“定荣正大”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果27个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]固态图像拾取元件、其制造方法和电子设备-CN201780072818.6有效
发明人： 定荣正大;村田贤一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及能够抑制由于大气暴露引起的有机光电转换膜的光电转换特性的变动的固态图像拾取元件、固态图像拾取元件的制造方法和电子设备。所述固态图像拾取元件包括：形成在半导体基板的上侧的光电转换膜；和密封所述光电转换膜的侧面的侧壁。所述侧壁包括在所述侧壁正下方的膜的再沉积膜。本公开可以适用于例如CMOS图像传感器等。
固态图像拾取元件制造方法电子设备

[发明专利]光电转换元件、光检测装置、光检测系统、电子设备和移动体-CN202180081142.3在审
发明人：村田贤一;定荣正大;平田晋太郎;高桥新吾;大庭义行;小岛尚;汤川富之;财前义史;杉山知広;冈本正喜;増永拓也;川原雄基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。
光电转换元件检测装置系统电子设备移动

[发明专利]固态图像传感器、其制造方法以及电子装置-CN201811381397.8有效
发明人： 定荣正大;泷本香织 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。
固态图像传感器制造方法以及电子装置

[发明专利]光电转换元件、光电探测器、光电探测系统、电子设备及移动体-CN202180072643.5在审
发明人：大久保智弘;津野仁志;富樫秀晃;栗田畅之;田村崇人;高田哲朗;河合信宏;平松智记;定荣正大;村田贤一;辻合秀起 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种高功能的光电转换元件。该光电转换元件包括：多个第一光电转换部，其在彼此正交的第一方向和第二方向上分别周期性地排列，多个第一光电转换部分别检测第一波长区域中的光并进行光电转换；和一个第二光电转换部，其在与第一方向和第二方向都正交的层叠方向上层叠在第一光电转换部上，所述第二光电转换部检测已经透过多个第一光电转换部的第二波长区域中的光并进行光电转换。多个第一光电转换部在第一方向上的第一排列周期的n倍(n是自然数)与一个第二光电转换部在第一方向上的第一尺寸实质上相等，并且多个第一光电转换部在第二方向上的第二排列周期的n倍(n是自然数)与一个第二光电转换部在第二方向上的第二尺寸实质上相等。
光电转换元件探测器探测系统电子设备移动

[发明专利]固态图像拾取元件、其制造方法和电子设备-CN201910512935.0有效
发明人： 定荣正大 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K39/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态图像拾取元件(10)及其制造方法，所述固态图像拾取元件包括：设置在基板(11)中的至少一个第一光电转换部(11B，11R)；设置在所述基板上并包括有机光电转换层(16)的第二光电转换部(11G)；和覆盖所述有机光电转换层的光入射面的紫外线防护膜(18)。
固态图像拾取元件制造方法电子设备

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202180023417.8在审
发明人： 定荣正大;平田晋太郎;汤川富之;铃木凉介;中野博史;林利彦;高口辽太郎;八木岩;村田贤一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：根据本技术实施方案的摄像元件包括：第一电极；第二电极；第三电极；光电转换层；和半导体层。所述第一电极和所述第二电极并排布置着。所述第三电极被布置成与所述第一电极及所述第二电极相对。所述光电转换层被设置在所述第一电极及所述第二电极与所述第三电极之间。所述半导体层被设置在所述第一电极及所述第二电极与所述光电转换层之间。所述半导体层具有从所述光电转换层侧起依次层叠着的第一层和第二层。所述第二层的在导带最下端处的能级比所述第一层的在导带最下端处的能级浅。
摄像元件装置

[发明专利]图像传感器、摄像装置和电子设备-CN201811442238.4有效
发明人： 定荣正大 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器、摄像装置和电子设备。其中，图像传感器可包括：绝缘层，包括位于所述绝缘层的表面处的凹陷部，所述表面为所述绝缘层的光入射侧；下电极，设置在所述绝缘层中并且设置在所述凹陷部的底部下方；上电极，设置在所述凹陷部上方；以及有机光电转换部，设置在所述下电极和所述上电极之间。
图像传感器摄像装置电子设备

[发明专利]多层膜和成像元件-CN202180008197.1在审
发明人：关口浩司;村田贤一;汤川富之;定荣正大;富樫秀晃 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：根据本公开一个实施方案的多层膜通过交替层叠介电层和半导体层而获得，在所述半导体层中，在用作作为复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm～10μm、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。
多层成像元件

[发明专利]固态成像元件和电子设备-CN202180007257.8在审
发明人：村田贤一;定荣正大;中村祐太 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态图像传感器(100)设置有第一光电转换单元和第二光电转换单元(600)。所述第一和第二光电转换单元(500，600)在彼此相对的接合面处接合，并且包括上部电极(502，602)、下部电极(508A，608)、光电转换膜(504，604)和存储电极(510，610)。所述第一光电转换单元(500)的所述下部电极(508A)经由贯穿半导体基板(300)的第一贯通电极(460A，460B)连接到电荷累积单元(314)。所述第二光电转换单元(600)的所述下部电极(608)经由设置在所述第二光电转换单元(600)的所述接合面上的第二电极(673)、设置在所述第一光电转换单元(500)的所述接合面上的第一电极(573)、贯穿所述第一光电转换单元(500)的第二贯通电极(560)以及所述第一贯通电极(460A，460B)连接到所述电荷累积单元(314)。
固态成像元件电子设备

[发明专利]固态成像器件和电子装置-CN202080075661.4在审
发明人：兼田有希央;富樫秀晃;古闲史彦;定荣正大;村田贤一;平田晋太郎;河合信宏 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种能够实现进一步提高图像质量的固态成像器件。固态成像器件包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上方且将光转换为电荷；和第二光电转换单元，设置在第一光电转换单元上方且将光转换为电荷。第一光电转换单元和第二光电转换单元均至少包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的光电转换膜。第二光电转换单元的第一电极和形成在半导体基板中的电荷积累单元经由至少穿过第一光电转换单元的导电部彼此电连接。导电部的外周的至少一部分布置有绝缘膜部。绝缘膜部包括至少一层的绝缘膜，并且该至少一层的绝缘膜具有与电荷累积单元中累积的电荷相同类型的固定电荷。
固态成像器件电子装置

[发明专利]固态成像装置和固态成像装置的制造方法-CN202080071698.X在审
发明人： 定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介;藤井宣年 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开一个实施方案的固态成像装置包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部。各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极。所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。
固态成像装置制造方法

[发明专利]光电转换元件、光检测器、光检测系统、电子设备和移动体-CN202080035134.0在审
发明人：富樫秀晃;山口哲司;河合信宏;关口浩司;定荣正大;村田贤一;平田晋太郎;长谷川雄大;永岛义人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。
光电转换元件检测器检测系统电子设备移动

[发明专利]成像装置、制造装置和制造方法-CN201580052657.5有效
发明人： 定荣正大;万田周治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够防止例如氢等物质进入并防止性能的改变的成像装置、制造装置和制造方法。所述成像装置包含：有机光电转换膜；上电极，设置在有机光电转换膜的上部部分中；下电极，设置在有机光电转换膜的下部部分中；以及金属薄膜，设置在有机光电转换膜与上电极之间或有机光电转换膜与下电极之间。金属薄膜设置在有机光电转换膜与上电极之间。上电极由氧化物半导体、金属氧化物和金属薄膜形成。本技术可应用到垂直光谱成像装置。
成像装置制造方法

[发明专利]固态摄像元件和电子装置-CN201980048579.X在审
发明人：林利彦;定荣正大;村田贤一;平田晋太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够进一步提高可靠性的固态摄像元件。提供了一种固态摄像元件，其从光入射侧起依次至少设置有第一光电转换部和形成有第二光电转换部的半导体基板。所述第一光电转换部至少按说明的顺序包括第一电极、光电转换层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第二电极。所述第一氧化物半导体层的膜密度高于所述第二氧化物半导体层的膜密度。
固态摄像元件电子装置

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN201980049315.6在审
发明人：村田贤一;定荣正大;高桥新吾 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的实施方案的摄像元件包括：半导体基板，其具有布置有多个像素的有效像素区域和设置在所述有效像素区域周围的周边区域；有机光电转换部，其设置在所述半导体基板的光接收表面侧，且包括第一电极、第二电极、电荷累积层和有机光电转换层，所述第一电极包含多个电极，所述第二电极与所述第一电极相对设置着，所述电荷累积层和所述有机光电转换层按此顺序层叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且延伸得遍及于所述有效像素区域上；以及第一氢阻隔层，其覆盖所述有机光电转换层的上方、所述有机光电转换层的侧面和所述电荷累积层的侧面。
摄像元件装置

1
2
下一页»
尾页
共 27 条