专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种使多晶硅中磷元素均匀分布的装置-CN201911383665.4有效
  • 李鹏廷;胡志强;王子龙;谭毅;姜大川 - 大连理工大学
  • 2019-12-27 - 2021-04-13 - C30B28/06
  • 本发明公开了一种使多晶硅中磷元素均匀分布的装置,属于多晶硅制备领域。本发明涉及的装置具有纵截面为矩形的炉壳,炉壳内设有纵截面为“凹”字型的保温层,保温层与炉壳不接触,保温层内部设有纵截面为“U”字型的石墨坩埚,石墨坩埚内装有硅溶液,石墨坩埚与保温层不接触,石墨坩埚底部外侧通过穿过保温层的坩埚推进支座与炉壳底部内壁相连,保温层顶面内侧设有数个石墨加热体。本发明涉及的装置通过改变施加热场控制固液界面的形貌,从而控制同一水平面上不同位置的凝固顺序,使边缘部分较之中间部分更早凝固,弥补同一水平面上,对流所导致的边缘区域磷元素含量较高的问题,使磷在水平截面上的均匀分布。
  • 一种多晶硅中磷元素均匀分布装置
  • [发明专利]一种温度梯度分离硅中硬质夹杂的方法-CN201711410226.9有效
  • 石爽;张磊;李鹏廷;姜大川;谭毅 - 青岛蓝光晶科新材料有限公司
  • 2017-12-23 - 2021-02-09 - C01B33/037
  • 本发明涉及电子束熔炼技术领域,特别涉及一种温度梯度分离硅中硬质夹杂的方法。本发明利用电子束特征热场实现SiC、Si3N4等硬质夹杂的分离:结合碳、氮在硅中的溶解性质、硅熔体自身的性质以及电子束熔炼温度梯度大的特性,构建电子束特征热场,基于硅中碳、氮元素的迁移‑析出‑沉积原理,实现SiC、Si3N4等硬质夹杂的聚集和高效分离;选用多晶硅铸锭/提纯过程产生的顶皮料作为原料,通过熔化‑溶解(高温区)‑析出(低温区)‑沉积实现了硬质夹杂的去除,去除硬质夹杂的效果显著,工业化应用前景广阔;该方法制得的产品硬质夹杂去除效果好,且具有成本低、提纯效率高等特点。
  • 一种温度梯度分离硬质夹杂方法
  • [发明专利]一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置-CN201910304735.6有效
  • 姜大川;王唯一;李鹏廷;石爽 - 大连理工大学
  • 2019-04-16 - 2020-11-06 - C01B33/037
  • 本发明公开了一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置,本发明在电子束熔炼硅材料的过程中,通过改变电子束的熔炼模式可以使硅熔体表面出现波动,进而提高蒸发表面积,增加熔体界面的蒸发表面积,提高单位时间内的杂质的蒸发量,通过在熔炼坩埚底部放置石墨衬底,改变硅熔体底部的温度分布,从而促进熔炼坩埚底部硅熔体的流动,使得硅熔体内部产生对流,从而加速底部的硅熔体与顶部的硅熔体之间的熔体交换。本发明通过改变电子束的熔炼模式和实验装置从而增加熔体的蒸发表面积,提高杂质在单位时间内的蒸发量,解决硅熔体在对挥发性杂质除杂过程中杂质蒸发量少、熔炼时间长、硅材料损失量大、成本高的问题。
  • 一种电子束熔炼过程提高挥发性杂质方法装置

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