“崔亨进”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果47个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法-CN202210799306.2在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体存储器设备及其操作方法。一种半导体存储器设备包括：页缓冲器电路、通过/失败确定电路和操作控制电路。页缓冲器电路可以包括感测锁存电路和数据锁存电路。通过/失败确定电路确定存储器单元的通过/失败。操作控制电路控制要对存储器单元执行的编程操作和编程验证操作。
半导体存储器设备及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其编程操作方法-CN202210788604.1在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置及其编程操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其通过字线和位线联接到存储器单元阵列，并且适合于对联接到字线中的所选字线的存储器单元执行一个或更多个编程循环，各个编程循环包括编程电压施加操作和编程验证操作；以及编程控制电路，其适合于当执行的编程循环的次数大于参考次数时，控制外围电路减小在编程验证操作期间施加到位线的预充电电压的电平。
存储器装置及其编程操作方法

[发明专利]半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法-CN202211596500.7在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法。一种半导体存储器设备可以包括存储器单元阵列电路和字线驱动电路。存储器单元阵列电路可以与多个字线连接以在编程操作中存储数据。字线驱动电路可以在编程操作中使用编程电压来驱动字线之中的被选择的字线。字线驱动电路可以使用阶跃通过电压来驱动邻近被选择的字线的未被选择的字线中的每个未被选择的字线，该阶跃通过电压包括至少两个阶跃电压。
半导体存储器设备操作方法

[发明专利]页缓冲器电路、半导体存储器设备及其操作方法-CN202210943552.0在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及页缓冲器电路、半导体存储器设备及其操作方法。一种页缓冲器电路包括感测锁存器电路和高速缓存锁存器电路。感测锁存器电路被配置为在正常读取操作期间接收并感测存储器单元中所存储的数据。高速缓存锁存器电路被配置为在挂起读取操作期间接收并感测存储器单元中所存储的数据。
缓冲器电路半导体存储器设备及其操作方法

[发明专利]存储器装置、其操作方法以及存储器系统-CN202210294343.8在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置、其操作方法以及存储器系统。一种存储器装置包括单元组和控制电路。单元组包括多个非易失性存储器单元，每个非易失性存储器单元能够存储对应于擦除状态和多个编程状态的多位数据。控制电路执行用于将多位数据编程到至少两个非易失性存储器单元中的至少两个部分编程操作。至少两个部分编程操作包括ISPP操作以及单个脉冲编程操作，该ISPP操作将至少两个非易失性存储器单元的阈值电压从擦除状态增加到多个编程状态当中的第一编程状态，并且单个脉冲编程操作将至少两个非易失性存储器单元当中的至少一个非易失性存储器单元的阈值电压从第一编程状态增加到多个编程状态当中高于第一编程状态的另一编程状态。
存储器装置操作方法以及系统

[发明专利]页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置-CN202210966015.8在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本公开涉及页缓冲器电路和包括页缓冲器电路的非易失性存储器装置。一种页缓冲器电路包括中间电路、数据存储电路和增强电路。所述中间电路联接到与存储器区域联接的位线并被配置为向感测节点施加具有与所述存储器区域的状态对应的电压电平的电压。所述数据存储电路被配置为响应于所述电压电平而在其中存储与所述存储器区域的状态对应的值。所述增强电路联接到所述感测节点并被配置为在所选择的操作期间的增强区间中增大所述感测节点的电容。
缓冲器电路包括非易失性存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN202210186069.2在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括：存储器单元阵列电路和驱动力调整电路。存储器单元阵列电路包括多个存储器单元。驱动力调整电路基于多个存储器单元是否被编程而调整相应的多个验证通过电压的驱动力。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]编程和验证非易失性存储器装置中的数据的设备和方法-CN202210929744.6在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及一种非易失性存储器装置的操作方法，该操作方法包括：执行将第一施加电压施加到字线和将电平等于或高于目标阈值电压的电平的第一验证电压施加到该字线的模糊操作；根据各自的阈值电压高于第一验证电压的存储器单元的数量是否等于或大于第一数量来确定是否完全执行模糊操作；执行将第二施加电压施加到该字线和施加电平等于目标阈值电压的电平的第二验证电压的精细操作；并且根据各自的阈值电压低于第二验证电压的存储器单元的数量是否小于或等于第二数量来确定是否完全执行精细操作。
编程验证非易失性存储器装置中的数据设备方法

[发明专利]执行增量步进式脉冲编程操作的存储器装置及其操作方法-CN202210930897.2在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置可以包括：外围电路，适用于执行编程循环，每个编程循环包括编程操作和验证操作，编程操作包括对多条位线的设置操作和将编程脉冲施加到所选择的字线的施加操作；以及控制逻辑电路，适用于控制外围电路，其中外围电路可以通过以下方式执行编程循环的第一编程循环：在施加操作的第一部分和第二部分分别施加第一编程脉冲和第二编程脉冲；从设置操作开始，将第一位线设置为第一电平并且将第二位线设置为低于第一电平的第二电平，直到第一部分结束为止；并且在第二部分，将第一位线和第二位线重置为第二电平。
执行增量步进脉冲编程操作存储器装置及其操作方法

[发明专利]将数据编程在非易失性存储器装置中的设备、系统及方法-CN202210258876.0在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及将数据编程在非易失性存储器装置中的设备、系统及方法。一种存储器装置包括单元组和控制电路。单元组包括能够存储数据的多个非易失性存储器单元。控制电路执行用于通过多个编程循环将数据编程在多个非易失性存储器单元中的编程操作，每个编程循环包括用于向多个非易失性存储器单元施加编程脉冲的单位编程操作以及用于验证单位编程操作的结果的验证操作。控制电路使用电流检测电路以在多个编程循环中的特定编程循环中检测多个非易失性存储器单元的阈值电压分布是否满足基准。控制电路在特定编程循环之后的下一编程循环中向多个非易失性存储器单元施加预设编程脉冲之后终止编程操作。
数据编程非易失性存储器装置中的设备系统方法

[发明专利]用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法-CN202210808052.6在审
发明人：郑载烨;郭东勋;崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及用于执行编程操作的存储器装置及其操作方法。本文提供的可以是存储器装置及操作该存储器装置的方法。存储器装置可以包括：多个存储器单元，其联接在公共源极线和位线之间；外围电路，其被配置为执行多个编程循环，每个编程循环包括向从被选存储器单元施加编程电压的编程电压施加操作和验证被选存储器单元的编程状态的验证操作；以及控制逻辑，其被配置为在编程电压施加操作中控制外围电路以：向公共源极线施加预充电电压，并且依据编程电压的幅度来改变预充电电压的幅度和施加预充电电压的时间中的至少一个。
用于执行编程操作存储器装置及其操作方法

[发明专利]用于在非易失性存储器装置中编程数据的设备及系统-CN202210094016.8在审
发明人：朴兑训;郭东勋;崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及用于在非易失性存储器装置中编程数据的设备及系统。一种存储器装置包括控制器，其在向至少一个非易失性存储器单元施加第一编程脉冲之后执行编程验证。在数据编程操作期间施加第一编程脉冲并且数据编程操作包括施加多个编程脉冲以将多位数据编程到至少一个非易失性存储器单元中。控制器还基于编程验证的结果确定用于至少一个非易失性存储器单元的编程模式，并且基于编程模式改变第一控制电压的电平中的至少一个。第一控制电压被施加至联接到至少一个非易失性存储器单元的漏极选择线。
用于非易失性存储器装置编程数据设备系统

[发明专利]执行增量步进脉冲编程操作的存储器装置及其操作方法-CN202210535297.6在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开涉及执行增量步进脉冲编程操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列；以及控制电路，其中，控制电路每当执行一次编程循环时，从第一时间点到第二时间点向选定字线和未选字线中的每一者施加通过电压，然后从第二时间点到第三时间点向选定字线施加编程电压并且向未选字线施加通过电压，当执行通过ISPP重复执行的编程操作的第一编程循环时，从第一时间点之前的第四时间点到第二时间点执行位线预充电操作，并且当执行除了第一编程循环之外的其它编程循环时，从第四时间点到与第一时间点相同或在第一时间点之前的第五时间点执行位线预充电操作。
执行增量步进脉冲编程操作存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202111159504.4在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括多个存储器单元、外围电路以及控制逻辑。外围电路将多个存储器单元编程为多个编程状态当中的编程状态。控制逻辑控制外围电路执行针对多个编程状态当中的至少一个编程状态的编程验证操作，通过将在针对所述至少一个编程状态中的目标编程状态的编程验证操作中与目标编程状态相对应的编程验证电压与多个存储器单元的阈值电压进行比较来对具有预定逻辑值的位数进行计数，并且基于具有预定逻辑值的位数确定针对多个编程状态当中的高于目标编程状态的编程状态的编程验证操作的开始时间。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器装置-CN202111609730.8在审
发明人： 崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本文提供了一种存储器装置，其包括：存储块，其具有连接至字线和位线的存储器单元；页缓冲器，其通过位线连接至存储块，在编程操作期间，被配置为将从外部装置接收的原始数据转换为根据特定数据的数量划分为组的可变数据，并被配置为根据可变数据向位线施加编程使能电压或编程禁止电压；以及数据模式管理器，其被配置为控制页缓冲器在编程操作期间将原始数据转换为可变数据。
存储器装置

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 47 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top