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[发明专利]基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带-CN201711456429.1有效
发明人：李气雨;崔宇喆 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带，进行基板研磨工序的基板处理装置包括移送带，所述移送带包括：第一带层，其能沿着规定路径循环旋转，在外表面放置基板；第二带层，其具有低于第一带层的压缩率，形成在第一带层的内表面，由此可以获得提高基板处理效率、提高研磨稳定性及研磨均匀度的有利效果。
处理装置用于移送

[实用新型]基板处理装置-CN201820610158.4有效
发明人：李气雨;崔宇喆 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，该基板处理装置包括：移送带，其沿着规定路径进行循环旋转，在外表面安放基板；基板支撑部，其配置于移送带的内部，隔着移送带支撑基板的下表面；研磨单元，其研磨基板上表面；清洗单元，其清洗移送带，借助于此，可以获得提高基板的研磨效率、提高研磨均匀度的有利效果。
基板处理装置基板本实用新型基板支撑部研磨均匀度清洗单元循环旋转研磨单元研磨基板研磨效率支撑基板研磨上表面下表面清洗配置

[外观设计]学习亭-CN201830238489.5有效
发明人： 崔宇喆 -专利权人： 崔宇喆
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： 06-06 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：学习亭；2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于提供隔音的学习空间；3．本外观设计产品的设计要点：学习亭的形状；4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。5．立体图1中的A、B部和立体图2中的C、D部为透明。
外观设计学习隔音透明图片

[实用新型]基板处理装置-CN201721858388.4有效
发明人：李气雨;崔宇喆 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及基板处理装置，进行基板研磨工序的基板处理装置包括：装载部，其用于装载基板；研磨部，其包括传送带、基板支撑部、研磨单元，所述传送带能沿着既定路径循环旋转，用于安放由装载部传送的基板，所述基板支撑部配置于传送带的内部，支撑基板的底面，所述研磨单元研磨基板的上表面；卸载部，其卸载在研磨部完成研磨的基板。本实用新型可以获得简化基板处理工序、缩短处理时间的有利效果。
基板处理装置传送带本实用新型基板支撑部研磨单元研磨部基板装载基板研磨工序处理工序既定路径简化基板循环旋转研磨基板支撑基板装载基板研磨上表面卸载部底面卸载传送配置

[实用新型]基板处理装置-CN201820597813.7有效
发明人：李气雨;崔宇喆 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基板处理装置，进行基板的研磨工艺的基板处理装置包括：基板放置部，其放置有基板；止动件，其配置为包围基板的四周周边；研磨单元，其以接触于止动件的上面的状态对基板的上面进行研磨，由此可以获得如下有利效果：提高基板的研磨均匀度，使得非研磨区域的产生最小化。
基板基板处理装置研磨止动件本实用新型基板放置部研磨均匀度研磨单元对基板非研磨最小化包围配置

[实用新型]基板处理装置-CN201621110652.1有效
发明人：金美池;崔宇喆 -专利权人：凯斯科技股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置，其包括药液涂敷单元，用第一抓握部件来抓握被处理基板的边缘，以通过第一上浮平台被上浮的状态使得被处理基板移动，同时设置有将药液涂敷于被处理基板的表面的药液喷嘴；加热干燥单元，使得第三抓握部件接收以被上浮的状态且以涂敷有药液的状态从药液涂敷单元被排出的被处理基板，以通过第二上浮平台来使得被处理基板上浮的状态与第三抓握部件一同移动，同时对被处理基板以多阶段的温度加热使得药液干燥，将涂敷于被处理基板的表面的药液以多阶段的温度加热使药液干燥，可阶段性地去除药液内的溶剂，不经过现有的真空减压干燥，也防止产生的污点，即使未设置真空减压干燥单元，也使被处理基板的药液干燥。
处理装置

[实用新型]利用二氧化碳的清洗装置及利用此的干湿式复合清洗系统-CN201621308158.6有效
发明人： 崔宇喆;李气雨 -专利权人： K.C.科技股份有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本实用新型的目的在于提供利用二氧化碳的清洗装置及利用此的干湿式复合清洗系统。其通过将从CO2清洗部喷射的二氧化碳的固体粒子微粒化而最小化施加到清洗对象物的损伤。为此，本实用新型的清洗装置包括喷嘴，用于将包含固体粒子的二氧化碳喷射在清洗对象物上；清洗平台，在上部放置有所述清洗对象物；腔室，内部配备有所述喷嘴和清洗平台；控制部，通过所述喷嘴而控制所述二氧化碳的喷射，从而去除在所述清洗对象物的表面残留的异物。并且，本实用新型的清洗系统包括干式清洗部，包含CO2清洗部，向清洗对象物喷射包括固体粒子的二氧化碳而进行清洗；湿式清洗部，用于将在所述干式清洗部中完成清洗的清洗对象物浸泡在清洗液而进行清洗。
利用二氧化碳清洗装置干湿复合系统

[发明专利]等离子体发生装置-CN200810009903.0无效
发明人：李相老;林盛实;金允焕;崔宇喆 -专利权人： SE等离子株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体发生装置，该等离子体发生装置将下部电极的部分区域向下突出而形成等离子体排出口，并设置将下部电极下表面与外部隔开的外部壳体，从而对局部范围进行等离子体加工时能够防止被加工物的加工部位之外的部分受到损伤，而且在等离子体排出口与外部壳体之间形成副产物吸入口，从而可以有效去除进行等离子体加工时产生的副产物。根据本发明，由于下部电极所发生的热量被外部壳体阻断，因而可以防止被加工物表面受损；并且，通过使下部电极的一部分突出，可以防止等离子体在被加工物表面扩散；再有，由于在进行等离子体处理的一旁进行排气，可以及时去除进行等离子体处理时发生的副产物。
等离子体发生装置