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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]超级结布局结构-CN201510350031.4有效
发明人：马荣耀;可瑞思;姜元祺 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明主要是关于金属氧化物半导体场效应晶体管器件，更确切地说，是涉及到一种用于超级结型的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的终端区结构，在终端区的拐角区域中布置有第二导电类型的柱状立柱阵列，在终端区的与其拐角区域相衔接的第一、第二周边区域和在有源区中均布置有第二导电类型的条状立柱，使拐角区域中第一导电类型掺杂物的电荷与第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。
导电类型拐角区域终端区金属氧化物半导体场效应晶体管器件电荷掺杂物超级结立柱第一导电类型布局结构周边区域源区柱状衔接平衡

[发明专利]一种多栅指AlGaN/GaNHETM小信号模型及其提参方法-CN201610824514.8在审
发明人： 姜元祺 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种多栅指AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法，所述多栅指AlGaN/GaN HETM小信号模型包括寄生部分和本征部分；所述寄生部分包括适于表征多个栅指交叉及与旁侧源漏电极之间相互作用产生的栅指电容 Cpgi、Cpdi、Cgdi。本发明针对高功率大电流的多栅指大尺寸器件，增设了栅指电容 Cpgi、Cpdi、Cgdi，来表征由于多个栅指交叉及与旁侧源漏电极之间的作用而产生额外的寄生电容效应，可以更精准的反映大尺寸器件特性，提高器件模型准确率。
一种多栅指 algan ganhetm 信号模型及其方法

[发明专利]超级结布局结构-CN201510340179.X有效
发明人：马荣耀;可瑞思;姜元祺 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明主要是关于金属氧化物半导体场效应晶体管器件，更确切地说，是涉及到一种用于超级结型的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的终端区结构，在终端区的拐角区域中布置有第二导电类型的柱状立柱阵列，在终端区的与其拐角区域相衔接的第一、第二周边区域和在有源区中均布置有第二导电类型的条状立柱，使拐角区域中第一导电类型掺杂物的电荷与第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。
超级布局结构

[发明专利]一种混合型高压增强型器件结构及其封装件-CN201610458471.6在审
发明人： 姜元祺 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L25/11 文献下载
摘要：本发明提供一种混合型高压增强型器件结构及其封装件，所述混合型高压增强型器件结构包括低压增强型晶体管及高压耗尽型晶体管，所述低压增强型晶体管的源端与所述高压耗尽型晶体管的栅端共同连接于源极输出端；所述低压增强型晶体管的栅端连接于栅极输出端；所述高压耗尽型晶体管的漏端连接于漏极输出端；所述高压耗尽型晶体管的源端与所述低压增强型晶体管的漏端相连。本发明用于解决现有技术中传统的工艺很难获得高可靠性的高压增强型晶体管且制作工艺要求高的问题。
一种混合高压增强器件结构及其封装

[实用新型]超级结布局结构-CN201520423601.3有效
发明人：马荣耀;可瑞思;姜元祺 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型主要是关于金属氧化物半导体场效应晶体管器件，更确切地说，是涉及到一种超级结布局结构，用于超级结型的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的终端区结构，在终端区的拐角区域中布置有第二导电类型的柱状立柱阵列，在终端区的与其拐角区域相衔接的第一、第二周边区域和在有源区中均布置有第二导电类型的条状立柱，使拐角区域中第一导电类型掺杂物的电荷与第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。
超级布局结构

[实用新型]超级结布局结构-CN201520423566.5有效
发明人：马荣耀;可瑞思;姜元祺 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型主要是关于金属氧化物半导体场效应晶体管器件，更确切地说，是涉及到一种超级结布局结构，用于超级结型的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的终端区结构，在终端区的拐角区域中布置有第二导电类型的柱状立柱阵列，在终端区的与其拐角区域相衔接的第一、第二周边区域和在有源区中均布置有第二导电类型的条状立柱，使拐角区域中第一导电类型掺杂物的电荷与第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。
超级布局结构

[发明专利]AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法-CN201510381906.7在审
发明人： 姜元祺;袁理 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法，小信号模型包括：寄生部分和本征部分；所述本征部分包括本征电容Cgd、Cgs及Cds、栅源泄漏电阻Rgsf、栅漏泄漏电阻Rgdf、沟道电阻Ri、源漏电阻Rds及跨导Gm；本发明在已有AlGaN/GaN HEMT 小信号模型的基础之上，增设适于表征栅漏间漏电的栅漏泄漏电阻Rgsf和适于表征栅源间漏电的栅源泄漏电阻Rgdf，由于器件在正常工作状态下，栅下及栅两侧均有不可避免的泄漏电流，因此，加入这两个元件后，可以更精准的反映器件特性，提高器件模型准确率。
algan gan hetm 信号模型及其方法

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