种半导体发光结构，包括第一掺杂态半导体层、发光层、第二掺杂态半导体层、第一电传导层及多个第一导体。发光层配置于第一掺杂态半导体层上，且第二掺杂态半导体层配置于发光层上。第一电传导层配置于第一掺杂态半导体层上，其中第一电传导层与第一掺杂态半导体层之间形成第一接面。这些第一导体彼此互相分离地配置于第一掺杂态半导体层上。第一电传导层连接这些第一导体，每一第一导体与第一掺杂态半导体层之间形成第二接面，且第二接面的电阻值小于第一接面的电阻值。
半导体发光结构

[发明专利]半导体发光结构-CN201110200357.0有效
发明人：屠德威;温伟值;王泰钧;赖柏宏;许志平 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种半导体发光结构，包括第一导电性半导体层、第二导电性半导体层、发光层、第一电极、绝缘层及第一粘着层。发光层配置于第一导电性半导体层与第二导电性半导体层之间。第一电极配置于第一导电性半导体层上，其中第一电极具有第一上表面及第一侧表面。绝缘层覆盖部分第一导电性半导体层、第一电极的第一侧表面及第一电极的第一上表面的边缘，其中绝缘层具有第一开口，以暴露出第一电极的部分第一上表面。第一粘着层配置于第一上表面的边缘与绝缘层之间，以接合第一上表面与绝缘层。
半导体发光结构

[发明专利]承载盘及利用该承载盘的光参数量测方法-CN201010560716.9无效
发明人：黄翊彰;邓博文;温伟值;蒋智伟;王泰钧 -专利权人：惠特科技股份有限公司;广镓光电股份有限公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：一种承载盘，用于承载至少一个发光源，该承载盘包含一个本体及一个反射件，该反射件安装于该本体与该发光源间以反射该发光源所产生的光线，使用时，该反射件能够将该发光源朝该反射件发射的光反射，以提高后续量测该发光源的发光量时的准确性。
承载利用参数方法

[发明专利]发光元件-CN201010217321.9无效
发明人：李政宪;郭修邑 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光元件包括导电基板、金属反射层、具有两种或两种以上折射率相异的材质交互堆叠的多层膜结构、透明导电层及半导体叠层。金属反射层配置于导电基板上，交互堆叠的多层膜结构配置于金属反射层上，透明导电层配置于交互堆叠的多层膜结构上，半导体叠层配置于透明导电层上。交互堆叠的多层膜结构中至少包含有一绝缘层，且上述的交互堆叠的多层膜结构更包含贯穿其中的导孔结构，使金属反射层与透明导电层之间产生电连接。上述发光元件具有可提高发光效率的优点。
发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201010189186.1有效
发明人：许圣贤 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，其包括一基板，此基板具有一表面包括一平面以及复数个突起物突出于此平面，其中上述平面为一特定晶面方向，而突起物具有由复数个侧壁表面所构成的外表面，且侧壁表面的晶面方向大致上不包括上述特定晶面方向。突起物由侧面观视具有一轮廓线，而此轮廓线自突起物的底部至顶部包括至少一转折点。一第一导电型半导体层位于基板的上述表面上，一发光层位于第一导电型半导体层上，而一第二导电型半导体层则位于发光层上。本发明的半导体发光元件，具有改善磊晶品质和光萃取率的优点。
半导体发光元件

[发明专利]半导体元件-CN201010221717.0有效
发明人：程志青;童敬文 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：在本发明的一实施例中，半导体元件包含一基板及设置于该基板上方的一外延层。该基板包含一上表面以及多个设置于该上表面的凸块，该凸块包含一顶面及多个壁面，该顶面实质上平行于该该上表面，该壁面夹置于该顶面与该上表面之间。在本发明的一实施例中，该外延层在该上表面上方的晶格方向与在该壁面上方的晶格方向实质相同。
半导体元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201010221719.X有效
发明人：戴俊杰;黄彦杰;杨淑莹 -专利权人： 广镓光电股份有限公司
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种的半导体发光元件，该半导体发光元件包含一基板、设置于该基板上方的一第一导电型半导体层、设置于该第一导电型半导体层上方的一发光结构、以及设置于该发光结构上方的一第二导电型半导体层。在本发明的一实施例中，该基板包含一上表面以及多个设置于该上表面的凸块，其中该凸块包含一顶面，实质上平行于该上表面；该第一导电型半导体层设置于该基板上方，该第一导电型半导体层包含多个第一突出部，朝向该凸块间的基板，且该第一突出部与该凸块分隔。本发明以不同角度散射/衍射发光结构产生的光束进而提升采光效率。
半导体发光元件

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