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[发明专利]电磁共振耦合器、采用该电磁共振耦合器的栅极驱动电路、以及信号传输装置-CN201880020596.8在审
发明人：河井康史;崔成伯;榎本真悟;根来昇;永井秀一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2018-02-19 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01P5/02 文献下载
摘要：电磁共振耦合器(100)在电介质层(112)的表面具备第一传输线路(300)并且在电介质层(113)的背面具备第二传输线路(400)。第一传输线路(300)具有共振布线(301、302)和输入输出布线(303、304)。第二传输线路(400)具有共振布线(401、402)和输入输出布线(403、404)。相互分离的罩接地部(501、502)设置于电介质层(113)的表面或者电介质层(112)的背面。经由连接部(503)使共振布线(301)与罩接地部(501)连接，经由连接部(504)使共振布线(402)与罩接地部(502)连接。
传输线路电介质层共振布线接地部输出布线背面电磁共振耦合器

[发明专利]信号传送装置-CN201710138188.X在审
发明人：田畑修;永井秀一;崔成伯 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：提供一种容易小型化的信号传送装置。信号传送装置具备第一引脚框架；第二引脚框架，从第一引脚框架离开；一次侧半导体芯片，与第一引脚框架电连接；二次侧半导体芯片，与第二引脚框架电连接；以及信号绝缘器，包括与一次侧半导体芯片电连接的发送部、和与二次侧半导体芯片电连接的接收部，从发送部向接收部将信号进行绝缘传送。信号绝缘器具有与第一引脚框架及第二引脚框架接合的第一主面。
信号传送装置

[发明专利]氮化物半导体层生长用结构、层叠结构、氮化物系半导体元件及光源以及它们的制造方法-CN201280010663.0无效
发明人： 崔成伯;横川俊哉;井上彰;山田笃志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。
氮化物半导体生长结构层叠元件光源以及它们制造方法

[发明专利]半导体层叠基板、半导体芯片和半导体层叠基板的制造方法-CN201280002304.0无效
发明人：岩永顺子;崔成伯;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种半导体层叠基板，半导体层叠基板具备：基板，和具有不同于基板的热膨胀系数、在基板的上表面的多个区域形成的多个半导体层。各区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴，具有不同的热膨胀系数。将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D1和ρ1。并且将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和ρ2时，D1、ρ1、D2和ρ2满足式1。
半导体层叠芯片制造方法