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[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310692579.1在审
发明人：张骏;陈圣昌;张毅;岳金顺 -专利权人： 湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，电子阻挡层的至少一部分包括P型掺杂子层，其中，在衬底至空穴注入层的方向上，P型掺杂子层的掺杂浓度逐渐增加；本发明通过对电子阻挡层的至少一部分进行P型掺杂，且电子阻挡层的掺杂区域中，掺杂浓度由靠近量子阱有源层的下表面至靠近空穴注入层的上表面逐渐增加，可以在提高载流子注入效率的同时，防止P型掺杂杂质向量子阱有源层中扩散，进而提高了深紫外发光二极管的发光效率。
一种深紫发光二极管

[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310754175.0在审
发明人：岳金顺;张骏;陈圣昌;张毅 -专利权人： 湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型接触层、N型布拉格反射层、第一波导层、量子阱有源层、第二波导层、P型布拉格反射层以及P型接触层，其中，N型布拉格反射层为Alx1Gay1In1‑x1‑y1N层与Alx2Gay2In1‑x2‑y2N层交替层叠组成的周期结构，P型布拉格反射层为Alx3Gay3In1‑x3‑y3N层与Alx4Gay4In1‑x4‑y4N层交替层叠组成的周期结构，第一波导层为N型掺杂的Alk1Inj1Ga1‑k1‑j1N材料，且第一波导层中的Al组分含量在N型布拉格反射层至量子阱有源层的方向上线性递减，第二波导层为P型掺杂的Alk2Inj2Ga1‑k2‑j2N材料，且第二波导层中的Al组分含量在量子阱有源层至P型布拉格反射层的方向上线性递增；本发明能有效提高深紫外发光二极管的光萃取效率。
一种深紫发光二极管

[发明专利]一种深紫外发光二极管及其外延生长方法-CN202310650737.7在审
发明人：张毅;陈圣昌;陈景文;张骏 -专利权人： 湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，其中，本征层包括位错过滤层，位错过滤层为多个第一子层和多个第二子层交替形成的超晶格结构，第一子层采用氮化铝硼作为生长材料，第二子层采用氮化铝作为生长材料；本发明通过在衬底与电子注入层之间的本征层内部设置位错过滤层，且位错过滤层为氮化铝硼与氮化铝交替形成的超晶格结构，该超晶格结构与衬底之间形成镜像力效应，从而使本征层与衬底的接触面产生的位错由于镜像力而弯曲，有效的降低了外延层的位错密度，进而提高了深紫外发光二极管的光输出功率。
一种深紫发光二极管及其外延生长方法

[实用新型]一种光源模组及空调器-CN202321150011.9有效
发明人：何国才;陈华力;陈景文;王永忠 -专利权人： 湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光源模组及空调器，包括至少一个发光单元，发光单元包括金属基板以及设置于金属基板表面上的多个发光二极管芯片，发光二极管芯片与金属基板电性连接，其中，光源模组还包括恒流驱动模块，恒流驱动模块与发光单元串联连接；本实用新型提供的光源模组中的发光单元包括多个发光二极管芯片，且发光单元与恒流驱动模块串联连接，以使发光二极管芯片的工作电流处于恒流状态，使多个发光二极管芯片发射的光线的亮度保持一致，进而提高发光二极管芯片的使用寿命。
一种光源模组空调器

[发明专利]一种杀菌模组及空调器-CN202310787896.1在审
发明人：许献忠;何国才;姜小山;陈景文 -专利权人： 湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： F24F1/0076 文献下载
摘要：本发明提供了一种杀菌模组及空调器，杀菌模组包括第一杀菌模块，第一杀菌模块包括第一发光单元以及位于第一发光单元的出光侧的光触媒网，其中，杀菌模组还包括位于第一杀菌模块一侧的第二杀菌模块，第二杀菌模块包括第二发光单元，第二发光单元发射的光线可用于杀菌；本发明提供的杀菌模组通过在具有光触媒网的第一杀菌模块的侧面增加第二杀菌模块，第二杀菌模块中的第二发光单元发射的光线可用于杀菌，从而使得杀菌模组具有双重消杀效果，进而增强了杀菌模组的杀菌效果。
一种杀菌模组空调器

[发明专利]一种深紫外发光二极管-CN202310538201.6在审
发明人：张骏;陈圣昌;张毅;岳金顺 -专利权人： 湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、载流子分布改善层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，其中，载流子分布改善层的材质为硅掺杂的AlGaN材料，载流子分布改善层中的硅掺杂浓度大于量子阱有源层中势垒层的硅掺杂浓度；本发明的载流子分布改善层用向量子阱有源层提供载流电子，从而可以在势垒层中采用较少硅掺杂浓度的AlGaN材料，进而可以避免势垒层中的杂质硅扩散至势阱层中，进一步避免因形成晶格缺陷而引发非辐射复合，更进一步地有效提高了深紫外发光二极管的发光效率。
一种深紫发光二极管

[发明专利]一种紫外探测器-CN202310423359.9在审
发明人：白生茂;李磅;金利;许璐;王磊;陈景文;王永忠 -专利权人： 湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外探测器，包括封装支架和紫外探测芯片，封装支架包括凹槽，紫外探测芯片位于凹槽内，其中，紫外探测器还包括完全覆盖凹槽的窗部件，窗部件包括一凸起部，凸起部设置于窗部件靠近紫外探测芯片的一侧；本发明提供的紫外探测器通过在封装支架的上表面覆盖一个具有凸起部的窗部件，且凸起部设置于窗部件靠近紫外探测芯片的一侧，以使外界紫外线经过窗部件中的凸起部聚焦于紫外探测芯片上，提升了紫外探测芯片对紫外线吸收的效率，进而提升了紫外探测芯片对紫外线的探测精度。
一种紫外探测器

[发明专利]一种深紫外发光二极管及其制备方法-CN202310489949.1在审
发明人：白生茂;李磅;金利;许璐;王磊;陈景文;王永忠 -专利权人： 湖北优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管及其制备方法，深紫外发光二极管包括封装支架和发光单元，封装支架包括凹槽，发光单元位于凹槽内，其中，发光单元包括齐纳二极管以及深紫外发光二极管芯片，深紫外发光二极管芯片与齐纳二极管并联连接；本发明提供的深紫外发光二极管通过将齐纳二极管与深紫外发光二极管芯片集成为一个发光单元，仅需一次固晶工艺就能将发光单元固定于封装支架的凹槽内，从而降低了深紫外发光二极管的制作成本，进而提高了深紫外发光二极管的生产效率。
一种深紫发光二极管及其制备方法

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