“宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果37个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]用于修正硅环平面度和平行度的夹具-CN202320659565.5有效
发明人：姜永庆;刘博部;刘自柱;刘建兴;高兵兵;陈荣贵;向娟;王海 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于修正硅环平面度和平行度的夹具，包括底座、托板、下压组件和至少三个转动夹臂，底座的上方平行设置托板，下压组件的底端安装在底座上，每个转动夹臂以转动的方式安装在底座上，下压组件向底座下降过程中使每个转动夹臂的外端朝上转动后用转动调节件内扣将所需的硅环外边缘夹紧并固定在托板上以待修正，用多个转动调节件以面接触的方式夹紧在硅环外边缘、并结合托板接触硅环下端面的部分区域将硅环固定，避免了因使用吸盘吸附将翘曲的硅环变形便修理待修正硅环的平面度和平行度，以上夹紧过程中无需粘接石蜡，更不需要除去石蜡，也避免了对作业人员粘接石蜡技术水平的要求，从而提高了硅环修正过程中的加工效率。
用于修正平面平行夹具

[发明专利]晶硅提拉用增氧石英坩埚、其制备设备和方法-CN202210717949.8有效
发明人：王建军;李卫;李常国;何玉鹏;邓红 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶硅提拉用增氧石英坩埚，包括透明层和气泡层，透明层位于气泡层内侧，气泡层外侧设置多个相间的凸起部。在高温下拉制晶硅过程中，石英坩埚的凸起部与单晶炉内的石墨坩埚内壁相接触，当石英坩埚的温度达到1100‑1200°后，石英坩埚开始由脆性变为蠕变性状态，软化状态的石英坩埚受到逐渐熔化的多晶硅料的朝外挤压，同时软化状态的石英坩埚外侧的凸起与石墨坩埚接触，使石英坩埚的外表面逐渐贴合在石墨坩埚内表面，石英坩埚凸起部将促使石英坩埚内表面产生内凸起，内凸起将增大石英坩埚与溶硅的接触面，同时内凸起将增加溶硅对石英坩埚的冲刷，促进石英坩埚中氧元素分解至溶硅中，提升晶硅中的整体氧含量和尾部氧含量。
晶硅提拉用增氧石英坩埚制备设备方法

[发明专利]硅产品加工用切削液循环再利用方法及系统-CN202310891787.4在审
发明人：姜永庆;刘博部;刘自柱;马建仁;许小鹏 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：一种硅产品加工用切削液循环再利用方法，包括如下步骤：收集硅产品加工中产生的切削废液，并存储在废液收集池中；利用螺杆泵将废液收集池内的含有硅泥的切削废液输送到压滤机进行压滤以获得过滤液，利用浊度仪对汇流盒内的过滤液进行检测，当浊度大于1000g/L时，需要将过滤液排入到废液收集池重新进行压滤，当浊度小于1000g/L，则判定为清液，并输送至调配池；向调配池补充新的切削液和补充水以获得调配液：检测调配液的PH值、电导率、折光率、浊度，调配液的四项检测数据全部符合硅产品加工所需标准的调配液后，作为成品液送入至成品池以供集硅产品切削机床使用。本申请还提供一种硅产品加工用切削液循环再利用系统。
产品工用切削循环再利用方法系统

[发明专利]石英坩埚底部圆弧位置水平打孔装置及方法-CN202310835774.5在审
发明人：马万保;李长苏;李卫;陈荣贵;陈金莲;何玉鹏;王晓明;史海贝 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B28D1/14 文献下载
摘要：一种石英坩埚底部圆弧位置水平打孔装置，包括加工平台、双向对中机构、钻孔机构；加工平台的上表面开设有导向槽，加工平台的上表面固定设有支撑板；钻孔机构包括基座、纵向板、钻孔设备、安装板、定位杆；基座横向滑动设于支撑板上，纵向板垂直固定于基座上，安装板纵向滑动设于纵向板上；钻孔设备与安装板垂直，定位杆垂直固定于安装板的上端；双向对中机构包括动力组件、左夹板、右夹板；左夹板、右夹板位于加工平台上方且对称设于定位杆的两侧，左夹板、右夹板的下端穿过导向槽并与动力组件相连接。本发明既可保证石英坩埚打孔位置的准确性，避免空洞不圆，又可提高制造合格率及作业效率。还提供了一种石英坩埚底部圆弧位置水平打孔方法。
石英坩埚底部圆弧位置水平打孔装置方法

[发明专利]石英坩埚制作的脱模装置、脱模系统以及脱模方法-CN202310601783.8在审
发明人：王晓明;李卫;闫肃婷;史海贝;马万保 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种石英坩埚制作的脱模装置，包括支架、敲击组件、移动组件和夹持组件，支架上设置承载板，承载板靠近支架的底部，承载板用于放置模具，敲击组件设置在支架的一侧用于敲击放置在承载板上的模具使模具内的浮砂逐渐从模具口流出，移动组件设置在支架上，夹持组件设置在移动组件上，移动组件沿着支架移动过程中带动夹持组件移动后用于阻挡初步脱模时石英坩埚突然掉落、以及带动夹持组件在脱模中期夹持石英坩埚的前端将石英坩埚完全脱模。利用敲击组件敲打模具外壁使模具内的浮砂继续流出和夹持组件拖拽石英坩埚逐渐将石英坩埚从模具中脱离，减轻劳动强度的同时，提高了脱模的效率，降低了石英坩埚脱模过程中的损坏率。
石英坩埚制作脱模装置系统以及方法

[发明专利]快速找圆心的装置-CN202111599257.X有效
发明人：刘自柱;张晶 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B23Q3/18 文献下载
摘要：一种快速找圆心的装置，包括环形座、抱紧块、同步驱动机构，所述抱紧块设于环形座的上表面，所述抱紧块可沿环形座的径向直线往复滑动，所述抱紧块为数个，数个抱紧块沿环形座周向均布，所述抱紧块面对环形座圆心的一端为弧形端面，数个抱紧块的弧形端面的圆心共心，所述同步驱动机构固设于环形座，所述同步驱动机构可推动数个抱紧块沿环形座的径向移动相同的距离，采用本发明技术方案可以快速的找到一个圆形产品的旋转中心，不论熟练工人还是不熟练的工人，都可以在30秒内找到一个产品的圆心，大大的降低了加工过程中找圆心所花费的时间，可以有效的提高生产进度。
快速圆心装置

[发明专利]机床主轴锥孔清理装置-CN202310286966.5在审
发明人：姜永庆;陈荣贵;刘博部;刘自柱;刘斌;马建兵;向娟;王海 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种机床主轴锥孔清理装置，包括把手、电动机、开关、转轴和刷体，把手内安装电动机，电动机的转子和转轴相互固定套接，刷体安装在转轴上，开关和电动机电性相连用于接通电动机和电源、或断开电动机和电源的连接，把手内还安装有储液罐，储液罐位于电动机的下方用于盛放清洗液，转轴为中空管，转轴穿过电动机伸入储液罐内，转轴的顶端从刷体中伸出，转轴的顶端弯曲设置，电动机转动带动转轴和刷体一起转动，转轴在转动过程中将储液罐内的清洗液喷洒至主轴锥孔内，转动的刷体将清洗液涂抹在主轴锥孔后持续转动，使硅泥得以软化并同时转动刷体清除主轴锥孔内的硅泥，提升清理效率的同时并达到彻底清除的目的。
机床主轴清理装置

[发明专利]石英坩埚均匀壁厚的熔制方法-CN202310003840.2在审
发明人：何玉鹏;李卫;陈荣贵;马万保;熊欢;王建军 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：一种石英坩埚均匀壁厚的熔制方法，将石英砂倒入石墨模具内，所述石墨模具包括旋转轴线，所述石墨模具可绕旋转轴线转动，将石英砂成型到转动的石墨模具的内壁，形成预制石英坩埚，将与水平面垂直的线设定为参考线，设置参考线与旋转轴线之间的角度为8‑15°，在石墨模具绕旋转轴线转动的同时，同步加热预制石英坩埚，使得预制石英坩埚融化成石英坩埚，通过设置参考线与旋转轴线之间的角度为8‑15°，改变石英砂离心力状态；当石墨模具旋转至最低点是，离心力向下，当石墨模具旋转至最高点时候，由于重力和离心力相互抵消，会减少石英砂的移动，进而解决了R部气泡的堆积和尺寸偏厚的问题。
石英坩埚均匀方法

[实用新型]硅圆酸洗工装-CN202223295245.0有效
发明人：张晓明;吴彦飞;李玲玲;丁亚国;王彦娟;童宇涛;顾燕滨 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅圆酸洗工装，包括框体和至少一组支撑组件，框体包括前侧壁、左侧壁、后侧壁和右侧壁，每一组支撑组件包括四个支撑件，每一个支撑件的一端设置在前侧壁上，每一个支撑件的另一端设置在后侧壁上，每两个支撑件位于同一高度，下层的两个支撑件之间的距离小于相邻上层的两个支撑件的距离，相邻两层的四个支撑件的端面中心点连线形成等腰梯形，每个支撑件上设置多个夹持槽。对不同规格的硅圆同时清洗时，尺寸较小的硅圆放置在下层的两个支撑件上；尺寸较大的硅圆放置在上层的两个支撑件上；尺寸适中的硅圆由四个夹持槽同时夹持固定，使不同规格的硅圆放置在硅圆酸洗工装内同时进行清洗，提高硅圆酸洗工装对不同规格硅圆的兼容性。
酸洗工装

[发明专利]能够提高机械测试精确度的100晶向晶棒的取样方法-CN202211707287.2在审
发明人：何玉乐;梁万亮;马国忠;丁亚国;顾燕滨;河野贵之;马建仁;白海玲 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够提高机械测试精确度的100晶向晶棒的取样方法，先根据100晶向晶棒的四条棱线在周侧进行标记直线，对应在晶棒的端面连接相邻的棱线端点形成矩形框，接着切割预设厚度的晶片，在晶片的表面画出一个样本矩形框，该样本矩形框的一条边平行于参考矩形框的一条边，用数控机床沿着标注线切割加工获得样片，该样片的六个面均为100晶向的长方形样品，因样品六个面的晶向均为100晶向，这种同一种晶向的硅原子排列的周期性和疏密程度相同，从而使得样品的物理、化学特性相同，进而在测试时主受力面是100晶向，主受力面的的晶向是一致的，因此测试所得的数值也相近，使得进行测试分析单晶硅片的机械性能所获得的数值更为准确。
能够提高机械测试精确度 100 取样方法

[发明专利]一种硅质保温桶及加工方法-CN202211701324.9在审
发明人：高胜贤;张晓明;马建仁;李玲玲;王彦娟;丁亚国;许小鹏;顾燕滨 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： F27D5/00 文献下载
摘要：一种硅质保温桶，包括：桶体，呈圆柱状，内腔中空，无底；桶体的上表面中心设置连接台；所述连接台和桶体一体成型；连接台沿轴向开设通孔，所述通孔与桶体的内腔连通；桶体的上表面绕圆周方向对称设置两个横向定位孔；桶体的上表面绕圆周方向对称设置四个纵向定位孔；桶体的侧壁对称设置四个散热孔；桶体的侧壁底端沿内沿圆周开设环状卡槽；桶体的侧壁底端沿外沿对称开设两个V型槽；一种硅质保温桶的加工方法，包括：S1、受入毛坯晶棒，依次进行截断、滚圆和圆磨，获得待加工晶棒；S2、将待加工晶棒的下表面粘接在石英方板上，并装夹至加工机床的工作台面上，获得已装夹晶棒；S3、将已装夹晶棒进行加工，获得成品硅质保温桶。
一种质保加工方法

[发明专利]用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备及方法-CN202211634944.5在审
发明人：吴彦飞;张晓明;李玲玲;丁亚国;顾彦滨;王浩;马全森 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备，其包括滚筒，滚筒设置固定同一硅产品的固定槽倾斜设置，滚筒内安装硅产品后浸入酸液中对硅环等硅产品进行刻蚀，使设置在硅产品高深宽比的小孔孔径延伸方向和酸液液面形成一定的倾斜角度，使酸液能够浸入倾斜小孔内，小孔表壁的硅与刻蚀液发生反应之后生成气体，气体在刻蚀液中形成气泡，气泡在浮力作用下沿着小孔壁向上溢出，同时会补充新的酸液进入小孔的底部进行反应，可以使小孔底部与小孔顶部保持相同的反应速率，进而保持底部刻蚀的直径与顶部的刻蚀直径大体相同，完成刻蚀后的小孔底部的直径与顶部直径保持原有的尺寸比例。本申请还提供一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀方法。
用于具有高深小孔产品刻蚀设备方法

[发明专利]石英坩埚壁厚全方位测量装置-CN202310003855.9在审
发明人：王晓明;何玉鹏;马万保;王建军;闫素婷 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：该发明提供一种石英坩埚壁厚全方位测量装置，包括支撑平台、旋转平台和测量机构，旋转平台平行设置在支撑平台的上端面上，用于承载石英坩埚并带动石英坩埚圆周旋转，测量机构设置在支撑平台上，对旋转的石英坩埚壁厚进行环向测量，测量机构包括内部测距部和外部测距部，内部测距部和外部测距部分别可活动的设置在旋转平台上承载的石英坩埚的内侧和外侧，所述内部测距部和外部测距部相正对设置，且分别与石英坩埚的内表面和外表面相垂直，并可向石英坩埚的侧壁、弧壁和底壁位置进行同步移动，可以快速测量出石英坩埚的侧壁、弧壁和底壁的壁厚的最大值、最小值和平均值，测量精度高，速度快，而且数据全面，可对后期分析坩埚数据提供支撑力。
石英坩埚全方位测量装置

[发明专利]硅质瓦片舟的加工方法-CN202211690208.1在审
发明人：高胜贤;马建仁;李玲玲;张晓明;王彦娟;丁亚国;许小鹏;顾燕滨 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅质瓦片舟的加工方法，涉及硅舟制备方法技术领域，将毛坯料截断，并将毛坯料平磨，得到外观尺寸合格的待加工胚料，再将待加工胚料粘接在石英板上，将粘接好毛坯料的石英板装夹至机床工作台面，得到已装夹胚料，在已装夹胚料上设置加工坐标系，以坐标系为基准对已装夹胚料进行粗加工及精加工，得到待检测硅舟瓦片舟，将待检测硅舟瓦片舟进行检测，若检测不合格继续进行精加工，若检测合格得到成品硅舟瓦片舟，以此工艺制得的硅舟瓦片舟时间适中，且合格率高。
瓦片加工方法

[发明专利]硅环表面打孔方法-CN202211726192.5在审
发明人：马建仁;刘建新;李玲玲;丁亚国;顾燕滨;王浩 -专利权人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅环表面打孔方法，采用第一钻头对硅环的打孔位置加工预设深度及宽度的凹坑，完成全部的凹坑加工后，利用第二钻头在每一个凹坑上进行打孔，并在第二钻头打孔的过程中间歇性打孔，即每次完成预设的打孔深度后将第二钻头抬起进行冷却和冲洗后再次进行打孔，直至打穿该位置后接着对下一个凹坑进行打孔加工，由于第一钻头的直径略宽于第二钻头，所以加工的凹坑的宽度大于第二钻头的直径，以使第二钻头便于进入凹坑再次加工后能够起到定位的目的，同时也便于第二钻头在加工过程中将加工所产生的碎屑和硅泥从上述凹坑排出，防止第二钻头加工过程中出现撞刀的现象，再确保硅环正常加工的同时，延长第二钻头的使用寿命，进而节约加工成本。
表面打孔方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 37 条