|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 41个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]CMOS半导体器件及其制造方法-CN01139390.4有效
-
小山内润;长谷川尚;小岩进雄;石井和敏
-
精工电子有限公司
-
2001-09-01
-
2002-07-17
-
H01L27/06
- 在具有CMOS和电阻器的功率控制半导体器件或模拟半导体器件中,对于NMOS和PMOS,CMOS的栅极的导电类型均为P型,由于E型PMOS是表面沟道型,短沟道和低阈值电压是可能的,由于隐埋沟道型NMOS是极浅的,短沟道和低阈值电压是可能的,原因是具有小的扩散系数的砷可以用作阈值控制用的杂质,并且分压电路或CR电路中所用的电阻器是由比与栅极相同的层的多晶硅更薄的多晶硅或者薄膜金属形成的。由此,与具有N+多晶硅栅极单极性的常规CMOS或其中沟道和栅极有相同极性的同极性栅极CMOS相比,可以实现在成本、制造周期和元件性能方面更优异的功率控制半导体器件或模拟半导体器件。
- cmos半导体器件及其制造方法
- [发明专利]参考电压半导体-CN01137955.3有效
-
小山内润
-
精工电子有限公司
-
2001-09-19
-
2002-05-08
-
H01L29/78
- 随着温度变化具有小的输出电压变化的参考电压电路,并且提供了制造该参考电压电路的方法。在参考电压电路中,包含E型MOS和D型MOS作为其结构部件,E型MOS的栅的极性是阈晶体管的栅的极性相反的导电型,D型MOS的栅的极性是与晶体管一样的导电型,从而E型MOS和D型MOS都是掩埋沟道型。此外,为了设定预定的阈值,对于E型MOS和D型MOS,反沟道掺杂的剂量基本上相同。这样,对于两个MOSs,可以使阈值电压和互导随温度变化的变化程度相同。因此能够提供一种参考电压电路,该参考电压电路随温度的变化,输出电压具有很小的变化。
- 参考电压半导体
|
