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[发明专利]一种带反馈控制的CMOS输出驱动电路-CN201811573572.3有效
发明人：王帆;刘玉清;赵玉姣;麻军野;李建成;陈莉明;陈茂鑫;宋小敬;王佳;时飞;刘志刚 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种带反馈控制的CMOS输出驱动电路，包括CMOS驱动电路、反馈控制电路；反馈电路包含一个用于器件保护的处于常导通的MOS管、一个控制反馈回路开启或者关断的MOS管、一个辅助驱动MOS管、一个由电阻与辅助驱动MOS管栅电容构成的RC冲(放)电电路；本发明用于CMOS器件输出驱动电路中，其特点是通过反馈回路控制器件输出信号的斜率，在减小输出信号斜率的同时尽可能保证器件的传输延迟不受影响。
一种反馈控制 cmos 输出驱动电路

[发明专利]JESD204B控制器的FPGA验证方法-CN201811625181.1有效
发明人：陈茂鑫;李建成;边强;宋小敬;时飞;王佳;李俊泽;许凯亮;李全利;赵伟;查启超 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种JESD204B控制器验证方法，包括步骤：(1‑1)、建立从待验证JESD204B控制器发送端到基准接收模块的发送验证链路；(1‑2)、建立从基准发送模块到待验证JESD204B控制器接收端的接收验证链路；(1‑3)、进行链路层验证，验证待验证JESD204B控制器的链路码组同步、初始化通道对齐功能是否正确；(1‑4)、进行传输层验证，验证待验证JESD204B控制器链路配置数据是否与JESD204B协议一致、采样数据与帧数据的映射功能是否正确；(2‑1)、待逻辑功能仿真验证通过后，将待验证的JESD204B控制器发送端和接收端代码下载到发送验证系统对应的FPGA中，完成板级实测验证。本发明结合仿真和上板调试模拟JESD204B控制器应用条件，提高JESD204B控制器验证的完备性和准确性。
jesd204b 控制器 fpga 验证方法

[发明专利]一种基于随机二进制序列的静态随机存取存储器验证方法-CN202010507063.1有效
发明人：陈茂鑫;李建成;陆时进;王佳;宋小敬;李俊泽;许凯亮;董方磊;李阳;查启超 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C29/10 文献下载
摘要：一种基于随机二进制序列的静态随机存取存储器验证方法，首先计算SRAM存储器地址位宽和数据位宽等器件参数；然后产生SRAM存储器写操作地址；利用正随机二进制序列和反随机二进制序列对SRAM存储器进行验证，分析统计结果，完成SRAM存储器的功能测试。本发明使用随机二进制序列控制SRAM存储器的读写操作，模拟应用条件下的读取地址和数据，增强存储器测试验证与应用条件的契合度，同时可验证存储器在高速应用条件下的带宽能力，提高存储器功能验证的完备性。
一种基于随机二进制序列静态随机存取存储器验证方法

[发明专利]一种JESD204B协议高速发送器单粒子错误率的测试系统及方法-CN201811368413.X有效
发明人：李哲;郑宏超;边强;陈茂鑫;宋小敬;毕潇;杜守刚;于春青;赵旭;穆里隆;彭惠薪;徐雷霈;张栩燊;董方磊;武永俊 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：一种JESD204B协议高速发送器单粒子错误率的测试系统及方法，将高速发送器和可编程逻辑器件搭建成测试系统，可编程逻辑器件产生并行数据给高速发送器的并行端，同时配置高速发送器；高速发送器产生的串行数据发送给可编程逻辑器件并进行串并转换，然后可编程逻辑器件对低速的数据进行解析，检测高速发送器的单粒子错误率。本发明有效的提高了单粒子机时利用率，且数据链路完整，利用可编程逻辑器件将高速串行数据解串为低速的并行数据进行处理，而不是利用误码仪和高速示波器等昂贵的仪器进行监测，提升高速信号测试稳定性，并且降低了试验成本；按照不同错误类型自动分类进行统计，提高了测试效率。
一种 jesd204b 协议高速发送粒子错误率测试系统方法

[发明专利]一种CMOS工艺激光驱动电路-CN201811581648.7有效
发明人：边强;时飞;李全利;陈茂鑫;赵伟;宋小敬;王佳 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS工艺激光驱动电路，包括输入电流模逻辑(CML)电路、内嵌低电压差线性稳压器电路、负反馈钳位电路、共模反馈电路。该结构差分数字电压信号转化为开关电流信号，用于驱动激光二极管；同时接收外部设置的参考电流信号，采用负反馈的原理，调节外部输入的差分数字电压信号的电平，进而调节开关电流信号的大小，使之与参考电流信号成正比。本发明用于CMOS工艺的激光二极管驱动器电路中，其特点是通过电阻将输出电流和设置电流转化为电压形式，比较电压的大小，并通过共模反馈电路驱动输出电流管的输出电流，来达到设定的电流大小；在确保输出电流能力的同时，提高了CMOS工艺下激光驱动器的工作速率。
一种 cmos 工艺激光驱动电路

[实用新型]超级电容组电压均衡装置-CN200920218977.5有效
发明人：许家群;宋小敬 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H02J15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电压均衡装置，尤其是一种能均衡串联超级电容器组各单体之间电压的装置。本实用新型包括串联超级电容组、开关阵列、DC/DC变换器、均衡电容器、检测单元和控制单元。串联超级电容组、开关阵列、DC/DC变换器和均衡电容器依次连接，检测单元的输入端与串联超级电容组和均衡电容器相连接，输出端与控制单元相连接，控制单元的输出端与开关阵列和DC/DC变换器相连接，控制单元输出的控制信号来控制开关阵列和DC/DC变换器，最终实现超级电容组与均衡电容器之间的能量传递。本实用新型只需要一个DC/DC变换器，比DC/DC变换器法要少很多电感、开关管等功率器件，使得系统可靠性提高、能耗减小。
超级电容电压均衡装置

[发明专利]超级电容组电压均衡装置及其控制方法-CN200910250248.2无效
发明人：许家群;宋小敬 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H02J15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压均衡装置，尤其是一种能均衡串联超级电容器组各单体之间电压的装置及控制方法。本发明包括串联超级电容组、开关阵列、DC/DC变换器、均衡电容器、检测单元和控制单元。串联超级电容组、开关阵列、DC/DC变换器和均衡电容器依次连接，检测单元的输入端与串联超级电容组和均衡电容器相连接，输出端与控制单元相连接，控制单元的输出端与开关阵列和DC/DC变换器相连接，控制单元输出的控制信号来控制开关阵列和DC/DC变换器，最终实现超级电容组与均衡电容器之间的能量传递。本发明只需要一个DC/DC变换器，比DC/DC变换器法要少很多电感、开关管等功率器件，使得系统可靠性提高、能耗减小。
超级电容电压均衡装置及其控制方法

[实用新型]超级电容储能的直流变桨距系统-CN200920108068.6无效
发明人：许家群;于冬宁;宋小敬 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： F03D7/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种超级电容储能的直流变桨距系统，属于风力发电装置。该系统包括直流电机、电机驱动器、超级电容组和充放电控制器。电机驱动器包括前端处理装置和驱动桥。电机驱动器输入端接三相交流电源，前端处理装置输出端接至直流母线上。驱动桥输入端与直流母线相连，输出端与直流电机相连。充放电控制器的端口a与超级电容组连接；端口b经开关K1连接至直流母线上，端口b与直流电机输入端口通过开关K2、开关K3相连接；端口c通过开关K5与单相交流电源连接；端口d通过开关K4与三相交流电源连接。本实用新型使直流电机具备充放电控制器和驱动桥双重控制装置，且二者互为备用，不仅使电机的可控性更好，还提高了系统的可靠性。
超级电容流变系统

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