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[实用新型]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件-CN202320162866.7有效
发明人： 宋安英;张瑜洁 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，包括：外延层设于碳化硅衬底一侧面，外延层上设有轻掺杂区，轻掺杂区上设有源极区以及重掺杂区；U型栅氧层分别连轻掺杂区、接外延层以及轻掺杂区，U型栅氧层底部设有通孔；肖特基接触金属层设于通孔，肖特基接触金属层下侧面连接至外延层；隔离介质层设于U型栅氧层内，隔离介质层下侧面与肖特基接触金属层上侧面连接；多晶硅设于U型栅氧层，多晶硅层下侧面连接至隔离介质层的上侧面；源极金属层分别连接源极区、重掺杂区、轻掺杂区以及外延层；栅极金属层连接至多晶硅层；漏极金属层连接至碳化硅衬底的另一侧面；反向导通时，优先导通沟槽底部的肖特基二极管，防止器件性能退化。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]一种碳化硅沟槽刻蚀方法-CN202310081853.1在审
发明人： 宋安英;李佳帅;张瑜洁 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅沟槽刻蚀方法，通过在存在微沟槽的沟槽底部进行高浓度离子注入使注入区的SiC非晶化，进而使用湿法溶液将非晶层去除，通过去除沟槽底部的非晶层可以得到圆滑的SiC沟槽；避免了复杂且耗时耗力的干刻工艺参数调整优化，在保证侧壁角度的同时改善了微沟槽的问题，放宽了工艺窗口。
一种碳化硅沟槽刻蚀方法

[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件的制造方法-CN202310086952.9在审
发明人： 宋安英;张瑜洁 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底上形成外延层，在外延层上淀积阻挡层，蚀刻、离子注入，形成轻掺杂区、源极区以及重掺杂区；刻蚀外延层形成栅极区，氧化栅极区，形成栅氧层；光刻形成设定区域的光刻胶掩膜，湿法去除未被光刻胶覆盖区域的栅氧层，淀积形成肖特基接触金属，剥离得到肖特基接触界面；退火形成肖特基接触金属层；淀积形成介质层，光刻形成设定区域的光刻胶掩膜，去除未被光刻胶覆盖区域的介质层，形成隔离介质层；分别淀积形成多晶硅层、源极金属层、漏极金属层以及栅极金属层；可以防止发生双极退化效应导致的器件性能退化。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件制造方法

[发明专利]一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法-CN202310164981.2在审
发明人： 宋安英;李佳帅;张瑜洁 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法，包括：对SiC衬底进行标准清洗；在SiC衬底表面淀积掩膜层；在掩膜层上进行光刻形成设定图形的光刻胶；去除光刻胶未覆盖区域的掩膜层，将光刻版的图形转移到掩膜层上；去除光刻胶；对SiC衬底进行干法刻蚀，形成台面或沟槽，刻蚀后保留掩膜层；对SiC衬底上的台面或沟槽的侧壁进行离子注入，根据离子种类选择相应的注入剂量和注入能量，形成所需厚度的非晶层；湿法去除掩膜层；通过湿法腐蚀对非晶层进行腐蚀，形成光滑侧壁；最后对SiC衬底进行后处理清洗，简化了工艺流程，并且可以得到光滑的侧壁。
一种 sic 衬底光滑侧壁刻蚀方法

[实用新型]一种肖特基二极管-CN201921440143.9有效
发明人： 宋安英;张瑜洁;刘刚;单体伟;陈彤 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种肖特基二极管包括：一N+衬底和位于所述N+衬底之上的N‑外延层；一肖特基金属层单元，所述肖特基金属层单元覆盖于所述N‑外延层表面，所述肖特基金属层单元包括复数层肖特基金属层，且相邻两层的肖特基金属层的金属不同；一位于所述肖特基金属层单元之上的阳极金属；以及，一位于所述N+衬底另一表面的阴极金属；可以相对灵活地调整肖特基势垒，得到理想的正向压降和可接受的反向漏电流。
一种肖特基二极管

[实用新型]一种降低正向压降的肖特基二极管-CN201920949818.6有效
发明人：张瑜洁;刘刚;宋安英 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种降低正向压降的肖特基二极管，第一导电类型碳化硅漂移层一，位于第一导电类型碳化硅衬底的正面；一第一导电类型碳化硅漂移层二，位于第一导电类型碳化硅漂移层一上；第二导电类型的有源注入区以及第二导电类型JTE注入区设于第一导电类型碳化硅漂移层一以及第一导电类型碳化硅漂移层二上；一场氧层，位于第一导电类型碳化硅漂移层二上；一正面接触金属，正面接触金属设于第一导电类型碳化硅漂移层二的正面，且正面接触金属一侧面连接至场氧层一侧面；一背面接触金属，位于第一导电类型碳化硅衬底的背面；在降低正向压降的同时可以兼顾器件的反向漏电流。
一种降低正向肖特基二极管

[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法-CN201910814838.7在审
发明人： 宋安英;张瑜洁;刘刚;单体伟;陈彤 -专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基二极管包括：一N+衬底和位于所述N+衬底之上的N‑外延层；一肖特基金属层单元，所述肖特基金属层单元覆盖于所述N‑外延层表面，所述肖特基金属层单元包括复数层肖特基金属层，且相邻两层的肖特基金属层的金属不同；一位于所述肖特基金属层单元之上的阳极金属；以及，一位于所述N+衬底另一表面的阴极金属；本发明还提供一种肖特基二极管的制备方法，可以相对灵活地调整肖特基势垒，得到理想的正向压降和可接受的反向漏电流。
肖特基金属层衬底肖特基二极管反向漏电流外延层表面肖特基势垒单元覆盖阳极金属阴极金属正向压降复数层可接受外延层两层制备金属灵活

[发明专利]一种降低正向压降的肖特基二极管及制备方法-CN201910542608.X在审
发明人：张瑜洁;刘刚;宋安英 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低正向压降的肖特基二极管，第一导电类型碳化硅漂移层一，位于第一导电类型碳化硅衬底的正面；一第一导电类型碳化硅漂移层二，位于第一导电类型碳化硅漂移层一上；第二导电类型的有源注入区以及第二导电类型JTE注入区设于第一导电类型碳化硅漂移层一以及第一导电类型碳化硅漂移层二上；一场氧层，位于第一导电类型碳化硅漂移层二上；一正面接触金属，正面接触金属设于第一导电类型碳化硅漂移层二的正面，且正面接触金属一侧面连接至场氧层一侧面；一背面接触金属，位于第一导电类型碳化硅衬底的背面，本发明还提供一种降低正向压降的碳化硅肖特基二极管的制备方法；在降低正向压降的同时可以兼顾器件的反向漏电流。
第一导电类型碳化硅漂移层正向压降肖特基二极管接触金属导电类型场氧层注入区衬底制备反向漏电流背面接触侧面连接背面侧面金属

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