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[发明专利]一种深紫外LED外延片测试方法-CN202211102260.0在审
发明人：陈云;岳金顺;张骏;张毅;陈景文 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种深紫外LED外延片测试方法，包括：采用激光器件，在所述深紫外LED外延片的正面进行标刻，以露出所述深紫外LED外延片的N型结构并形成N型暴露点后，在所述N型暴露点上制作出N型接触点；在所述深紫外LED外延片的正面进行压铟操作，以在所述深紫外LED外延片上形成多个P型接触点；将所述深紫外LED外延片放置于测试支架上，并调整所述测试支架的位置，以使所述深紫外LED外延片的P型接触点与测试支架下方的积分球数据窗口位于同一直线上；将电源表的正负极分别连接所述P型接触点和N型接触点，并在通电后，通过所述积分球收集出光数据，并将所述出光数据发送至上位机中。本发明解决了现有技术中无法准确将N型层和P型层连接的问题。
一种深紫 led 外延测试方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310692579.1在审
发明人：张骏;陈圣昌;张毅;岳金顺 -专利权人：湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，电子阻挡层的至少一部分包括P型掺杂子层，其中，在衬底至空穴注入层的方向上，P型掺杂子层的掺杂浓度逐渐增加；本发明通过对电子阻挡层的至少一部分进行P型掺杂，且电子阻挡层的掺杂区域中，掺杂浓度由靠近量子阱有源层的下表面至靠近空穴注入层的上表面逐渐增加，可以在提高载流子注入效率的同时，防止P型掺杂杂质向量子阱有源层中扩散，进而提高了深紫外发光二极管的发光效率。
一种深紫发光二极管

[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310754175.0在审
发明人： 岳金顺;张骏;陈圣昌;张毅 -专利权人：湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型接触层、N型布拉格反射层、第一波导层、量子阱有源层、第二波导层、P型布拉格反射层以及P型接触层，其中，N型布拉格反射层为Alx1Gay1In1‑x1‑y1N层与Alx2Gay2In1‑x2‑y2N层交替层叠组成的周期结构，P型布拉格反射层为Alx3Gay3In1‑x3‑y3N层与Alx4Gay4In1‑x4‑y4N层交替层叠组成的周期结构，第一波导层为N型掺杂的Alk1Inj1Ga1‑k1‑j1N材料，且第一波导层中的Al组分含量在N型布拉格反射层至量子阱有源层的方向上线性递减，第二波导层为P型掺杂的Alk2Inj2Ga1‑k2‑j2N材料，且第二波导层中的Al组分含量在量子阱有源层至P型布拉格反射层的方向上线性递增；本发明能有效提高深紫外发光二极管的光萃取效率。
一种深紫发光二极管

[发明专利]一种适用于深紫外发光二极管的外延工艺恢复方法-CN202310662023.8在审
发明人：张家业;张骏;岳金顺 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明通过提供一种适用于深紫外发光二极管的外延工艺恢复方法，该外延工艺恢复方法包括：首先，将经过外延工艺处理后的MOCVD设备中的基座转移至一烤盘炉的反应室内，其次，在反应室中通入氢气，并进行第一次加热烘烤处理，再次，在反应室中通入氯气或氯化氢，并进行加热闷烤处理，再次，将基座转移至反应室外，并对基座的表面进行清洁处理，清洁处理至少包含一次使用去离子水冲洗基座的表面的步骤，最后，对基座进行第二次加热烘烤处理；上述外延工艺恢复方法能够完全清除掉基座上的残留杂质，防止残留杂质对外延生长材料的生长造成影响。
一种适用于深紫发光二极管外延工艺恢复方法

[发明专利]一种适用于深紫外发光二极管的外延工艺恢复方法-CN202310579383.1在审
发明人： 岳金顺;张骏;张毅;陈景文 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明通过提供一种适用于深紫外发光二极管的外延工艺恢复方法，该外延工艺恢复方法包括：首先对经过外延工艺处理后的反应腔进行加热烘烤并通入氢气，之后在反应腔中通入镁源和氨气，以在反应腔的内壁上形成第一镀层，之后在反应腔中通入铝源、镁源和氨气，以在第一镀层上形成第二镀层，之后在反应腔中通入铝源、镓源、镁源和氨气，以在第二镀层上形成第三镀层，之后，在反应腔中通入镓源、镁源和氨气，以在第三镀层上形成第四镀层，最后在反应腔中同时通入镁源和氨气，以在第四镀层上形成第五镀层；上述外延工艺恢复方法可以快速地恢复了深紫外发光二极管所需的生长环境，同时还为整个生长环境提供一个富镁的环境。
一种适用于深紫发光二极管外延工艺恢复方法

[发明专利]一种具有孔洞愈合结构的AlGaN薄膜及其制备方法-CN202210921903.8有效
发明人：张骏;张毅;陈景文;岳金顺 -专利权人：武汉优炜芯科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有孔洞愈合结构的AlGaN薄膜及其制备方法，该具有孔洞愈合结构的AlGaN薄膜包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、AlN薄膜、AlGaN插入层、AlN插入层、AlGaN愈合层以及AlGaN薄膜；沿外延生长方向，AlGaN插入层至AlGaN愈合层中具有若干逐渐愈合的孔洞结构。本发明通过引入AlGaN插入层、AlN插入层、AlGaN愈合层，产生适宜尺寸的孔洞结构，并调控各膜层的生长温度、V/III比等工艺条件，使孔洞结构随着生长过程的进行逐渐愈合，而孔洞愈合结构能够使源自衬底的穿透位错弯曲而湮灭，有效避免了底层穿透位错对上层AlGaN薄膜的影响，进而提升了AlGaN薄膜的晶体质量。
一种具有孔洞愈合结构 algan 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管的制备方法和深紫外发光二极管-CN202310594041.7在审
发明人：张毅;陈圣昌;岳金顺;张骏 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管的制备方法和深紫外发光二极管，该制备方法包括：首先将双通阳极氧化铝模板转移至一深紫外发光二极管外延结构中远离衬底的一侧表面上，其次在双通阳极氧化铝模板上形成抗刻蚀层，随后剥离双通阳极氧化铝模板，再以抗刻蚀层为掩膜对深紫外发光二极管外延结构进行刻蚀，使深紫外发光二极管外延结构中的发光材料层形成量子点阵列，最后去除抗刻蚀层；本发明通过采用双通阳极氧化铝模板将深紫外发光二极管外延结构中的发光材料层制备成量子点阵列，实现了深紫外发光二极管在光输出功率的较大提升。
一种深紫发光二极管制备方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310538201.6在审
发明人：张骏;陈圣昌;张毅;岳金顺 -专利权人：湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、载流子分布改善层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，其中，载流子分布改善层的材质为硅掺杂的AlGaN材料，载流子分布改善层中的硅掺杂浓度大于量子阱有源层中势垒层的硅掺杂浓度；本发明的载流子分布改善层用向量子阱有源层提供载流电子，从而可以在势垒层中采用较少硅掺杂浓度的AlGaN材料，进而可以避免势垒层中的杂质硅扩散至势阱层中，进一步避免因形成晶格缺陷而引发非辐射复合，更进一步地有效提高了深紫外发光二极管的发光效率。
一种深紫发光二极管

[发明专利]一种发光二极管芯片的返工方法-CN202310347929.0在审
发明人：张骏;岳金顺;张毅;陈景文 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片的返工方法，方法包括：首先对待返工的发光二极管芯片进行一次清洗浸泡处理，之后对发光二极管芯片在氢气氛围内进行一次加热处理，之后对发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物，对发光二极管芯片在第二气体氛围内进行三次加热处理，以使发光二极管芯片中衬底的弯曲值小于预设值，最后对发光二极管芯片进行二次清洗浸泡处理；上述方法使经返工后的外延片的衬底的弯曲值降低，提高了深紫外发光二极管的外延片内波长以及亮度的均匀性，避免对外延片造成不可逆的损伤，使经返工后的外延片发光效果接近于正常外延片的发光效果。
一种发光二极管芯片返工方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管及其外延生长方法-CN202310347533.6在审
发明人：张骏;岳金顺;张毅;陈景文 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的防翘曲层、衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，防翘曲层至少包括第一子层，第一子层的材料为氮化铝；上述深紫外发光二极管通过在衬底上远离本征层的一侧外延生长具有氮化铝材料的防翘曲层，由于氮化铝材料的生长温度很高，可以在升温过程中使衬底沿靠近本征层的方向凹陷，从而减缓了衬底在另一侧外延生长其他外延膜层时导致的翘曲形变，进而提高了深紫外发光二极管的外延片内波长以及亮度的均匀性，更进一步提高了深紫外发光二极管的生产良率。
一种深紫发光二极管及其外延生长方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310347913.X在审
发明人：张骏;岳金顺;张毅;陈景文 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，电子注入层为数字合金结构，数字合金结构包括至少二种不同的二元化合物；本发明通过将数字合金结构制备成电子注入层，且数字合金结构包括至少二种不同的二元化合物，二元化合物可以有效减小来源于底层本征材料的压应力，提高了量子阱有源层内部的载流子复合效率，进而增加了深紫外发光二极管的发光功率。
一种深紫发光二极管

[发明专利]一种深紫外发光二极管及其外延生长方法-CN202310514904.5在审
发明人：张毅;张骏;岳金顺;陈景文 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，量子阱有源层包括交替设置的至少一个势阱层和至少两个势垒层，每个势阱层插入在两个相邻的势垒层之间，势阱层的材料为氮化铝镓，其中，在衬底至量子阱有源层的方向上，势阱层中的铝组分含量先逐渐降低再逐渐升高；本发明在将载流子限制在势阱层内部的同时，以使势阱层中靠近势垒层一侧的铝组分含量与势垒层的铝组分含量的绝对差值减小，降低了量子阱内部的压电极化强度，进一步提高了量子阱有源层中电子和空穴的波函数重叠率，更进一步实现了深紫外发光二极管的发光效率的提升。
一种深紫发光二极管及其外延生长方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310456908.2在审
发明人：张毅;张骏;岳金顺;陈景文;王永忠 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型半导体层、量子阱有源层、电子阻挡层以及P型半导体层，其中，量子阱有源层远离N型半导体层的一侧表面为第一表面，第一表面上设置有多个第一微结构，每一第一微结构凹陷于第一表面；本发明通过在量子阱有源层远离N型半导体层一侧的第一表面上设置多个第一微结构，且第一微结构凹陷于第一表面，多个第一微结构在形成过程中释放了量子阱有源层的积累应力，降低了量子阱材料内部的压电极化强度，从而提高了波函数的重叠率，进而提高了深紫外发光二极管的发光效率。
一种深紫发光二极管

[发明专利]一种深紫外发光二极管及其外延生长方法-CN202211465381.1在审
发明人： 岳金顺;陈景文;张骏;张毅 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型半导体层、量子阱有源层、电子阻挡层以及P型半导体层；其中，深紫外发光二极管还包括应力释放层，应力释放层设置于N型半导体层与量子阱有源层之间，应力释放层用于减小量子阱有源层内部的压电应力；本发明通过在N型半导体层与量子阱有源层之间设置应力释放层，其中，应力释放层用于减小量子阱有源层内部的压电应力，从而提高了量子阱有源层内部的载流子复合效率，进而增加了深紫外发光二极管的发光功率。
一种深紫发光二极管及其外延生长方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管及其外延生长方法-CN202211726365.3在审
发明人：张骏;岳金顺;张毅;陈景文;王永忠 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、第一电子阻挡层、电子蓄积层、量子阱有源层、第二电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，电子蓄积层至少包括一层N型掺杂的氮化铝镓材料，电子蓄积层的掺杂浓度高于量子阱有源层中势垒的掺杂浓度；本发明通过在第一电子阻挡层与量子阱有源层之间设置一层特殊材料的电子蓄积层，提高了第一电子阻挡层的等效势垒高度，进而对深紫外发光二极管的电子溢流效应起到很好的限制，同时能够提高注入到量子阱有源层中的电子浓度，最终提高深紫外发光二极管的发光效率。
一种深紫发光二极管及其外延生长方法

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