“宋洵奕”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件结构及其制备方法-CN202210789376.X在审
发明人：吕政;宋洵奕;黄志森 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底的第一区域和第二区域上形成第一栅介质层和第二栅介质层；形成导电层；形成阻挡层；图形化阻挡层以形成阻挡图形；刻蚀导电层，以同时形成第一栅极和第二栅极；形成光刻图形，具有注入窗口，注入窗口显露第一区域的阱注入区域及第一栅极上的部分阻挡图形；以光刻图形和显露的阻挡图形作为掩膜，通过离子注入在阱注入区域形成阱区。在器件设计时，本发明的多晶硅栅极的厚度可以依据高密度器件部分进行设计，第一栅极和第二栅极同步形成，并同时可以实现功率器件阱区的自对准注入，从而使得功率器件可以集成纳米级别的高密度器件。本发明的制备方法可以有效简化工艺，降低工艺成本，提升制造良率。
半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201810028656.2有效
发明人：黄贤国;宋洵奕;王猛 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底；阱区；体接触区、源区和漏区，位于阱区内，源区位于体接触区与漏区之间，源区与漏区之间形成沟道；栅极导体，位于源区与漏区之间的沟道上；衬底、阱区和体接触区为第一掺杂类型，源区和漏区为第二掺杂类型，阱区包括第一阱区和被第一阱区包覆的第二阱区，第二阱区的掺杂浓度高于第一阱区的掺杂浓度，第二阱区至少延伸在体接触区与源区之间，漏区位于所述第一阱区内。场效应晶体管中存在寄生三极管，通过调节第二阱区的掺杂浓度或者范围来控制寄生三极管的电流大小。通过在第一阱区内形成第二阱区，增大场效应晶体管的维持电压，最终减小场效应晶体管的寄生三极管电流对场效应晶体管的影响。
场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN202021038383.9有效
发明人：吕政;宋洵奕;王猛 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，包括：下金属层，所述下金属层包括第一区域和第二区域；位于所述下金属层的第一区域和第二区域上表面的层间介质层；从所述层间介质层上表面延伸至所述下金属层的通孔，所述通孔裸露所述下金属层的上表面；覆盖所述通孔的底部，侧壁以及所述层间介质层的上表面第一导电层；覆盖所述下金属层的第一区域上的所述第一导电层的介电层；填充所述通孔的第一金属；以及位于所述层间介质层的上表面上的上金属层，其中，在所述下金属层的第一区域上，所述上金属层与所述第一金属和所述介电层接触。本实用新型提供的半导体器件在不增加复杂程度的情况下，提高了电容的密度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010510070.7在审
发明人：吕政;宋洵奕;王猛 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：下金属层，所述下金属层包括第一区域和第二区域；位于所述下金属层的第一区域和第二区域上表面的层间介质层；从所述层间介质层上表面延伸至所述下金属层的通孔，所述通孔裸露所述下金属层的上表面；覆盖所述通孔的底部，侧壁以及所述层间介质层的上表面第一导电层；覆盖所述下金属层的第一区域上的所述第一导电层的介电层；填充所述通孔的第一金属；以及位于所述层间介质层的上表面上的上金属层，其中，在所述下金属层的第一区域上，所述上金属层与所述第一金属和所述介电层接触。本发明提供的半导体器件在不增加复杂程度的情况下，提高了电容的密度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法-CN201380082039.6有效
发明人：李泽宏;宋文龙;宋洵奕;顾鸿鸣;邹有彪;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学;东莞电子科技大学电子信息工程研究院
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法，涉及半导体技术，制作方法包括：以P+单晶硅片为衬底(11)，首先在P+单晶硅衬底(11)表面外延生长P型层(12)，然后在P型层(12)表面通过外延或离子注入并推阱形成一层N型层(13)，其中P型层(12)是超结部分的耐压层，N型层(13)是器件正面MOS部分的形成区域，在器件正面工艺完成后进行背面减薄，通过背面氢离子的多次选择性注入以及低温退火，形成超结结构中的N柱区(25)。本发明的有益效果为，制作方法简单，降低了制造工艺难度，减少了制造成本，尤其适用于功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作。
一种功率半导体器件纵向漂移结构制作方法

[实用新型]横向扩散金属氧化物半导体器件-CN201820798921.0有效
发明人：游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;宋洵奕 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型一种横向扩散金属氧化物半导体器件，所述横向扩散金属氧化物半导体器通过在漂移区下方形成设置与漂移区掺杂类型相反的减小表面场效应层来辅助耗尽漂移区，以提高半导体器件的耐压性能，且还使得所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距设置得大于零，从而可以确保所述减小表面场效应层和漂移区之间具有一定的电子流经路径，以降低半导体器件的导通电阻。因此，依据本实用新型提供的横向扩散金属氧化物半导体器件的耐压性能和导通电阻性能均能得到最优化。
漂移区横向扩散金属氧化物半导体器件表面场效应减小半导体器件本实用新型导通电阻耐压性能横向扩散金属氧化物半导体掺杂类型间距设置最优化耗尽

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201810545876.2在审
发明人：游步东;喻慧;王猛;杜益成;彭川;宋洵奕 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器通过在漂移区下方形成设置与漂移区掺杂类型相反的减小表面场效应层来辅助耗尽漂移区，以提高半导体器件的耐压性能，且还使得所述减小表面场效应层与所述漂移区之间的第一间距设置得大于零，从而可以确保所述减小表面场效应层和漂移区之间具有一定的电子流经路径，以降低半导体器件的导通电阻。因此，依据本发明提供的横向扩散金属氧化物半导体器件的耐压性能和导通电阻性能均能得到最优化。
漂移区横向扩散金属氧化物半导体器件表面场效应减小半导体器件导通电阻耐压性能横向扩散金属氧化物半导体掺杂类型间距设置最优化耗尽制造

[发明专利]一种CSTBT的制造方法-CN201310745619.0无效
发明人：李泽宏;宋文龙;邹有彪;宋洵奕;吴明进;张金平;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种CSTBT的制造方法。本发明的CSTBT的制造方法的基本工艺先是在P+单晶硅片衬底上依次外延生长N型场截止区2、N-漂移区3；形成正面槽栅MOS工艺后，进行背面减薄；然后主要技术方案是通过硅片背面H+的选择性注入、低温退火，激活与氢相关的施主，形成位于Pbody基区底部的N型CS层。最后加以背面金属化等工艺，形成CSTBT的完整结构。本发明的有益效果为，降低了制造工艺难度，减少了制造成本。本发明尤其适用于CSTBT的制造方法。
一种 cstbt 制造方法

[发明专利]一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件-CN201310350487.1有效
发明人：任敏;宋洵奕;吴明进;杨文韬;单亚东;顾鸿鸣;宋文龙;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极导电材料接触，其余下表面和侧面部分与漂移区相接触形成肖特基结；体电极导电材料的侧面和底面与漂移区之间隔着一层介质层。本发明与具有相同尺寸的传统槽栅VDMOS器件相比可以在相同的击穿电压下，采用更高的漂移区掺杂浓度，因而导通电阻有明显的降低，同时二极管反向恢复特性有明显的改善。
一种集成肖特基二极管 vdmos 器件

[发明专利]一种浪涌保护电路及其制造方法-CN201310284263.5有效
发明人：李泽宏;邹有彪;刘建;宋文龙;宋洵奕;张金平;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管构成，主要是利用MOSFET的漏源电流来控制晶闸管的通断，从而泄放浪涌电流，并提出了制造该浪涌电路的方法。本发明的有益效果为，具有响应速度快（ns级）、承受电压电流冲击能力强的优点，并能同时实现双线双向浪涌保护，还可根据需要调节保护器件对浪涌电压的敏感度。本发明尤其适用于浪涌保护电路。
一种浪涌保护电路及其制造方法

[发明专利]具有肖特基接触终端的快恢复二极管-CN201310179865.4有效
发明人：李泽宏;杨文韬;宋洵奕;宋文龙;张金平;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中的可靠性。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
具有肖特基接触终端恢复二极管

[发明专利]推挽输出开关电源-CN201310262965.3有效
发明人：李泽宏;吴明进;刘广涛;宋洵奕;曾智;张仁辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H02M3/337 文献下载
摘要：本发明涉及开关电源技术。本发明公开了一种推挽输出开关电源，解决了工作在电压控制模式下的推挽输出开关电源磁通不平衡问题。本发明的推挽输出开关电源，包括脉宽调制控制单元、第一误差放大单元、第二误差放大单元、第一开关器件、第二开关器件、推挽输出变压器和均值求差单元。本发明通过控制第一开关器件和第二开关器件的导通时间，减小伏秒数较大的初级半绕组的导通时间，增大伏秒数较小的初级半绕组的导通时间，使两个初级半绕组的伏秒数相等，实现对磁通平衡的控制。本发明的开关电源工作在电压控制模式下，不需要斜率补偿，不引入额外功耗，电路工作稳定。推挽输出变压器两个初级半绕组电流均衡，推挽输出变压器磁通平衡。
输出开关电源

[发明专利]一种电流模式控制的开关电源-CN201310262642.4有效
发明人：李泽宏;吴明进;刘广涛;肖栩;宋洵奕;张仁辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明涉及开关电源技术。本发明公开了一种电流模式控制的开关电源。本发明的技术方案主要包括RS锁存器、比较器、误差放大单元，斜率补偿单元、功率器件、驱动单元和电感，所述RS锁存器S端连接PWM信号，Q端连接驱动单元，所述比较器输出端连接RS锁存器的R端，比较器输入端分别连接采样电压和斜率补偿单元输出的补偿电压Vcp，所述误差放大单元输入端分别连接参考电压和输出电压的分压，所述功率器件通过电感与电源电压连接，还包括第一补偿信号计算单元和第二补偿信号计算单元。本发明采用最小斜率补偿电路进行斜率补偿，不但使补偿最小，并且随电路参数的变化保持最小补偿，本发明非常适合用于电流模式控制的开关电源。
一种电流模式控制开关电源

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时过流保护电路-CN201310263167.2有效
发明人：李泽宏;吴明进;曾智;宋文龙;宋洵奕;刘广涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动控制技术，特别涉及IGBT并联输出动态延时过流保护电路。本发明针对现有技术IGBT并联使用时的过流保护问题，公开了一种IGBT并联输出动态延时过流保护电路，根据过流电流的大小动态调整延迟时间。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时过流保护电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、过流承受时间计算单元、固定关断时间控制单元、驱动单元和IGBT，每个模块的IGBT集电极通过负载与电源连接。本发明的过流保护抗干扰能力强，不会误关断，过流信号解除后，自动恢复正常工作，易于小型化和集成化。
绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时保护电路

[发明专利]一种结型场效应晶体管的制造方法-CN201310179905.5无效
发明人：李泽宏;宋文龙;邹有彪;宋洵奕;吴明进;张金平;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种结型场效应晶体管的制作方法，属于半导体器件领域。传统结型场效应晶体管的制作工艺中，栅源隔离氧化层由于作为扩散工艺的掩蔽层，制作过程中会在隔离氧化层里面引入许多杂质以及缺陷，会降低结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力。本发明提供的结型场效应晶体管的制造方法，在接触孔刻蚀之前，采用氢氟酸完全刻蚀掉原有的氧化层，然后重新生长氧化层，这样可以保证重新生成的更加致密、缺陷更少的高质量氧化层，从而提高所制造的结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力。此外，本发明无需增加掩膜版，而且只需要在刻蚀接触孔前用氢氟酸刻蚀正面全部氧化层、生长高质量新氧化层，简单易行，尽量降低了新增工艺步骤带来的附加成本。
一种场效应晶体管制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 18 条