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- [发明专利]微阵列的检测方法-CN201080059469.2有效
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山野博文;平山幸一;伊藤茜
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东洋钢钣株式会社
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2010-12-13
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2012-09-19
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C12Q1/68
- 本发明的目的在于提供一种客观地判定每个微阵列的性能退化或清洗不充分等以及杂交失败的方法，具体而言，涉及一种使用微阵列检测探针多核苷酸和靶多核苷酸的杂交的方法，包含1)使具有分别添加多种探针多核苷酸的多个固定的检测用点、及一处以上的固定有两种以上固定于检测用点上的探针多核苷酸的基准点的微阵列与荧光标记的靶多核苷酸接触的工序，2)通过清洗微阵列除去未反应的靶多核苷酸的工序，3)测定基准点上的荧光，若满足规定值则判断为可测定的工序，及4)若判断为可测定，则测定固定有探针多核苷酸的各检测用点上的荧光的工序。
- 阵列检测方法
- [发明专利]化合物半导体型太阳能电池用基板-CN201080025477.5有效
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冈村浩;山野博文;松原政信;西山茂嘉
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东洋钢钣株式会社
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2010-05-18
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2012-05-16
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H01L31/04
- 本发明涉及一种化合物半导体型太阳能电池用基板，其即便在形成薄膜时经过高温工序之后，依然能够维持良好的弹性。化合物半导体型太阳能电池用基板由钢板构成，在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为300～8000mg/m2的Cr层。而且，在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为500～3000mg/m2的Cr层，太阳能电池层的制膜温度不足550℃。而且，在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000～8000mg/m2的Cr层，太阳能电池层的制膜温度超过800℃。此外，在太阳能电池层的积层面一侧上具有被膜量为2000～5000mg/m2的Cr层，太阳能电池层的制膜温度大于等于550℃且小于等于800℃。进而，钢带中的Mn成分小于等于2wt％，Fe成分小于等于98wt％。
- 化合物半导体太阳能电池用基板
- [发明专利]微阵列中的探针定位方法-CN201080027625.7有效
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平山幸一;山野博文;丹花通文
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东洋钢钣株式会社
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2010-06-10
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2012-05-16
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C12Q1/68
- 本发明提供除了判定每个微阵列的性能劣化或清洗不良等、还客观判定杂交不良的方法。使用微阵列检测探针多核苷酸与靶多核苷酸的杂交的方法，该方法包括以下步骤：1)使荧光标记的靶多核苷酸和与基准多核苷酸杂交的荧光标记的标记多核苷酸与微阵列接触的步骤，所述微阵列除了具有多个固定有探针多核苷酸的检测用点以外，还具有一处以上的固定有基准多核苷酸的基准点；2)通过清洗微阵列除去未反应的靶多核苷酸的步骤；3)测定基准点的荧光，当满足规定的值时，判断为可以测定的步骤；以及4)若判断为可以测定，则测定固定有探针多核苷酸的各检测用点的荧光的步骤。
- 阵列中的探针定位方法
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