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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]用于玩具的光电晶体管-CN202123409199.8有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于玩具的光电晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，其特征在于，所述集电区为正方形，所述基区呈圆角正方形，位于集电区中央；基区一角有圆弧状凹陷，使其一角缺失；所述发射区沿基区缺失角走势设置，呈半圆环状，发射区上依次沉积氮化硅层和碳纳米层。本实用新型的光电晶体管呈方形结构，尺寸仅有0.51mm×0.51mm，而直流电流放大系数可达1100~1900，并具有稳定的性能，可用于玩具如光控电动玩具。
用于玩具光电晶体管

[实用新型]生活家电用小信号晶体管-CN202123417427.6有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种生活家电用小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区呈圆角矩形结构，基区上为发射区，所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米层。本实用新型的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本实用新型的小信号晶体管可用于生活家电。
生活家电信号晶体管

[实用新型]用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器-CN202123420301.4有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂P型半导体，每个弧形条状的高掺杂P型半导体外为高掺杂N型半导体；高掺杂N型半导体和高掺杂P型半导体间通过金属电极连接，所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体并行排列；所述若干弧形条状的高掺杂P型半导体呈特定排列。本实用新型的光电二极管阵列检测器通过对高掺杂P型半导体弧形条的结构布局设计，将光电二极管阵列检测器的面积减少至接近原有的一半，并维持了原有的性能，在微型化发展的当下可用于更小尺寸的旋转编码器。
用于旋转编码器光电二极管阵列检测器

[实用新型]光电二极管-CN202123420302.9有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电二极管，低掺杂的N型硅基上设有高掺杂的P型硅层，形成PN结，所述N型硅基外环设有同掺杂浓度的N型硅环；所述P型硅层、N型硅环上设有氮化硅膜；所述氮化硅膜上开有接触孔，接触孔内沉积阳极金属；所述阳极金属及N型硅环上的氮化硅膜上沉积碳纳米层。本实用新型的光电二极管反向击穿电压高、暗电流低，稳定性好，适用于电子书触控板传感器。
光电二极管

[实用新型]光电二极管阵列检测器-CN202123427669.3有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电二极管阵列检测器，包括并行排列的奇数个条形光电二极管，其中单个光电二极管组成为：低掺杂的N型半导体基底上沉积高掺杂P型半导体，高掺杂P型半导体外环相隔一段距离沉积高掺杂N型半导体；所述高掺杂P型半导体的上贴附二氧化硅薄膜；所述奇数个条形光电二极管从中间到两边与光电二极管阵列检测器底边夹角依次减小，变化范围为90°~76.5°。本实用新型的光电二极管阵列检测器增加了高掺杂P型半导体的受光面，利用二氧化硅收光膜增强其光响应，并调整了条形光电二极管的布局使其总长度增加，相对增加了受光面积，使其在维持原有电气性能的基础上增强了暗光下的灵敏性。
光电二极管阵列检测器

[实用新型]用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器-CN202023301762.5有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于旋转编码器的光电二极管阵列检测器，包括若干呈弧形条状的高掺杂N型半导体，每个弧形条状的高掺杂N型半导体外为高掺杂P型半导体；高掺杂P型半导体和高掺杂N型半导体间通过金属电极连接。本实用新型的光电二极管阵列检测器采用单向递减的变曲率半径设计，改善了光源波动的影响，稳定性好，响应度高，适用于旋转编码器。
用于旋转编码器光电二极管阵列检测器

[实用新型]IGBT模块用快恢复整流二极管-CN202023327304.9有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型涉及IGBT模块用快恢复整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅环中间有两个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅环上沉积氮掺杂碳纳米层，所述P型硅基环顶端包裹在氮掺杂碳纳米层内。本实用新型的IGBT模块用快恢复整流二极管采用氮掺杂碳纳米层和三个环形结构，内环的硅基环顶端略陷入氮掺杂碳纳米层内降低有源区对基区的注入，增加和碳纳米层的接触面积，形成的二极管结构反向恢复时间短，性能稳定。
igbt 模块恢复整流二极管

[实用新型]用于纺织机的光电二极管阵列检测器-CN202023326562.5有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于纺织机的光电二极管阵列检测器，包括并行排列的n个条形光电二极管，其中单个光电二极管组成为：低掺杂的N型半导体基底上沉积高掺杂P型半导体，高掺杂P型半导体外环相隔一段距离沉积高掺杂N型半导体。本实用新型的光电二极管阵列检测器采用变长度的条形单元阵列设计，稳定性好，响应度高，适用于纺织机。
用于纺织机光电二极管阵列检测器

[实用新型]小信号晶体管-CN202023304773.9有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管有源区一角为圆角矩形的发射区主结构，发射区主结构靠近晶体管有源区中心一角对应的两边分别水平或竖直的向外延伸形成发射区延伸结构，发射区延伸结构有多个圆角方形通孔，通孔内和基区连通处沉积接触电阻。本实用新型的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，进一步缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本实用新型的小信号晶体管可用于开关模式电源、射频功率放大器、充电器等。
信号晶体管

[实用新型]低压快恢复二极管-CN202023314855.1有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及低压快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有一个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上沉积碳纳米层，所述N型硅衬底和氮掺杂碳纳米层接触处设有凹陷结构，碳纳米层沉积在所述凹陷结构内。本实用新型在芯片上设置了两个有源区，设计局部缺陷来降低有源区对基区的注入，增加和碳纳米层的接触面积，形成的二极管结构反向恢复时间短，性能稳定。
低压恢复二极管

[实用新型]照明式开关电源用快恢复二极管-CN201922459013.6有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及照明式开关电源用快恢复二极管，硅晶片上设有两个相同大小的有源区，每个有源区中，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有两个高掺杂P型硅基环，高掺杂P型硅基区、高掺杂N型硅发射区和两个高掺杂P型硅基环间等距离间隔，本实用新型的二极管结构反向恢复时间短，开关特性好，适用于照明用开关电源。
照明开关电源恢复二极管

[实用新型]双结深光电二极管-CN201922458935.5有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。本实用新型的双结深光电二极管，浅结和深结的结深分别为4μm和1.5μm，光谱峰值14000Å和4650Å，光谱响应灵敏度高。
双结深光电二极管

[实用新型]开关电源用整流二极管-CN201922467605.2有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉开关电源用整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅层和外环高掺杂N型硅环中间有一个高掺杂P型硅基环；所述高掺杂P型硅基环和高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环横向距离相等，所述低掺杂的N型硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积石墨烯层。本实用新型的开关电源用整流二极管反向恢复时间短，开关特性好，适用于高速开关型电源。
开关电源整流二极管

[实用新型]音响放大器用NPN型三极管-CN201922459012.1有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种音响放大器用NPN型三极管。低掺杂N型集电区上设有高掺杂P型基区，基区上设有高掺杂N型发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的圆柱状发射区，圆柱状发射区和四角的基区引线孔组成三极管晶圆片的晶格单元，所述三极管晶圆片呈轴对称结构；所述低掺杂N型集电区上，高掺杂P型基区外围处设有高掺杂N型保护环结构，所述低掺杂N型集电区、保护环、高掺杂N型发射区、高掺杂P型基区上设有石墨烯层，所述石墨烯层与高掺杂P型基区、高掺杂N型保护环连接处向下凹陷，延伸至高掺杂N型保护环、高掺杂P型基区内。本实用新型的NPN型三极管可用于家庭音响、车载音响的放大器。
音响放大器用 npn 三极管

[实用新型]汽车传感器用光电二极管-CN201922467618.X有效
发明人： 崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，所述高掺杂P型硅层外边缘、高掺杂N型硅层内边缘和低掺杂的N型高阻硅衬底上覆盖氮化硅钝化薄膜；所述氮化硅钝化薄膜、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上沉积碳纳米层。本实用新型的二极管稳定性好，灵敏度高，可应用于汽车传感器。
汽车传感器用光电二极管

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