“大黑达也”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置-CN202210728746.9在审
发明人： 大黑达也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高雪崩耐量的半导体装置，具备：基板，具有导电性，且具有第二厚度；第一芯片，包含与基板对置的第一面和位于第一面的相反侧的第二面，在第一面配置有与基板电连接的第一电极，在第二面配置有第二电极；第二芯片，包含与第二面对置的第三面和位于第三面的相反侧的第四面，在第三面配置有第三电极，在第四面配置有第四电极；第一连接器，配置于第二电极与第三电极之间，且与第二电极以及第三电极电连接；以及第二连接器，与基板以及第四电极电连接，且包含位于第二芯片的上方的第一部分，第一部分的第一厚度与第二厚度之差为第一厚度以及第二厚度中较大一方的20％以下。
半导体装置

[发明专利]绝缘器件以及隔离器-CN202210048286.5在审
发明人： 大黑达也;大塚贤一;大塚真理;石黑阳;山田雅基 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：实施方式涉及绝缘器件以及隔离器。实施方式的绝缘器件具备：第一电感器，包含设置于第一平面内的第一线圈层；第二电感器，设置于所述第一平面内，包含中心轴位于所述第一线圈层的内侧的第二线圈层，并与所述第一电感器分离；以及绝缘层，设置于所述第一电感器与所述第二电感器之间。
绝缘器件以及隔离器

[发明专利]绝缘器件-CN202210522350.9在审
发明人：菊地拓雄;伊藤和幸;阿久津敏;牧野伸显;大黑达也;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01B17/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高可靠性的绝缘器件。绝缘器件具备第一电极、第二电极、以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘膜。所述绝缘膜具有正的带电区域。所述正的带电区域在所述绝缘膜中配置于从所述第一电极朝向所述第二电极的方向上的一部分。
绝缘器件

[发明专利]绝缘元件-CN202210522361.7在审
发明人：阿久津敏;伊藤和幸;菊地拓雄;牧野伸显;大黑达也;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制第一线圈和第二线圈之间的层间绝缘膜中的雪崩击穿的绝缘元件。绝缘元件具备：第一线圈；第二线圈；以及设于所述第一线圈与所述第二线圈之间的层间绝缘膜。所述层间绝缘膜具有第一层、第二层、以及设于所述第一层与所述第二层之间的第三层。所述第一层设于所述第一线圈与所述第三层之间，所述第二层设于所述第二线圈与所述第三层之间，所述第三层的带隙比所述第一层的带隙以及所述第二层的带隙窄。
绝缘元件

[发明专利]隔离器-CN202110878852.0在审
发明人： 大黑达也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：实施方式的隔离器具有下部电极、第一绝缘层、第二绝缘层、上部电极和低介电常数部。所述第一绝缘层设置于所述下部电极上，在上部具有突部。所述第二绝缘层设置于所述突部上，从所述突部的正上方区域向侧方延伸。所述第二绝缘层的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数高。所述上部电极与所述第二绝缘层的上表面接触。所述低介电常数部与所述突部的侧面以及所述第二绝缘层的下表面接触。所述低介电常数部的相对介电常数比所述第一绝缘层的相对介电常数低。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202210802501.6在审
发明人：藤庆彦;根贺亮平;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202010798584.7有效
发明人：藤庆彦;根贺亮平;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
隔离器

[发明专利]半导体装置-CN202110010580.2在审
发明人： 大黑达也;小岛秀春 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够在连接多个芯片的同时降低俯视时的面积的半导体装置。半导体装置具备：第一芯片，在第一面设有第一电极以及第二电极，在位于所述第一面的相反侧的第二面设有第三电极；第二芯片，在第三面设有第四电极以及第五电极，在位于所述第三面的相反侧的第四面设有第六电极，所述第二芯片以所述第三面与所述第一面对置的方式配置；第一连接器，配置于所述第一电极与所述第四电极之间，并与所述第一电极以及所述第四电极连接；以及第二连接器，配置于所述第二电极与所述第五电极之间，并与所述第二电极以及所述第五电极连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110022129.2在审
发明人：松下宪一;大黑达也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供一种可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体部分、终端绝缘膜、第一保护膜、第二电极、终端电极、第一绝缘膜、以及第二保护膜。所述半导体部分设于所述第一电极上。所述终端绝缘膜设于所述半导体部分上。所述第一保护膜设于所述终端绝缘膜上，包含硅以及氮。所述第二电极设于单元区域的所述半导体部分上。所述终端电极设于所述第一保护膜上，并与所述半导体部分连接。所述第一绝缘膜设于所述第一保护膜上，并配置于所述第二电极与所述终端电极之间。所述第一绝缘膜的上部配置于所述第二电极以及所述终端电极之上。所述第二保护膜覆盖所述第一绝缘膜上，包含硅以及氮。
半导体装置

[发明专利]隔离器-CN202010894429.5在审
发明人：根贺亮平;藤庆彦;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：实施方式的隔离器具备：基板；第一平面线圈，在所述基板的上方沿着所述基板的表面设置；第一绝缘部，设置于所述第一平面线圈上；第二平面线圈，设置于所述第一绝缘部之上；及金属层，设置于所述第一绝缘部的上方。所述第一平面线圈、所述第二线圈及所述金属层在与所述基板的所述表面垂直的第一方向上并排配置。在沿着所述基板的所述表面的第二方向上，从所述第一平面线圈的中心线到外周的距离比从所述第二平面线圈的中心到外周的距离短。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202010855087.6在审
发明人： 大黑达也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高特性的隔离器。实施方式的隔离器具备第一电极、第二电极以及第一绝缘部。所述第二电极设置于所述第一电极之上，与所述第一电极电分离。所述第一绝缘部包括设置于所述第一电极与所述第二电极之间的空隙。
隔离器

[发明专利]数字隔离器-CN202010074517.0在审
发明人： 大黑达也;织田达广;大塚贤一 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高可靠性的数字隔离器，具有第一金属部、第一绝缘部、第二金属部、第三金属部及第一层。所述第一绝缘部设于所述第一金属部之上。所述第二金属部设于所述第一绝缘部之上。所述第三金属部具有第一部分、第二部分、以及第三部分。所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的方向上设于所述第一金属部的周围。所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上。所述第三部分设于所述第二部分之上，并在所述垂直的方向上设于所述第二金属部的周围。所述第一层设于所述第二部分的底部的周围，并与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接。所述第一层含有钛、或含有硅以及碳。
数字隔离器

[发明专利]半导体装置-CN201910593769.1在审
发明人： 大黑达也;西胁达也;小岛秀春;高田贤治;相田喜久夫;一关健太郎;大麻浩平;佐藤慎吾 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有第1面和第2面的半导体基板；设置于半导体基板内并具有设置于第1面的栅极绝缘膜的半导体元件；设置于第1面之上的第1电极；设置于第1电极之上、包含第1金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm－3])/(第1金属材料的密度[g·cm－3])以上的第2电极；设置于第2电极之上的第1焊料部；设置于第1焊料部之上的第3电极；设置于第1面之上的第4电极；设置于第4电极之上、包含第2金属材料、膜厚为(65[g·μm·cm－3])/(第2金属材料的密度[g·cm－3])以上的第5电极；设置于第5电极之上的第2焊料部；以及设置于第2焊料部之上的第6电极。
半导体装置

[发明专利]TCP通信方法-CN201080005683.X有效
发明人：立石靖;大黑达也;西部保则;土生津隆 -专利权人：株式会社明电舍
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H04L12/947 文献下载
摘要：一种TCP通信方案，它保证在直到终端附近的通信路径的安全通信，并且消除来自黑客等的直接攻击。将终端(A)和终端(B)连接到中继装置(X)和中继装置(Y)，其中，终端(A)和终端(B)是定位在TCP通信连接的两个端部处的端点终端。中继装置(X、Y)各自连接到网络(NET)。中继装置(X和Y)被设置成在终端(A和B)之间，该终端(A和B)已经执行常规TCP通信，并且中继装置(X和Y)中的任一个都没有IP地址。中继装置(X和Y)接管在终端(A)与终端(B)之间的TCP连接，将连接划分成三个TCP连接，及建立TCP通信。
tcp 通信方案

[发明专利]应变和压力检测器件、话筒、制造应变和压力检测器件的方法以及制造话筒的方法-CN201210225044.5有效
发明人：福泽英明;大黑达也;小岛章弘;杉崎吉昭;高柳万里子;藤庆彦;堀昭男;原通子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
应变压力检测器件话筒制造方法以及

1
2
下一页»
尾页
共 20 条