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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蚀刻处理方法-CN202280005768.0在审
发明人：服部孝司;山田将贵;秋永启佑 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率、以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜的方法。因此，本发明的蚀刻处理方法是一种干式蚀刻方法，对于在配置于处理室内的晶片上预先形成的、氧化硅膜被氮化硅膜上下夹持而层叠的膜层的端部构成槽或者孔的侧壁的膜构造，向所述处理室内供给处理用气体，在不使用等离子的状态下进行蚀刻，其特征在于，在将该氟化氢气体的分压设为x(Pa)时，将所述晶片在(0.040x‑42.0)℃以下的低温从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。
蚀刻处理方法

[发明专利]磁阻元件的制造方法-CN201980001022.0有效
发明人：赵煜;三浦胜哉;滨村浩孝;山田将贵;佐藤清彦 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种同时实现磁性层的侧壁氧化物的除去和保护膜的形成并抑制磁特性的劣化的磁阻元件的制造方法。具有：第1工序(802)，通过使用氧化性气体的等离子蚀刻来蚀刻包含依次被层叠的第1磁性层、MgO阻挡层以及第2磁性层的层叠膜，形成磁阻元件；和第2工序(803)，同时导入作为n价的酸的有机酸气体和对应的金属元素的价数为m的成膜种子气体，在磁阻元件的侧壁形成第1保护膜，在第2工序中，相对于被导入的有机酸气体而导入成膜种子气体以使得所述成膜种子气体成为n/m以上的摩尔比率。
磁阻元件制造方法

[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造装置的清洁方法-CN202180017378.0在审
发明人： 山田将贵;武居亚纪;黑崎洋辅;服部孝司 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能减少腔室内的反应生成物、残留HF的技术。半导体制造装置具备：导入口，其对处理容器内部的处理室内导入包含氟化氢以及醇的蒸汽的处理用的气体；样品台，其配置于所述处理室内，在其上表面装载处理对象的晶片；和导入机构，其对所述导入口导入极性分子气体。
半导体制造装置以及清洁方法

[发明专利]蚀刻方法-CN202210123448.7在审
发明人：服部孝司;山田将贵;迈克尔·沃克;凯瑟琳·金;大竹浩人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻方法，兼顾高的氧化硅膜的蚀刻速率和低的氮化硅膜的蚀刻速率，以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地蚀刻氧化硅膜。一种蚀刻方法，是干式蚀刻方法，在向处理室内供给处理用的气体且不使用等离子的状态下蚀刻膜构造，其中所述膜构造预先形成于配置在所述处理室内的晶片上，氧化硅膜被氮化硅膜上下夹着而层叠的膜层的端部构成槽或孔的侧壁的，其特征在于，供给氟化氢气体，使所述晶片冷却为‑30℃以下，优选为‑30℃～‑60℃，从所述端部沿横向对所述氧化硅膜进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]半导体制造装置以及半导体装置的制造方法-CN202080010282.7在审
发明人： 山田将贵 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供在包含SiO2而构成的膜的蚀刻中使处理的成品率提升的蚀刻装置或蚀刻方法。作为其手段而使用半导体制造装置，其具有：导入口，其对处理容器内部的处理室导入包含氟化氢以及醇各自的蒸汽的处理用的气体；样品台，其配置于所述处理室，在其上表面装载处理对象的晶片；和电极，其配置于所述样品台的内部，在对形成于所述晶片的所述上表面的第1膜进行蚀刻处理时，被施加在通过所述处理用的气体而形成于所述晶片的所述上表面上的第1层形成电场的直流电力。
半导体制造装置以及方法

[发明专利]磁隧道结元件的制造方法以及感应耦合型等离子处理装置-CN201780010300.X有效
发明人： 山田将贵 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供运用了能抑制氢离子所引起的特性劣化且能确保蚀刻形状的RIE加工的磁隧道结元件的制造方法。生成多层膜，该多层膜具有磁性膜和氧化膜，磁性膜的厚度为2nm以下，且磁性膜和氧化膜在膜面方向上具有界面，在多层膜上形成进行了图案形成的掩模层，对形成了掩模层的多层膜使用氢气与氮气的混合气体作为反应气体来进行蚀刻，将氢气的流量相对于混合气体的流量的比设为50％以下。
隧道元件制造方法以及感应耦合等离子处理装置

[发明专利]再现磁头及磁记录装置-CN200810108864.X无效
发明人： 山田将贵;高桥宏昌 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及再现磁头及磁记录装置。本发明提供一种可与具有太比特级的面记录密度硬盘相对应的超高分辨率且低噪音的再现磁头。本发明的再现磁头使电流从磁化被反铁磁性体(103)固定了的固定层(102)流向具有受外部磁场影响的部位(N₁)和不受外部磁场影响的部位(N₂)的非磁性细线(101)，并使自旋极化电子(Is₁、Is₂)累积在非磁性细线(101)中。电压端子的距离(L)比非磁性细线(101)的自旋扩散长度短。随着外部磁场的变动，自旋电子(Is₁)虽受调制，但自旋电子(Is₂)不受调制。因此，在(N₁)和(N₁)之间产生依赖于外部磁场的电位差，用电压表(104)测定该电位差。
再现磁头记录装置

[发明专利]磁头及磁记录再生装置-CN200710186603.5无效
发明人：高桥宏昌;山田将贵 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明提供适用于高记录密度磁记录再生的、噪声小的磁头。在非磁性导电层(101)上隔着第一绝缘层(103)形成固定层(102)，并在非磁性导电层的介质侧的面上隔着第二绝缘层(105)形成自由层(104)。其中，连接通过第一绝缘层在非磁性导电层与上述固定层之间使电流流通的电路(106)和在非磁性导电层与上述自由层之间用于测定电压的电路(107)。形成自由层的介质侧的面，可以是与介质表面大致平行的面，也可以是相对于介质表面倾斜的面。
磁头记录再生装置

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