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[发明专利]一种半导体薄膜晶体管的制造方法及显示面板-CN201810694014.6在审
发明人：张锡明;姜信铨;黄彦余 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体薄膜晶体管的制造方法及显示面板，所述方法包括提供基板。形成半导体图案于基板上。形成第一绝缘层于基板上，并覆盖半导体图案。形成第一金属层于第一绝缘层上，且第一绝缘层位于半导体图案与第一金属层之间。形成半色调光刻胶图案于第一金属层上。半色调光刻胶图案暴露部分第一金属层。移除半色调光刻胶图案暴露的部分第一金属层，以形成栅极。栅极覆盖部分半导体图案。以及，形成源极以及漏极于半导体图案上。
半导体图案第一金属层绝缘层光刻胶图案半色调基板半导体薄膜晶体管显示面板暴露覆盖漏极移除源极制造

[发明专利]衬底的处理方法-CN201711134321.0在审
发明人：张锡明;姜信铨;黄彦余 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底的处理方法，其使用衬底处理设备处理所述衬底，所述衬底处理设备包括反应腔室以及围绕所述反应腔室的辅助腔室，其中所述衬底的处理方法包括：将所述衬底置于所述反应腔室内；进行提升所述反应腔室及所述辅助腔室内的压力的工艺，以使所述辅助腔室内的压力介于一大气压与所述反应腔室内的压力之间；提高所述反应腔室内的温度；以及使衬底于所述反应腔室内经受所述超临界流体处理。
衬底室内反应腔反应腔室衬底处理设备辅助腔超临界流体处理辅助腔室

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201610014908.7在审
发明人：吴德峻;姜信铨;陈玉仙;陈伯龙;林苡娴;杨承融;曾国兴 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤。于基板上依序形成栅极、第一绝缘层、半导体层以及第一光阻图案。以第一光阻图案为罩幕，将半导体层图案化成通道层，并随后缩小第一光阻图案而在通道层上留下第一光阻图案的一保留部分。形成导电材料层以覆盖保留部分、通道层以及第一绝缘层。以第二光阻图案为罩幕，图案化导电材料层以形成源极和漏极。执行剥除步骤来移除第二光阻图案和第一光阻图案的保留部分，以暴露源极和漏极之间的通道层。因此，薄膜晶体管中的通道层不会被用来形成源极和漏极的图案化步骤损害，可以用来制造具有理想元件特性的薄膜晶体管。
薄膜晶体管制造方法

[实用新型]薄膜晶体管及显示面板-CN201620579256.7有效
发明人：曹文光;吴德峻;黄彦余;姜信铨;陈玉仙 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜晶体管及显示面板。薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、第一、二半导体图案、源极、第二绝缘层与漏极。第一绝缘层覆盖栅极。第一半导体图案位在第一绝缘层上。第二半导体图案位在第一半导体图案上。源极覆盖第二半导体图案。源极位在第一半导体图案上的边缘与第二半导体图案位在第一半导体图案上的边缘切齐。源极与第二半导体图案暴露同一部分的第一半导体图案。第二绝缘层覆盖源极及第一、二半导体图案，且具有暴露所述部分的第一半导体图案的开口。漏极填入所述开口，以和第一半导体图案电连接。本实用新型的薄膜晶体管的电性佳。本实用新型的显示面板包括上述薄膜晶体管。
薄膜晶体管显示面板

[发明专利]双薄膜晶体管及其制造方法-CN201410733657.9在审
发明人： 姜信铨;吕雅茹;陈玉仙;黄彦馀 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种双薄膜电晶体管及其制造方法，该双薄膜晶体管包含第一半导体层、栅极、第二半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极。第一半导体层设置于基材上。栅极设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于栅极上，第一半导体层及第二半导体层为同一导电型。第一绝缘层设置于第一半导体层与栅极之间。第二绝缘层设置于栅极与第二半导体层之间。第一源极及第一漏极设置于基材与第二绝缘层之间，第一半导体层接触第一源极的一部分及第一漏极的一部分。第二源极及第二漏极设置于第二绝缘层上，第二半导体层接触第二源极的一部分及第二漏极的一部分。本发明还公开了该双薄膜电晶体管的制造方法。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201410655794.5在审
发明人： 姜信铨;刘恩池;陈玉仙;吕雅茹;黄彦余 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，其包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极与漏极。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层位于栅绝缘层上且配置在栅极上方。源极与漏极配置在栅绝缘层上且分别与半导体层电性连接。源极与漏极分别位于不同的膜层。源极与半导体层之间具有第一接触阻抗，漏极与半导体层之间具有第二接触阻抗，且第一接触阻抗小于第二接触阻抗。
薄膜晶体管

[实用新型]一种顶闸极型晶体管数组基板-CN201120249000.7有效
发明人：郑晃忠;黄昱智;杨柏宇;姜信铨;李怀安 -专利权人：深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种顶闸极型晶体管数组基板，包括一透明基板、一离子释出层、一像素数组与一第一绝缘层。透明基板具有一平面，而离子释出层设置于透明基板上，并全面性地覆盖平面。像素数组设置于离子释出层上，并包括多个晶体管与多个像素电极。各个晶体管包括一源极、一汲极、一闸极与一金氧半导体层。汲极、源极与金氧半导体层皆设置于离子释出层上，而这些像素电极分别电性连接这些汲极。闸极设置于金氧半导体层的上方，而第一绝缘层设置于这些金氧半导体层与这些闸极之间。金氧半导体层接触离子释出层。离子释出层能释出多个离子至金氧半导体层。本实用新型能避免金氧半导体层的电阻值发生改变，进而提升液晶显示器的可靠性。
一种顶闸极型晶体管数组

[发明专利]薄膜晶体管的制作方法-CN201110051214.8有效
发明人： 姜信铨;赖宥豪;李怀安 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制作方法。于一基材上形成一栅极、一源极以及一漏极。于基材上形成一栅绝缘层，以覆盖栅极并隔绝栅极与源极以及栅极与漏极。于栅绝缘层上形成一具有绝缘特性的金属氧化物材料层。于基材上形成一含氢的氮化硅层，以覆盖源极、漏极以及具有绝缘特性的金属氧化物材料层。形成含氢的氮化硅层的方法包括进行一沉积程序，且于结束沉积程序之前，于沉积程序中通入一硅烷气体以使具有绝缘特性的金属氧化物材料层转换成一具有半导体特性的金属氧化物材料层。
薄膜晶体管制作方法

[发明专利]薄膜晶体管的制作方法-CN201110066417.4无效
发明人： 姜信铨;赖宥豪;李怀安 -专利权人：福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-03-19 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，此制作方法包括：提供一基板、形成一闸极电极、形成一闸极介电层、形成一图案化氧化物半导体层、形成一源极电极与汲极电极以及进行一局部雷射处理。局部雷射处理是利用一激光束照射部分的图案化氧化物半导体层，以使得被激光束照射的图案化氧化物半导体层的电阻率小于未被激光束照射的图案化氧化物半导体层的电阻率。本发明利用局部雷射处理，选择性地降低部分区域的图案化氧化物半导体层的电阻率，进而达到降低氧化物半导体层与源极电极/汲极电极之间的接触阻抗且提升氧化物薄膜晶体管组件效能的目的。
薄膜晶体管制作方法

[发明专利]图案化的方法以及用于图案化的堆叠结构-CN200910139945.0有效
发明人：赖识翔;苏国辉;王敏吉;梁硕玮;姜信铨 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化的方法以及用于图案化的堆叠结构。图案化的方法包括在基板上提供待图案化的薄膜，接着，在薄膜上形成覆盖层。覆盖层的材料与薄膜的材料相异。之后，以高能光束熔损覆盖层与薄膜，以形成图案化的覆盖层与图案化的薄膜。其后，选择性移除图案化的覆盖层。
图案方法以及用于堆叠结构

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN200810136065.3有效
发明人：罗方祯;梁硕玮;姜信铨;陈兆南;余锦智 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法。首先，在基板上形成栅极。然后，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。接着，在栅绝缘层上形成金属氧化物材料层。而后，在金属氧化物材料层上形成光致抗蚀剂层，其中栅极上方的光致抗蚀剂层的厚度大于栅极两侧上方的光致抗蚀剂层的厚度。随后，以光致抗蚀剂层为掩模，移除部份金属氧化物材料层，以形成金属氧化物有源层。然后，移除栅极两侧上方的光致抗蚀剂层，使留下来的光致抗蚀剂层覆盖部分金属氧化物有源层。而后，在覆盖有光致抗蚀剂层的金属氧化物有源层上形成源极与漏极。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其有源层的制作方法与液晶显示器-CN200610143544.9有效
发明人：郑翔远;姜信铨;赖识翔;余锦智;庄博全 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管的有源层的制作方法，包括先提供一个基板，再使用溶液工艺制备一种半导体前驱物溶液，接着提供上述半导体前驱物溶液到基板上，以形成一层半导体前驱物薄膜。然后，利用一道光源照射半导体前驱物薄膜，以移除半导体前驱物薄膜内残留的溶剂及使其产生半导体特性而形成一层半导体有源层。
薄膜晶体管及其有源制作方法液晶显示器

[发明专利]半导体元件的金属层直接图案化制作方法-CN200610001276.7有效
发明人：萧名男;姜信铨;庄博全 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种于半导体元件中的金属层直接图案化的制作方法，是用于解决以全面基板沉积薄膜、黄光光刻(Photolithography)技术制作晶体管结构时造成的材料耗费与时程，其主要步骤包括催化反应层(种晶层)材料的图案化定义、以及选择性薄膜沉积(成长)，其中更使用直接图案化种晶技术与化学镀浴沉积技术，提供一非真空、选择性沉积的薄膜成长制程，可应用半导体元件中的导线、电极，或于大面积晶体管数组或大面积功能性(如反射层)薄膜的沉积、制造。
半导体元件金属直接图案制作方法

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