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[发明专利]一种碳化硅籽晶及由其制得的碳化硅单晶片、单晶锭-CN202210257397.7有效
发明人：张九阳;宗艳民;窦文涛;周敏;高超;李昊;王路平;潘亚妮;邵红;左康廷;李长进 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅籽晶及由其制得的碳化硅单晶片、单晶锭。其中，所述碳化硅单晶片包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽均不大于16arcsec；所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽的差值不大于5arcsec。本申请的碳化硅单晶片质量较高且不同位置处结晶质量均匀，晶型一致性好。
一种碳化硅籽晶晶片单晶锭

[发明专利]一种碳化硅材料杨氏模量的表征方法-CN202311078063.4在审
发明人：宋猛;王振行;赵树春;高超;宗艳民;潘亚妮;王宗玉;张红岩;宋建;杨晓俐;宋生;宁秀秀;刘欣 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅材料杨氏模量的表征方法，属于杨氏模量表征技术领域。该表征方法首先利用X射线衍射仪，测试晶圆不同位置处的晶面衍射，根据晶体学中晶面间距公式计算晶体的a和c值，然后根据a和c值计算晶圆不同位置处的晶胞体积大小，通过第一性原理计算，得到晶胞大小与杨氏模量的关系，最后根据计算的晶胞体积值估算出整个晶圆杨氏模量的分布。本申请的碳化硅材料杨氏模量的表征方法不需破坏晶圆，只需测试晶胞体积，并根据理论计算结果，就能在无损状态下检测整个晶圆的杨氏模量分布，节约成本，快捷实用，适用于工业生产。
一种碳化硅材料杨氏模量表征方法

[发明专利]一种定量表征晶片表层应力的方法及检测晶片表层应力的标准方法-CN202310636694.7在审
发明人：宋猛;王旗;张九阳;王振行;张红岩;高超;宗艳民;石志强 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种定量表征晶片表层应力的方法及检测晶片表层应力的标准方法，属于晶片应力检测技术领域。该方法，包括下述步骤：(1)对晶片进行电阻率测试，根据测得的电阻率数值和拟合函数得到所述晶片的杨氏模量；(2)测试所述晶片表层的应变，根据所述应变和杨氏模量，计算得到所述晶片的表层应力。上述方法通过晶片的电阻率数值和拟合函数，预测出整个晶片不同区域的杨氏模量，相比于直接测试整个晶片的杨氏模量节约了检测时间，可快速并准确预测出晶片的杨氏模量分布，并利用应力、杨氏模量和应变的关系，定量表征出整个晶片的表层应力分布，可推广用于晶片表层应力的标准化检测。
一种定量表征晶片表层应力方法检测标准

[发明专利]一种测试切割后导电型碳化硅晶圆的电阻率的方法-CN202310919290.9在审
发明人：宋猛;赵继佐;黄长航;薛成业;王昆鹏;张红岩;高超;窦文涛;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种测试切割后导电型碳化硅晶圆的电阻率的方法，属于碳化硅晶圆技术领域，包括以下步骤：a.分段清洗：将切割后的碳化硅晶圆放在花篮中，依次经过放置有机溶剂、酸液或碱液、水的酸碱槽浸泡，清洗后在有机溶剂中超声，干燥；b.使用FRT面型测试仪，测试晶圆表面多个点的厚度，最后取得到厚度数据的平均值；c.使用非接触式的电阻率测试仪，输入晶圆的平均厚度，按点位分布设置测试点，测试时令探测头在每个点位上测试两次，最后画出整个晶圆表面的电阻率分布图，并统计最大值、最小值以及平均值。本申请通过使用限定种类溶液清洗，把电阻率测试提前到研磨以前，节约成本；匹配特定的点位分布，为判断晶圆质量提供准确依据。
一种测试切割导电碳化硅电阻率方法

[发明专利]一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片-CN202211737883.5在审
发明人：梁庆瑞;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;李霞;宁秀秀;宗艳民;窦文涛;宋建 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅片减薄工艺以及碳化硅减薄片，包括对单个剥离片的单面的至少一部分进行减薄和/或对该单个剥离片的另一单面的至少一部分进行减薄，从而得到减薄片；所述减薄包括粗磨处理和精磨处理，所述细磨处理的粗糙度小于所述粗磨处理的粗糙度。本发明提供的一种激光剥离碳化硅片减薄工艺，能够大幅度提升厚度均匀性，提高减薄片的平整度，降低了SFQR指标，提高碳化硅减薄片的品质。
一种激光剥离碳化硅片工艺以及碳化硅薄片

[发明专利]一种激光致裂制备碳化硅剥离片的装置-CN202211724331.0在审
发明人：梁庆瑞;宋建;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;宋生;杨晓俐;宁秀秀;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光致裂制备碳化硅剥离片的装置，属于激光加工技术领域。所述装置包括：包括：晶面检测单元、夹角判定单元、角度调节单元、激光扫描单元、外力施加单元、以及用于固定和支撑碳化硅晶锭的固定单元，其中，所述激光扫描单元包括能够产生所述第一激光束的第一激光头，并被设置为能够接收所述第一信号并启动所述第一激光头对碳化硅晶锭进行扫描，以形成含有多个裂纹且沿所述第一平面延展的待剥离面；所述外力施加单元被设置为能够对所述待剥离面施加振动，以得到碳化硅剥离片。本发明提供的激光致裂制备碳化硅剥离片的装置，能够降低碳化硅晶片加工应力，减少外延后面型变化量，可实现自动化加工，提高加工效率。
一种激光制备碳化硅剥离装置

[发明专利]一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光装置-CN202211724329.3在审
发明人：梁庆瑞;宋建;王瑞;刘家朋;王含冠;马立兴;宋生;王宗玉;宁秀秀;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片串联抛光装置，所述串联抛光装置包括：工作台以及通过所述工作台依次串联连接的第i抛光机构，所述第i抛光机构包括第i抛光组件、第i供液组件、第i导向组件，其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。本发明串联抛光装置采用全单片单面抛光，大幅度提升衬底的厚度均匀性，实现对单片晶片的精确控制。
一种激光剥离碳化硅薄片串联抛光装置

[发明专利]碳化硅衬底、晶锭及其制备方法-CN202011349480.4有效
发明人：方帅;高宇晗;高超;石志强;杨世兴;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅衬底、晶锭及其制备方法，属于半导体材料领域。所述碳化硅衬底包含氮元素，所述碳化硅衬底具有六边形色斑的密度小于0.3个\平方厘米，形成所述六边形色斑的边部垂直于10‑10方向。本申请发现一种含氮的碳化硅衬底中存在的新型缺陷即六边形色斑，该六边形色斑的颜色不同与碳化硅主体区域的颜色，但与平面六边形空隙缺陷不同并不是六边形的空洞，六边形色斑会使得碳化硅衬底的电阻率不均匀，会严重影响碳化硅衬底制得的半导体器件的电学性能，如使得在碳化硅衬底上做的器件失效，因此本申请提供了一种包含六边形色斑密度少的碳化硅衬底和碳化硅晶锭。
碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺-CN202211724363.0在审
发明人：梁庆瑞;刘家朋;王含冠;王瑞;马立兴;宋生;宁秀秀;李霞;宋建;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺，所述串联抛光工艺包括以下步骤：将激光剥离碳化硅减薄片依次进行i次抛光得到所需的抛光片；第i次抛光处理所得晶片的粗糙度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光垫的硬度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光液的pH比第i+1次小；其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2。所述碳化硅减薄片顺次通过激光致裂剥离、减薄而得到。解决抛光片表面粗糙度高且均匀性差、划痕残留、加工效率低等问题。
激光剥离碳化硅薄片串联抛光工艺

[发明专利]一种激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统-CN202211724362.6在审
发明人：梁庆瑞;宋生;马立兴;王瑞;刘家朋;王含冠;高宇晗;李霞;宋建;宗艳民;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统，所述系统包括：激光剥离装置，具有激光扫描单元和外力施加单元；减薄装置，具有能够对所述剥离片的至少一部分进行减薄从而得到减薄片的磨制机构；抛光装置，具有能够对所述减薄片进行抛光从而得到抛光片的抛光构件；清洗装置，具有能够对所述抛光片进行清洗从而得到大尺寸碳化硅衬底的清洗机构，其中，所述大尺寸碳化硅衬底为不小于8英寸的碳化硅衬底。本发明的激光剥离制备8英寸以上碳化硅衬底的系统可以解决衬底应力大，SFQR值大，外延前后面型变化大，表面金属沾污问题。
一种激光剥离制备英寸以上碳化硅衬底系统

[发明专利]一种8英寸以上碳化硅衬底低应力加工方法-CN202211724348.6在审
发明人：梁庆瑞;王含冠;王瑞;马立兴;刘家朋;宋生;李霞;宁秀秀;宗艳民;窦文涛;宋建 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种8英寸以上碳化硅衬底低应力加工方法，所述加工方法包括以下步骤：检测碳化硅晶锭的(0001)晶面，得到晶面位置信息；然后计算所述晶面位置信息与第一平面之间的夹角值，判断所述夹角值是否满足预设夹角值的要求，其中，所述第一平面与第一激光束所在的第一方向始终保持垂直；对待剥离面施加振动，以得到碳化硅剥离片。再对剥离片依次进行减薄、抛光、清洗，得到8英寸以上碳化硅衬底，其中，所述8英寸以上碳化硅衬底为不小于8英寸的碳化硅衬底。本发明的加工方法可以解决衬底加工应力大，外延前后面型(bow和Sori)变化大，表面金属沾污问题。
一种英寸以上碳化硅衬底应力加工方法

[实用新型]一种测温装置-CN202222079632.4有效
发明人：宋建;宗艳民;窦文涛;周敏;王雅儒;张开端;高立志 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01J5/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种测温装置，包括：观测镜筒，观测镜筒包括第一镜筒段、第二镜筒段和过渡镜筒段，过渡镜筒段用于连接第一镜筒段和第二镜筒段，第一镜筒段和第二镜筒段不在同一条直线上；过渡镜筒段内部设有旋转件，旋转件上设有反光镜，旋转件连接设在过渡镜筒上的调节件，调节件用于调节旋转件以调节反光镜的旋转角度，使得进入第一镜筒内的光线经过反光镜反射到第二镜筒段内。第一镜筒段和第二镜筒段不在同一条直线上，则形成一定的夹角，以改变观察者的观察方位，方便了观察者选择合适的观察角度，通过旋转过渡镜筒段内的反光镜，使得进入第一镜筒段内的光线反射到第二镜筒段内的各个方位，扩大了观察者的观察范围。
一种测温装置

[发明专利]一种碳化硅晶体、籽晶及衬底-CN202211366501.2在审
发明人：李加林;舒天宇;宋生;梁庆瑞;宗艳民;刘耀华;姜岩鹏 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶体，属于半导体材料领域。该碳化硅晶体具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，第一主表面和/或第二主表面具有形核形貌，形核形貌具有形核中心点，碳化硅晶体的中轴线贯穿第一主表面和第二主表面，中轴线与第一主表面和/或第二主表面的交点为晶体中心点；形核中心点至晶体中心点的距离小于碳化硅晶体直径的1/4。该碳化硅晶体的形核中心点与晶体中心点的距离小于碳化硅晶体直径的1/4，两个中心点的距离较小，形核质量高，缺陷密度低。
一种碳化硅晶体籽晶衬底

[发明专利]一种N型碳化硅单晶生长用坩埚、装置及应用-CN202011344171.8有效
发明人：方帅;高宇晗;高超;石志强;杨世兴;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种N型碳化硅单晶生长用坩埚、装置及应用。所述坩埚包括侧壁、底部和由所述侧壁和底部围成的内腔，所述坩埚还包括用于密封所述内腔的上盖，所述侧壁的至少部分设为透气性石墨材料，所述透气性石墨材料用于向所述碳化硅单晶处渗透氮气。本发明坩埚及装置在提高大尺寸N型碳化硅单晶掺氮量的分布均匀性、电阻率的分布均匀性以及提高碳化硅单晶品质等方面具有重要应用价值。
一种碳化硅生长坩埚装置应用

[发明专利]碳化硅晶片、晶锭及其制备方法-CN202011344157.8有效
发明人：方帅;高宇晗;高超;石志强;杨世兴;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅晶片、晶锭及其制备方法，属于半导体材料领域。碳化硅单晶片包含氮元素，碳化硅单晶片具有六边形色斑的数量不大于50个，形成六边形色斑的边部垂直于10‑10方向，每个六边形色斑的边部包含空洞的数量为不大于10个。本申请发现一种含氮的碳化硅晶片中存在的新型缺陷即六边形色斑和六边形色斑上存在的空洞缺陷，六边形色斑会使得碳化硅晶片的电阻率不均匀，严重影响碳化硅晶片制得的半导体器件的电学性能，如使得在碳化硅晶片上做的器件失效；空洞的存在不仅影响碳化硅晶片的性能如击穿场强，并且空洞可能会延伸至以碳化硅单晶片作为衬底制得的器件。本申请提供了一种包含六边形色斑和空洞数量少的碳化硅晶片和碳化硅晶锭。
碳化硅晶片及其制备方法

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