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[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310601633.7在审
发明人：王玉强;王建平;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，钙钛矿太阳能电池包括从下到上依次叠加的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、钝化层、空穴传输层、金属电极，所述钝化层为由钙钛矿纳米线形成的稀疏网格状结构。钙钛矿太阳能电池制备方法包括：在导电基底上制备电子传输层；在电子传输层上制备钙钛矿层；制备钙钛矿纳米线；在钙钛矿层上，采用钙钛矿纳米线形成稀疏网格状结构的钝化层；在钝化层上制备空穴传输层；在空穴传输层上制备金属电极。本发明的电池功率转换效率高，电池制备方法简单，成本低。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种全钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310527051.9在审
发明人：王玉强;王建平;田沛冬;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种全钙钛矿太阳能电池及其制备方法，全钙钛矿太阳能电池包括从下到上依次叠加的导电基底、多孔阳极氧化铝模板、p型掺杂的钙钛矿层、金属电极，所述多孔阳极氧化铝模板每个孔内填充有n型掺杂的钙钛矿纳米柱，制备方法包括如下步骤：S1、对预清洗的导电基底进行表面修饰并退火；S2、将多孔阳极氧化铝模板转移到退火后的导电基底上；S3、使用多孔阳极氧化铝模板在退火后的导电基底上制备n型掺杂的钙钛矿纳米柱；S4、除去多孔阳极氧化铝模板顶部多余的n型掺杂的钙钛矿；S5、在包含钙钛矿纳米柱的多孔阳极氧化铝模板上制备p型掺杂的钙钛矿层；S6、在钙钛矿层上制备金属电极。本发明光吸收效率和能力更高。
一种全钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种背接触钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202310001535.X在审
发明人：王建平;王玉强;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括：S1、制作一表面具有若干周期性排列的纳米凸出结构的模板备用；S2、在导电衬底上制备电子传输层；S3、在电子传输层上旋涂一层低黏度的光刻胶；S4、将所述模板的纳米凸出结构与光刻胶接触，使得光刻胶填充模板中凹凸不平的结构；S5、采用紫外曝光固化光刻胶；S6、将所述模板从光刻胶上脱离；S7、刻蚀残留的光刻胶；S8、依次制备绝缘层和金属电极、空穴传输层；S9、在丙酮溶液中超声去除光刻胶及光刻胶上面的材料；S10、旋涂法沉积钙钛矿层；S11、制备保护层。本发明成本低。
一种接触钙钛矿太阳能电池制备方法

[实用新型]一种反式纳米线钙钛矿太阳能电池-CN202220119859.4有效
发明人：王建平;王玉强;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反式纳米线钙钛矿太阳能电池，包括从下到上依次叠加的透明导电玻璃基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和金属电极，所述空穴传输层设有周期性排列的纳米线结构，所述纳米线直径为30nm‑60nm，高度为10‑15倍直径，所述钙钛矿层随空穴传输层呈周期性排列，所述电子传输层随钙钛矿层呈周期性排列。本实用新型将钙钛矿太阳能电池与纳米线结合，既能提高钙钛矿电池的吸收率，又能增加载流子的获取，从而提高钙钛矿太阳能电池效率。
一种反式纳米线钙钛矿太阳能电池

[实用新型]一种双色光电探测器-CN202220087508.X有效
发明人：王玉强;王建平;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双色光电探测器，包括可吸收可见光的钙钛矿层、可吸收红外光的无机半导体层、电子(空穴)传输层和上下电极层。本实用新型提出的双色探测器，通过外部电调制，不仅可以实现对可见光和红外光的探测，而且可以对可见光和红外光进行识别。
一种色光探测器

[实用新型]一种多结叠层太阳电池-CN202123202597.2有效
发明人：彭学圆;王新昊;夏祥慧;王舒正;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多结叠层太阳电池，包括多结太阳电池和铺设于太阳电池上方的下转换部分。本实用新型通过波长定向调控的下转换部分将高能量光子转化为可被部分子电池吸收的低能量光子，提高该子电池电流，实现各子电池之间的电流匹配，提高了太阳电池效率。
一种多结叠层太阳电池

[实用新型]一种中间带太阳电池-CN202220091806.6有效
发明人：夏祥慧;王新昊;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中间带太阳电池，包括从下到上依次叠加的下电极、半导体基底、绝缘层和若干包裹有上电极的半导体纳米柱，所述绝缘层内设有若干呈周期性排列的孔洞，每一所述半导体纳米柱都穿过所述绝缘层的一个孔洞与所述半导体基底接触，所述半导体纳米柱包括从内到外依次包裹的n型半导体核层、量子点层、p型半导体层和窗口接触层，所述量子点层包括若干个从内到外重复包裹的量子点‑双阱结构层。本实用新型的太阳电池效率更高。
一种中间太阳电池

[实用新型]一种基于半导体纳米孔结构的量子点中间带太阳能电池-CN202023027996.5有效
发明人：张同康;季莲;王玉强;王建平 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于半导体纳米孔结构的量子点中间带太阳能电池，包括若干呈周期性排列的半导体纳米孔结构，所述纳米孔半导体结构为中间设有纳米孔的半导体块，所述纳米孔的直径为180nm～380nm，深度为1～1.5倍直径，所述纳米孔表面上设有若干层介质层，所述介质层由量子点和在量子点外侧的间隔层构成，或由量子点、在量子点外侧缓冲层和在缓冲层上的间隔层构成。本实用新型将量子点中间带太阳能电池与半导体纳米孔结构结合，既能增加太阳能电池表面的吸收率，又能拓宽太阳能电池的吸收光谱，从而提高太阳能电池的光电转化效率。
一种基于半导体纳米结构量子中间太阳能电池

[实用新型]磁吸式PSPC阻燃硅胶布-CN201921545772.8有效
发明人：季莲 -专利权人：上海孛宇船舶工程有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： B05D3/00 文献下载
摘要：本实用新型属于阻燃布技术领域，尤其为一种磁吸式PSPC阻燃硅胶布，针对现有对油漆涂层保护依靠施工人员使用胶带将阻燃硅胶布粘贴在钢板上完成，导致增加胶带使用量的问题，现提出如下方案，其包括磁吸式PSPC阻燃硅胶布本体，磁吸式PSPC阻燃硅胶布本体包括阻燃硅胶布和八块强力磁铁，强力磁铁通过缝纫固定连接在阻燃硅胶布上，强力磁铁通过磁力吸附在阻燃硅胶布上，阻燃硅胶布包裹在强力磁铁的外侧并通过缝纫方式固定连接。本实用新型设计合理，通过强力磁铁与钢板进行吸附固定，操作人员只需阻燃硅胶布按照结构外形进行折约，并将边缘强力磁铁吸附在钢板上进行固定，铺设效率高并且节约人力。
磁吸式 pspc 阻燃硅胶

[实用新型]一种光伏纳米柱结构及基于该结构的太阳能电池-CN201921751172.7有效
发明人：王雪融;何璐;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏纳米柱结构及基于该结构的太阳能电池，其中，该纳米柱结构为直径沿竖直方向呈周期性变化的不规则柱体，所述不规则柱体沿中心轴对称，水平方向的横截面始终保持为圆形，所述不规则柱体的最大直径与最小直径的差值为80nm～120nm。本实用新型光吸收能力更强，光转换效率更高。
一种纳米结构基于太阳能电池

[发明专利]一种光伏纳米柱结构及基于该结构的太阳能电池-CN201910992094.8在审
发明人：季莲;王雪融 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏纳米柱结构及基于该结构的太阳能电池，其中，该纳米柱结构为直径沿竖直方向呈周期性变化的不规则柱体，所述不规则柱体沿中心轴对称，水平方向的横截面始终保持为圆形，所述不规则柱体的最大直径与最小直径的差值为80nm～120nm。本发明光吸收能力更强，光转换效率更高。
不规则柱体纳米柱结构光吸收能力中心轴对称周期性变化太阳能电池光转换光伏竖直

[发明专利]一种太阳能电池组件-CN201711026349.2有效
发明人：季莲;丁超;周剑秋;陆书龙;叶赛 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池组件，包括太阳能电池和位于太阳能电池背光面下方的上转换模块，所述上转换模块包括从下到上依次叠加的底电极、下接触层、子电池组、发光二极管、上接触层和顶电极，所述底电极和顶电极通过导线连接，所述上转换模块的顶电极透光，所述太阳能电池透光，所述太阳能电池的带隙高于子电池组的带隙，所述发光二极管的带隙高于或等于太阳能电池的带隙。本发明通过背光面的上转换模块将低能量光子转化为高能量光子，提高了太阳能电池效率。
一种太阳能电池组件

[实用新型]一种用于生长半导体材料的衬底结构-CN201820613411.1有效
发明人：文振阳;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生长半导体材料的衬底结构，包括由下至上依次叠加的第一二维材料层、第二二维材料层、第三二维材料层和第四二维材料层。所述第一二维材料层、第三二维材料层为同一种材料形成。所述第二二维材料层、第四二维材料层为同一种材料形成，且与第一二维材料层、第三二维材料层材料不同。本实用新型可降低对半导体材料与衬底晶格匹配度的要求，且衬底可以多次循环利用，降低生产成本。
二维材料生长半导体材料本实用新型材料形成衬底结构半导体材料衬底晶格多次循环依次叠加匹配度衬底

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201810058543.7在审
发明人：季莲;叶赛;周剑秋;丁超 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括：(1)提供一衬底；(2)在衬底上添加一层二维材料层；(3)在二维材料层上沉积缓冲层；(4)在缓冲层上沉积半导体器件结构；(5)在半导体器件结构上沉积金属Ni层；(6)用热释放胶带将二维材料以上的结构从二维材料层上取下，包括缓冲层、半导体器件结构和金属Ni层；(7)在缓冲层下表面蒸镀背电极；(8)通过加热取下热释放胶带；(9)用腐蚀的方法去除金属Ni层；(10)在半导体器件结构上表面蒸镀正面电极。本发明工艺简单，且衬底可以多次循环利用，降低太阳电池等半导体器件的生产成本。
半导体器件结构二维材料缓冲层半导体器件衬底热释放胶带取下蒸镀沉积制备金属沉积金属多次循环正面电极背电极上表面下表面去除加热生产成本腐蚀

[发明专利]三结太阳能电池及其制备方法-CN201510669722.0有效
发明人：代盼;陆书龙;吴渊渊;谭明;季莲;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种三结太阳能电池，包括Si子电池、以及在Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池。本发明还公开了三结太阳能电池的制备方法，包括：制备Si子电池；在Si子电池上依次叠层制备过渡层组、第一隧道结以及AlGaAs子电池；在AlGaAs子电池上依次叠层制备第二隧道结以及AlGaInP子电池。根据本发明的三结太阳能电池能够有效拓宽Si子电池的光谱覆盖范围，提高电池的开路电压，从而提高电池效率；同时，本发明的三结太阳能电池通过激活硅衬底形成Si子电池，以硅片为衬底，利用了其成本低、机械强度高和有利于大面积集成等优点，也为大规模制造提供了可能。
子电池三结太阳能电池制备隧道结叠层过渡层大规模制造电池效率开路电压硅衬底衬底硅片光谱电池激活覆盖

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