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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有触发元件的存储单元-CN200710187393.1无效
发明人：托马斯·哈普;托马斯·尼尔希;扬·鲍里斯·菲利普 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种存储装置，包括多条成行延伸的字线和多条成列延伸的位线。存储单元耦合在字线和位线之间，其中存储单元包括经由触发元件有选择地耦合至位线的单极存储元件。
具有触发元件存储单元

[发明专利]柱形相变存储单元-CN200710301553.0无效
发明人：托马斯·哈普;扬·鲍里斯·菲利普 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种柱形相变存储单元，该柱形相变存储单元包括第一电极、存储位置、和第二电极。存储位置包括相变材料并且接触第一电极。存储位置具有第一截面宽度。
形相存储单元

[发明专利]多比特电阻式存储器-CN200710195210.0无效
发明人：托马斯·尼尔希 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-12-04 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种存储器包括第一多比特电阻式存储单元和单比特电阻式存储单元。单比特电阻式存储单元用于存储表示是否反转存储在第一多比特电阻式存储单元中的数据的比特。
比特电阻存储器

[发明专利]对共用总线进行控制的方法和设备-CN200710302331.0无效
发明人：罗姆－申·卡奥;吴忠勋 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于控制共用总线的方法和设备。在易失性存储装置和两个或两个以上非易失性存储器控制器之间经由易失性存储器的非易失性存储器接口来共用上述共用总线。在一个实施例中，一种方法包括：接收来自两个或两个以上非易失性存储器控制器中的第一非易失性存储器控制器的关于对共用总线的控制的请求。响应于接收该请求，如果两个或两个以上非易失性存储器控制器中的每个的优先级表示应准许进行控制，则准许第一非易失性存储器控制器对共用总线进行控制。当准许第一非易失性存储器控制器进行控制时，第一非易失性存储器控制器是两个或两个以上非易失性存储器控制器中经由共用总线执行数据存取操作的唯一非易失性存储器控制器。
共用总线进行控制方法设备

[发明专利]堆叠式半导体元件-CN200710302258.7无效
发明人：阿卡尔古德·西塔尔安 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-12-24 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：使用第一工艺技术形成第一半导体芯片。在第一半导体芯片中形成多个通孔，以及使第一半导体芯片变薄，以使每个通孔都从芯片的上表面延伸至下表面。使用不同于第一工艺技术的第二工艺技术形成第二半导体芯片。第二半导体芯片在一个表面上具有多个触点。邻近于第二半导体芯片安装第一半导体芯片以使多个通孔中的一些电连接至多个触点中相关联的一些。
堆叠半导体元件

[发明专利]具有侧壁接触的相变存储器-CN200710187990.4无效
发明人：马克·卡莫赖;托马斯·尼尔希 -专利权人： 奇梦达北美公司;国际商业机器公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种具有侧壁接触的相变存储器包括第一电极和形成开口的第二电极。通过第一侧壁、第二侧壁、和在第一侧壁与第二侧壁之间延伸的表面限定开口。存储单元包括相变材料，该相变材料与第一电极、第一侧壁、和第二侧壁相接触。存储单元包括使相变材料与在第一侧壁和第二侧壁之间延伸的表面电隔离的隔离材料。
具有侧壁接触相变存储器

[发明专利]自旋玻璃存储单元-CN200710194780.8无效
发明人：扬·鲍里斯·菲利普 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储单元，其包括第一电极、第二电极、和自旋玻璃材料。自旋玻璃材料连接在第一电极和第二电极之间。
自旋玻璃存储单元

[发明专利]电压调整器-CN200710194783.1无效
发明人：本·海尔曼 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G05F1/63 文献下载
摘要：通过以下步骤对电压调整器进行操作：确定由电压调整器输出的电压是否处于期望的操作区域之内，以及当由电压调整器输出的电压处于期望的操作区域之外时调节与电压调整器有关的反馈电阻。
电压调整器

[发明专利]限制功率消耗的存储器-CN200710194782.7无效
发明人：托马斯·尼尔希;扬·鲍里斯·菲利普 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一个实施例提供了一种包括多个电阻式存储单元、脉冲发生器、及电路的存储器。多个电阻式存储单元中的每一个均可被编程为至少两种状态中的每一种。脉冲发生器提供写入脉冲以对电阻式存储单元进行编程。电路接收第一电流，以及对第一电流进行限制并以第二电流的形式向脉冲发生器提供所存储的电荷来对多个电阻式存储单元进行编程。
限制功率消耗存储器

[发明专利]包括刷新操作的电阻式存储器-CN200710187514.2有效
发明人：托马斯·哈普;扬·鲍里斯·菲利普 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种存储装置包括电阻式存储单元阵列、具有基于温度的增量步长的计数器和用于响应于计数器超过预置值来刷新存储单元的电路。
包括刷新操作电阻存储器

[发明专利]包括双极晶体管存取装置的电阻式存储器-CN200710187511.9有效
发明人：克劳斯·奥芬格;托马斯·哈普;托马斯·尼尔希 -专利权人： 奇梦达北美公司;因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种存储器，包括第一双极晶体管、第一位线、和连接在第一双极晶体管的集电极和第一位线之间的第一电阻式存储元件。存储器包括第二位线、连接在第一双极晶体管的发射极和第二位线之间的第二电阻式存储元件、以及连接至第一双极晶体管的基极的字线。
包括双极晶体管存取装置电阻存储器

[发明专利]包括选择性刷新操作的电阻式存储器-CN200710166498.9无效
发明人：托马斯·哈普;扬·鲍里斯·菲利普 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种存储器包括相变存储单元阵列和第一电路。该第一电路是用于响应于刷新操作请求来刷新相变存储单元阵列中的仅被编程为非晶态的存储单元。
包括选择性刷新操作电阻存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710187992.3无效
发明人： S·戈文达拉詹 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：披露了半导体器件及其制造方法。优选的实施例包括形成材料层的方法。该方法包括形成第一材料的至少一个第一层，以及在第一材料的至少一个第一层之上形成第二材料的至少一个第二层。第一材料包括Hf、Zr或La的氧化物或硅酸盐。第二材料包括Hf、Zr或La的氮氧化硅。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]检测系统和方法-CN200710165588.6无效
发明人：弗朗西斯·古德温 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本申请公开了检测系统和方法。优选的实施例包括检测系统，检测系统包括用于光罩的支撑件和包括透镜系统的显微镜。透镜系统包括至少一个透镜，至少一个透镜包括至少一个菲涅耳元件，其中，至少一个菲涅耳元件是非圆形的。
检测系统方法

[发明专利]包括深度休眠模式的存储器-CN200710166461.6无效
发明人：玛格丽特·克拉克·弗里伯恩 -专利权人： 奇梦达北美公司
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器，包括用于接收输入信号的输入点和第一电路。第一电路用于响应于输入信号来接收第一信号，并接收第二信号，以及响应于指示进入深度休眠模式请求的第一信号和第二信号中的至少一个来提供第三信号。该存储器包括第二电路，用于响应于第三信号，提供用于指示进入深度休眠模式的第四信号。
包括深度休眠模式存储器

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