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[发明专利]具有包括不同材料层的公共源线的存储器件-CN202010991841.9在审
发明人：金光洙;张在薰;孙炳根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。
具有包括不同材料公共存储器件

[发明专利]具有包括不同材料层的公共源线的存储器件-CN201710195350.1有效
发明人：金光洙;张在薰;孙炳根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种存储器件包括：栅结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个沟道区，穿过栅结构并且沿与衬底的上表面垂直的方向延伸；源极区，设置在衬底上沿第一方向延伸，并且包括杂质；以及公共源线，沿与衬底的上表面垂直的方向延伸，与源极区相连，并且包括含不同材料的多层。
具有包括不同材料公共存储器件

[发明专利]擦除和刷新非易失性存储器件的方法-CN201610603127.1有效
发明人：韩真晚;沈善一;金汉洙;张在薰;孙炳根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：提供一种擦除非易失性存储器件的至少一个被选子块的方法，该方法包括：允许至少一个串选择线中的每一个浮置，所述非易失性存储器件包括所述至少一个串选择线，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括衬底和多个存储块，所述多个存储块中的每一个包括沿着与所述衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个连接至至少一个字线，所述多个存储块中的每一个还包括连接至所述至少一个串选择线的至少一个串选择晶体管、连接至至少一个地选择线的至少一个地选择晶体管、以及连接至至少一个伪字线并将所述存储单元分隔成多个子块的至少一个分隔物；将第一电压施加到所述至少一个被选子块的至少一个字线。
擦除刷新非易失性存储器方法

[发明专利]三维半导体器件-CN201110347712.7无效
发明人：李昌炫;孙炳根;朴赞真;赵慧珍;张盛壹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体存储器件包括：在下结构上的上结构，该上结构包括导电图案；半导体图案，穿过上结构连接到下结构；以及绝缘间隔物，在半导体图案与上结构之间，绝缘间隔物的底表面位于等于或高于下结构的最高表面的竖直水平面。
三维半导体器件

[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统-CN201110039569.5有效
发明人：韩真晚;沈善一;金汉洙;张在薰;孙炳根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明是一种非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统。提供一种操作非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括衬底和存储块，所述存储块具有沿着与衬底相交的方向堆叠的多个存储单元。所述方法包括：从被选存储块的子块当中的被选子块读取数据；以及响应于对被选子块的读取，选择性地刷新被选存储块的每个子块，其中，所述被选存储块的每个子块被单独擦除。
非易失性存储器操作方法以及包括存储系统

[发明专利]包括三维存储单元阵列的半导体存储器件-CN201010264991.6有效
发明人： 孙炳根;金汉洙;安永洙;金敏求;金镇瑚;崔在亨;崔锡宪;沈载株;赵源锡;沈善一;林周永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条伸长的字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜并且在衬底上延伸的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。
包括三维存储单元阵列半导体器件

[发明专利]添加米粉和大麦粉的面包的制作方法-CN200910143396.4有效
发明人：李明九;孙炳根;李钟敏 -专利权人：株式会社巴黎克鲁瓦桑
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： A21D13/04 文献下载
摘要：提供添加米粉和大麦粉的面包制作方法，包括：汤种熟化工序，具有水/盐加热阶段、添加谷粉及糊化搅拌阶段以及低温熟化阶段；面团调配工序，在面团中加入小麦粉、干酵母、精白糖、精制盐、全脂奶粉、改良剂、加工奶油、牛奶、全鸡蛋及水，并混合及搅拌；分割成形工序，将面团分割为规定大小并成形；快速冷冻工序，将分割的面团在-35～-40℃下快速冷冻40分钟；冷冻储藏工序，将冷冻的面团塑料包装，在-18℃以下储藏；低温解冻工序，将经冷冻储藏的面团在4～6℃下解冻16个小时；常温解冻工序，将经低温解冻的面团在23～26℃下解冻2个小时；面团发酵工序，将经常温解冻的面团并排放到面包烤盘后，在36℃至38℃、湿度为75％～85％的条件下发酵50～60分钟。
添加米粉麦粉面包制作方法

[发明专利]添加米粉和大麦粉的面包的制作方法-CN200910143397.9有效
发明人：李明九;孙炳根;李钟敏 -专利权人：株式会社巴黎克鲁瓦桑
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： A21D13/04 文献下载
摘要：提供添加米粉和大麦粉的面包制作方法，包括：汤种熟化工序，具有水/盐加热阶段、添加谷粉及糊化搅拌阶段以及低温熟化阶段；面团调配工序，在通过所述汤种熟化工序形成的面团中加入小麦粉、干酵母、精白糖、精制盐、全脂奶粉、改良剂、加工奶油、牛奶、全鸡蛋及水，并混合及搅拌；分割成形工序，将通过所述面团调配工序形成的面团分割为规定大小并成形；面团发酵工序，将通过所述分割成形工序分割的面团并排放到面包烤盘后，在36℃至38℃、湿度为75％～85％的条件下发酵50～60分钟。
添加米粉麦粉面包制作方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201010175237.5无效
发明人：金基玄;金汉洙;赵源锡;金镇瑚;张在焄;孙炳根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括交替地层叠在衬底上的绝缘图案和栅图案；在衬底上沿绝缘图案和栅图案的侧壁向上延伸的有源图案；插置在栅图案和有源图案之间的数据存储图案；以及设置于在彼此相邻的一对栅图案之间的有源图案中的源/漏区。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]主食面包的制造方法-CN200810211659.6无效
发明人：李明九;孙炳根;李钟敏 -专利权人：株式会社巴黎克鲁瓦桑
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： A21D13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种主食面包的制造方法，其特征在于，包括以下过程：在将牛奶和盐加热后，添加小麦粉并使其糊化，然后将其进行低温熟化而形成汤种的汤种制造过程；通过混合小麦粉、干酵母、酵母食品、改良剂、盐及水并揉和使之发酵，从而形成中种的中种制造过程；将所述汤种和中种与小麦粉、盐、奶油、干酵母、奶粉、砂糖及水一起混合并揉和的混合揉和过程；将所述面团按规定的大小进行分割的分割过程；在将上述分割后的面团制成圆形后，使其熟化规定时间的休止过程；按照容器成形所述面团的成形过程；将所述面团装入容器中并使其发酵的发酵过程；以及对所述发酵后的面团进行加热的烘烤过程。
主食面包制造方法

[发明专利]主食面包的制造方法-CN200810211658.1无效
发明人：李明九;孙炳根;李钟敏 -专利权人：株式会社巴黎克鲁瓦桑
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： A21D13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种主食面包的制造方法，其特征在于，包括以下过程：在将牛奶和盐加热后，添加小麦粉并使其糊化，然后将其进行低温熟化而形成汤种的汤种制造过程；将所述汤种与小麦粉、干酵母、精白糖、精盐、全脂奶粉、改良剂、加工奶油、牛奶、鸡蛋及水一起混合并揉和的混合揉和过程；按规定的大小分割所述面团并使其急速冷冻的急速冷冻过程；使所述急速冷冻后的面团解冻的解冻过程；将所述解冻后的面团装入容器中并使其发酵的发酵过程；以及对所述发酵后的成形物进行加热的烘烤过程。
主食面包制造方法

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