专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光刻方法及衬底结构-CN202310630861.7在审
  • 王虎;安海岩;段会强;胡维;高文丽 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-09-15 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种光刻方法及衬底结构,光刻方法包括:提供半导体基底;在半导体基底上形成抗反射层;在抗反射层上形成光刻胶图案层,光刻胶图案层具有多个第一开口;对抗反射层进行刻蚀,以在抗反射层上形成与第一开口一一对应连通的多个第二开口;其中,抗反射层与光刻胶图案层的刻蚀选择比大于预设值,预设值大于1;对半导体基底未被光刻胶图案层遮挡的部分进行刻蚀,以在半导体基底的上表层内形成光栅结构;其中,光栅结构具有与第二开口一一对应连通的多个透光狭缝。利用该光刻方法可有效提高光栅结构的占空比。
  • 光刻方法衬底结构
  • [发明专利]一种45度硅反射镜及其制作方法-CN202310649233.3在审
  • 王虎;段会强;李林;尚书丽;安海岩 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-08-29 - G02B5/08
  • 本发明提出了一种45度硅反射镜及其制作方法,包括如下操作步骤:步骤S1、采用(100)单晶硅片,在硅片正面沿(110)晶面方向定向刻蚀产生倾斜面以及沿(100)晶面方向定向刻蚀产生平行面,倾斜面与平行面之间的夹角为45°;步骤S2、将硅片的底面粗糙度等级抛光至镜面级,并保证该面与平行面保持平行;步骤S3、将硅片切割分离获得反射镜集合体;步骤S4、将反射镜集合体切割分离获得反射镜单体;步骤S5、将反射镜单体上的倾斜面作为贴装底面,以抛光后的硅片的底面作为反射镜面,即形成45°硅反射镜。本发明制作45度硅反射镜的制作工艺简单,成本低,且利于大批量推广使用。
  • 一种45反射及其制作方法
  • [发明专利]一种激光辅助加热退火的方法-CN201910085905.6有效
  • 安海岩;于海;王威;王虎 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2019-01-29 - 2023-07-25 - H01L21/324
  • 本发明提供了一种激光辅助加热退火的方法,包括:根据所述加热退火装置内的待退火材料,确定激光的特定波长,选择激光器;根据所述待退火材料、所述加热区面积,获得所述待退火材料的退火要求;根据所述退火要求、所述特定波长的激光光束,调整所述激光器与所述加热区的位置关系及光学镜组角度;根据所述退火要求,控制所述激光器发射所述特定波长的激光光束,所述激光光束通过所述光学镜组,使所述激光光束聚焦于所述加热区并达到所述退火要求。解决对微小区域面积的退火不能进行特定精细分区加热的技术问题。实现自由空间区域的精密选择,针对不同退火材料选择合适激光器,通过激光聚焦直接加热的方式在退火温度及退火速率提升的技术效果。
  • 一种激光辅助加热退火方法
  • [发明专利]石墨盘清洗装置-CN202111652045.3在审
  • 胡维;王虎;安海岩 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-07-11 - B08B7/00
  • 本发明涉及石墨盘清洗的技术领域,更具体地说,本发明涉及一种石墨盘清洗装置,所述石墨盘清洗装置包括:容纳部,所述容纳部设置有安装孔;放置部,设置在所述容纳部中,用于放置石墨盘;激光发射器,部分所述激光发射器穿设于所述安装孔。如此设置,通过激光对石墨盘表面的沉积物烧灼,利用振动效应使得沉积物脱离石墨盘,并利用烧灼效应使得沉积物熔化甚至气化,从而达到清除沉积物的效果的同时,不会损伤石墨盘,保证石墨盘表面的平整度和使用寿命。通过容纳部隔绝外界工作环境,避免激光发射器发射的激光对石墨盘表面的沉积物烧灼时,产生的烟雾散逸,影响外界工作环境。
  • 石墨清洗装置
  • [发明专利]解离钝化系统-CN202111668861.3在审
  • 徐豪;安海岩;王威;徐马记 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2021-12-31 - 2023-07-11 - C23C14/56
  • 本申请实施例公开了一种解离钝化系统,包括:解离腔室;解离组件,设置在解离腔室内,解离组件包括:第一夹刀、驱动件、第二夹刀、劈刀和工作台;其中,第一夹刀包括移动部和夹持部,移动部可移动地设置在工作台上,夹持部可转动地连接于移动部,夹持部用于夹持待解离样品;其中,驱动件连接于移动部;其中,第二夹刀连接于工作台,与第一夹刀间隔设置;其中,劈刀设置在第二夹刀背离于第一夹刀的一侧。本申请实施例只需要控制驱动件的驱动行程和劈刀的工作节拍即可实现自动化解离,整个待解离样品的解离过程中无人工干预,能够保证样品解离的精度,保证了产品的一致性,同时能够避免外部污染源与样品产生接触,进一步地提高了产品的质量。
  • 解离钝化系统
  • [发明专利]高真空设备用夹具及高真空设备用夹具设计方法-CN202111487349.9在审
  • 王威;安海岩 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2021-12-07 - 2023-06-09 - B65G47/90
  • 本发明提供了一种高真空设备用夹具及其设计方法,其中,该夹具包括:固定部;夹持部,与固定部相连接,可相对于固定部平动或转动;驱动部,驱动部的两端分别与固定部和夹持部相连接;温控部用于调节驱动部的温度;其中,在驱动部的温度由初始温度变化为目标温度的情况下,驱动部的长度由初始直线长度变化为目标直线长度,并驱动夹持部相对于固定部由初始直线位置平动至目标直线位置;或在驱动部的温度由初始温度变化为目标温度的情况下,驱动部的长度由初始弧向长度变化为目标弧向长度,并驱动夹持部相对于固定部由初始角度位置转动至目标角度位置。该夹具可以在保证运动控制精确性的同时,避免对高真空设备的气密性产生负面影响。
  • 真空备用夹具设计方法
  • [实用新型]一种石墨盘组件-CN202123357417.8有效
  • 邱旋;王虎;安海岩 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2021-12-29 - 2022-06-07 - C30B25/12
  • 本实用新型涉及半导体材料生长设备技术领域,具体涉及一种石墨盘组件。本申请提供的石墨盘组件包括第一石墨盘以及至少一个第二石墨盘,第二石墨盘设置在第一石墨盘上,第二石墨盘上开设有用于放置半导体材料的第一容置槽,第一容置槽为圆弧状,第一石墨盘可传递热量至第二石墨盘,以加热第一容置槽中的半导体材料。本申请提供的一种石墨盘组件,当把半导体材料放到容置槽中时,半导体材料的中间部分会悬空设置,在加热过程中,随着半导体材料由于热胀冷缩变形为微凹状时,会逐渐与第一容置槽的弧形面相贴合,从而使半导体材料各个部分的受热更加均匀,进而提高生长出来的外延片的各个区域的波长一致性。
  • 一种石墨组件
  • [实用新型]一种用于临时键合工艺的粘合剂保护装置-CN202123056605.7有效
  • 王虎;安海岩;陈洲峰 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2021-12-07 - 2022-04-26 - H01L21/67
  • 本实用新型公开了一种用于临时键合工艺的粘合剂保护装置,包括:同轴设置的上压环和下压环,下压环与上压环之间具有用于容置临时键合晶圆片的咬合空间,紧固部设在所述上压环与所述下压环之间,以使所述咬合空间的顶面与底面分别与临时键合晶圆片的顶面与底面贴合;本实用新型通过紧固部锁紧上压环与下压环,使所述咬合空间的顶面与底面分别与临时键合晶圆片的顶面与底面贴合,形成对临时键合晶圆片的外边沿密封,从而保证粘合剂与半导体制程中的化学药液处于物理隔离状态,保证粘合剂免受化学药液侵蚀;在半导体制程之后,再将临时键合晶圆片取下,既有效保证了临时键合工艺不受半导体制程影响,又保证了后续的湿法制程工序的稳定。
  • 一种用于临时工艺粘合剂保护装置
  • [实用新型]一种用于COS测试的夹具-CN202122906538.7有效
  • 王威;安海岩 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2021-11-23 - 2022-04-26 - G01R1/04
  • 本申请公开了一种用于COS测试的夹具。该夹具适应于固定COS中用于放置和连接芯片的辅助热沉,其中的第一接触件包括设置在其下端的第一接触脚以及第二接触脚,第一接触脚以及第二接触脚的底面为平面;第二接触件包括设置在其下端的第三接触脚以及第四接触脚,第三接触脚以及第四接触脚的底面为平面;散热板的顶面用于与辅助热沉的底面连接;压块的一端与第一接触件以及第二接触件的顶面连接,压块为绝缘材料;支撑块设置散热板的顶面上,压块的另一端可竖向移动地设置支撑块上。本申请能够提升芯片测试时的通电接触紧密度,提高测试的稳定性,并兼容光电性能测试、长期稳定性测试及使用寿命测试等测试设备的连接,具有很好的实用性和通用性。
  • 一种用于cos测试夹具
  • [发明专利]芯片腔面处理装置-CN202210149244.0在审
  • 王威;安海岩 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-03-18 - H01S5/028
  • 本申请实施例公开了一种芯片腔面处理装置,其中芯片腔面处理装置包括:处理单元,处理单元包括:第一箱体、离子束发生器、第一样品架,第一样品架设置在第一箱体内,离子束发生器连接于第一箱体,离子束发生器的输出端朝向第一样品架;镀膜单元,镀膜单元包括:第二箱体、加热器、第二样品架,第二箱体与第一箱体相邻设置,第二样品架设置在第二箱体内,加热器设置在第二箱体内,加热器用于加热镀膜材料以产生粒子束流;真空单元,连接于第一箱体和第二箱体,用于对第一箱体和第二箱体抽真空。通过该芯片腔面处理装置能够保证芯片的清洁效果,特别是能够提高芯片的腔面洁净度,利于提高芯片的质量。
  • 芯片处理装置
  • [发明专利]激光芯片老化测试系统及方法-CN202010805054.0在审
  • 安海岩;王威;徐豪 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2020-08-12 - 2022-02-22 - H01S5/00
  • 本发明提供了一种激光芯片老化测试系统及方法,该系统包括:老化测试模块,安装有多个待测试芯片;光纤传输模块,包括多根光纤,每根光纤对应于一个待测试芯片,每根光纤的第一端设置在相应待测试芯片的出光位置处以收集该待测试芯片发射的激光,第二端将激光输出;收光测试模块,用于采集及测试光纤传输模块输出的激光;控制与处理模块,与老化测试模块和收光测试模块连接,用于对收光测试模块输出的测量数据进行分析,得到待测试芯片的老化测试数据,以及根据老化测试数据,控制收光测试模块对光纤传输模块中各光纤输出激光的采集。这样就可以实现老化测试与光学测试在空间上的解耦,有效地简化了系统设计。
  • 激光芯片老化测试系统方法
  • [发明专利]一种光辅助图形转移方法-CN202010203035.0在审
  • 王虎;安海岩;胡维 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
  • 2020-03-20 - 2021-10-12 - H01L21/027
  • 本发明提供了一种光辅助图形转移方法,所述方法包括:在暗盒里注入电化学腐蚀溶液;将半导体基片置于所述电化学腐蚀溶液中;按照半导体器件图形控制光照分布,并对应照射在所述半导体基片上。解决了现有技术在进行图形转移时需要预先制备掩膜版,工序复杂,缺乏现场图形编辑功能,同时对于不规则图形、微纳结构实现难度大的技术问题。达到了不涉及制作掩膜版、涂胶、曝光、显影等复杂工序,简化了工艺流程,借助控制光照分布,具有灵活、准确、高效的特点,从而实现现场编辑的功能,同时可以灵活自由实现不规则图像,包括量子点、量子线等各种微纳结构的技术效果。
  • 一种辅助图形转移方法

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