“宫崎隆行”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储装置及其控制方法-CN201810801386.4有效
发明人： 宫崎隆行 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请提供半导体存储装置及其控制方法。半导体存储装置具备存储第1值或第2值作为存储数据的存储单元、以及读取存储数据的控制电路。存储单元具有：第1动作区域，伴随着存储单元间的电压增加，单元电流增加；第2动作区域，单元电流比第1动作区域大，在单元电流增加的期间，该电压减少；以及第3动作区域，单元电流比第2动作区域大，伴随着该电压增加，单元电流增加。控制电路执行第1读取处理，即，以存储数据为第1值时及存储数据为第2值时的单元电流取第1动作区域的值的方式读取存储数据。控制电路执行第2读取处理，即，以存储数据为第1值时及存储数据为第2值时的单元电流中的至少一个取第2或第3动作区域的值的方式读取存储数据。
半导体存储装置及其控制方法

[发明专利]电阻变化型存储器-CN201810113348.X有效
发明人：犬塚雄贵;稻场恒夫;宫崎隆行;杉本刚士 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高可靠性的电阻变化型存储器。实施方式的电阻变化型存储器包含：存储单元，设置在第1及第2位线与字线之间；第1晶体管，设置在第1位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGa)；第2晶体管，设置在第2位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGb)；以及第3晶体管，连接在与第1选择栅极线(SGa)相邻的虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGa)的情况下，将电压VSG施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGA(＜VSG)施加至虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGb)的情况下，将电压VSGA或电压VSGU施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGU施加至虚设选择栅极线(DSG)。
电阻变化存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN201810149119.3有效
发明人：杉本刚士;宫崎隆行;犬塚雄贵 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种半导体存储装置，能抑制由噪声引起的读取不良，并且能缩短数据检测时间。实施方式的半导体存储装置的第1电源电路产生要施加给选择位线的选择位线电压。第2电源电路产生要施加给非选择位线的非选择位线电压。第3电源电路产生要施加给选择字线的选择字线电压。第4电源电路产生要施加给非选择字线的非选择字线电压。第1解码器将选择位线连接到第1电源电路，且将非选择位线连接到第2电源电路。第2解码器将选择字线连接到第3电源电路，且将非选择字线连接到第4电源电路。电容元件连接在第2电源电路与第1解码器之间的第1节点和第3电源电路与第2解码器之间的第2节点之间。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202111009849.1在审
发明人：佐贯朋也;李旭;三浦正幸;宫崎隆行;藤泽俊雄;中井弘人;向田秀子;松尾美惠 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：实施方式提供能够对功耗和发热量进行抑制的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备塑料封装，所述塑料封装包括：电感器；第1存储芯片，其包括升压电路，所述升压电路利用所述电感器来从第1电压升压为第2电压；以及第2存储芯片，其具有被从所述第1存储芯片供给所述第2电压的端子。
半导体存储装置

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201710700623.3有效
发明人：铃木义典;宫崎隆行 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能使读出时间高速化的非易失性半导体存储装置。一实施方式的非易失性半导体存储装置包含电流源、箝位电路、存储单元、读出放大器。电流源的一端与电源连接，从另一端流出参考电流。箝位电路包含控制晶体管及放大电路，对位线负载电容充电，将控制晶体管的另一端箝位在单元参考电压。存储单元包含电阻变化型元件，一端经由位线与箝位电路连接，另一端与字线连接。读出放大器检测电阻变化型元件中存储的数据。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201810832375.2在审
发明人：中泽新悟;宫崎隆行 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备存储单元及向所述存储单元输入数据或从所述存储单元读取数据的控制部，所述存储单元包含：电阻变化部，电阻因热而变化，并通过所述电阻存储数据；以及第1及第2选择器，与所述电阻变化部串联连接，且特性互不相同。
半导体存储装置存储单元电阻变化部电阻存储单元读取存储数据高品质选择器

[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法-CN201510547973.1有效
发明人： 宫崎隆行;市原玲华;杉前纪久子;岩田佳久 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。一种半导体存储装置包括可变电阻元件作为存储元件，该可变电阻元件根据施加的电压的极性和大小更改电阻值。半导体存储装置包括待命模式，在待命模式中，电源电压或接地电压被施加到字线和位线这两者上。半导体存储装置包括数据写入模式，在数据写入模式中，在字线和位线之间施加等于或大于第一电压的电压差。半导体存储装置包括读取模式，在读取模式中，通过仅更改在待命模式中施加的字线和位线的一个电压，在字线和位线之间施加小于第一电压的电压差，并且读取被写入存储元件的数据。
半导体存储装置及其驱动方法