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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法-CN201810954980.7有效
发明人： 大岛佑一;藤田静雄;金子健太郎;嘉数诚;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。
晶体结晶包括半导体装置用于制造方法

[发明专利]用于制造结晶膜的方法-CN201810948079.9有效
发明人： 大岛佑一;藤田静雄;金子健太郎;嘉数诚;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。
用于制造结晶方法

[发明专利]用于制造结晶膜的方法-CN201810948015.9有效
发明人： 大岛佑一;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
用于制造结晶方法

[发明专利]结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法-CN201810948461.X有效
发明人： 大岛佑一;藤田静雄;金子健太郎;嘉数诚;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：根据本发明主题的方面，结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分，结晶膜包括刚玉结构、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm‑2的位错密度。
结晶包括半导体装置以及制造方法

[发明专利]用于制造结晶膜的方法-CN202210479527.1在审
发明人： 大岛佑一;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
用于制造结晶方法

[发明专利]氮化物半导体衬底、其制造方法及氮化物半导体装置-CN201010518494.4有效
发明人： 大岛佑一;吉田丈洋 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供氮化物半导体衬底、其制造方法以及使用其的氮化物半导体装置。通过研究具有与内部区域相比特别优秀品质的最外表面(表层区域)的氮化物半导体衬底以及表面加工方法，提供释放最外表面(表层区域)的应变、可在最外表面上设置高品质层的氮化物半导体衬底。该衬底具有由作为生长面的表面和其反对侧的背面构成的两个主面，利用从相对于所述表面倾斜的特定非对称面的衍射，通过X射线摆动曲线测定得到距所述表面规定深度的区域的对应的半值宽度，由此所得的距所述表面深度为0～250nm的表层区域的半值宽度比距所述表面深度超过5μm的内部区域的半值宽度窄。
氮化物半导体衬底制造方法装置

[发明专利]ⅢA族氮化物半导体晶体的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法-CN201010508646.2无效
发明人： 大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种IIIA族氮化物半导体晶体的制造方法和IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法。所述IIIA族氮化物半导体晶体的制造方包括：制备晶种的步骤；以及生长所述IIIA族氮化物半导体晶体的凸面生长步骤，其中所述IIIA族氮化物半导体晶体的生长面仅由多个不垂直于生长方向的表面构成，并且由所述多个表面构成的所述生长面作为整体形成为凸面形状。所述IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法是通过切割由所述凸面生长步骤获得的IIIA族氮化物半导体晶体来制备IIIA族氮化物半导体衬底。
氮化物半导体晶体制造方法衬底

[发明专利]ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底-CN200910149875.7有效
发明人： 大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法，其可以在短时间内制造高精度、高纯度的IIIA族氮化物半导体衬底，以及用该方法制造的氮化物半导体衬底。本发明涉及的IIIA族氮化物半导体衬底的制造方法，包括：准备具有一个晶面和比该晶面硬度小的其它晶面的IIIA族氮化物半导体单晶的大块晶体的大块晶体准备工序，和从准备好的大块晶体的其它晶面侧朝向该一个晶面侧切断大块晶体的切断工序。
氮化物半导体衬底制造方法

[发明专利]外延生长用衬底-CN200910129736.8无效
发明人： 大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长用衬底，其可以将通过镊子等造成的衬底操作位置限制在衬底周边部的极有限的一部分、从而能够大大抑制伴随衬底操作而污染等的区域。所述衬底为外延生长用的衬底(1)，在与进行外延生长的衬底(1)的表面(1a)相反的背面(1b)侧局部性地存在倒角部(3)。将衬底(1)的直径设定为x(mm)时，在衬底(1)的背面(1b)侧实施的倒角部(3)的长度L为2mm～0.15x(mm)是适宜的。并且，将衬底(1)以表面(1a)朝上的方式放置在平坦面P上时，衬底(1)和平坦面P之间形成的间隙的高度h1、进深d1为0.2mm以上是适宜的。
外延生长衬底

[发明专利]GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法-CN200810100724.8有效
发明人： 大岛佑一;柴田真佐知 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高元件的成品率的GaN自支撑衬底及GaN自支撑衬底的制造方法。本发明涉及的GaN单晶具备衬底表面和包含在衬底表面上的极性反转区，极性反转区在衬底表面上的个数密度为20cm^-2以下。
gan 衬底以及制造方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体衬底-CN200710196096.3有效
发明人： 大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供高品质的III族氮化物半导体衬底。本发明的III族氮化物半导体衬底由III族氮化物单晶构成，具有25.4mm以上直径和150μm以上厚度的衬底的外形尺寸的根据温度变化算出的线膨胀系数为α，所述衬底的晶格常数的根据温度变化算出的线膨胀系数为αL，将它们之间的差α－αL设为Δα，则Δα/α的值在0.1以下。
氮化物半导体衬底

[发明专利]氮化物半导体衬底、其制法及氮化物半导体发光器件用外延衬底-CN200710135923.8有效
发明人： 大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了即使使用具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体也可以维持外延特性的面内均一性、确保器件的高成品率和高可靠性的氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及使用该氮化物系半导体衬底的氮化物系半导体发光器件用外延衬底。在直径25mm以上的异种衬底上，外延生长厚度2mm以下的具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体晶体，然后除去异种衬底，得到厚度方向的热阻值为0.02～0.5Kcm²/W以下的氮化物系半导体衬底。在该氮化物系半导体衬底上外延生长由氮化物系半导体构成的发光层，成为氮化物系半导体发光器件用外延衬底。
氮化物半导体衬底制法发光器件外延

[发明专利]氮化物系半导体衬底及半导体装置-CN200610108309.8有效
发明人： 大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明提供在确保充分的导电性的同时，具有高的导热率和高的电子迁移率的氮化物系半导体衬底以及半导体装置。氮化物系半导体衬底是由具有直径大于等于25mm且厚度大于等于250μm的尺寸的氮化物系半导体构成的衬底，其特征为，n型载流子浓度为1.2×10¹⁸cm^－3～3×10¹⁹cm^－3，并且导热率为1.2W/cmK～3.5W/cmK。另外，在该氮化物系半导体衬底上，外延生长氮化物系半导体来制成半导体装置。
氮化物半导体衬底装置

[发明专利]氮化物系半导体衬底及其制造方法-CN200610080167.9有效
发明人： 大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光吸收系数小、具有高透明度，同时可以确保充分的导电性的氮化物系半导体衬底及其制造方法。在蓝宝石衬底(11)上形成GaN膜(12)和Ti膜(13)后，在氢气和氨气的混合气氛中加热，转变成多孔TiN薄膜(14)后，在多孔TiN薄膜(14)上形成刻面成长GaN15，成长GaN结晶而形成GaN厚膜(17)，使在形成c面以外的刻面的同时进行成长的成长初期阶段的氮化物系半导体层的厚度为最终形成的氮化物系半导体层的整体厚度的30％或30％以下，通过空隙(16)从蓝宝石衬底(11)上剥离，从而得到GaN自立衬底。
氮化物半导体衬底及其制造方法

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