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[发明专利]半导体存储元件，半导体器件，电子设备，以及半导体存储元件的制造方法-CN201780014488.5有效
发明人： 塚本雅则 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：提供了能够进行更高速操作的半导体存储元件，并且所述半导体存储元件设置有：第一导电类型的第一半导体层(42)；第二导电类型的第二半导体层(41)，在第一半导体层下方设置；栅极电极(21)，在第一半导体层上设置；栅极绝缘膜(22)，在第一半导体层和栅极电极之间设置；第二导电类型的漏极区域(31)，在栅极电极的一侧上的第一半导体层中设置；第二导电类型的源极区域(32)，在栅极电极的另一侧上的第一半导体层中设置，所述另一侧在所述一次的对面，在所述一侧与所述另一侧之间存在栅极电极；以及位线(54)，与源极区域和第一半导体层两者电连接。还提供了半导体期间、电子设备以及用于制造所述半导体存储元件的方法。
半导体存储元件半导体器件电子设备以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202180028500.4在审
发明人： 塚本雅则 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明在保持存储器单元的小面积的同时执行具有高功率效率的积和计算。该半导体装置包括其中多个存储器单元以矩阵排列的存储器单元阵列。接着，多个存储器单元中的每个存储器单元包括：触发器电路，该触发器电路包括两个反相器电路，在每个反相器电路中负载场效应晶体管和驱动场效应晶体管串联连接，两个反相器电路的输入部分和输出部分彼此交叉连结；两个传输场效应晶体管，每个传输场效应晶体管具有连接到字线的栅电极，一对第一主电极区和第二主电极区中的第一主电极区分别连接到所述两个反相器电路的输出部分；以及两个电阻元件，其一个端侧分别连接到所述两个传输场效应晶体管的第二主电极区，并且其另一个端侧分别连接到位线和位线拔。
半导体装置

[发明专利]半导体存储装置、积和计算装置以及电子设备-CN201980021556.X在审
发明人： 塚本雅则 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：[问题]为了提供使得可以进一步增加存储器单元的集成度和密度的半导体存储装置、积和计算装置以及电子设备。[解决方案]一种半导体存储装置，设置有：第一晶体管，其中第一栅极电极设置在设置有源极或漏极区域的活性化区域上，铁电膜插入在第一栅极电极与活性化区域之间；以及第二晶体管，其中源极或漏极区域设置在第一栅极电极上设置的活性化层上，并且第二栅极电极设置在活性化层上，绝缘膜插入在活性化层和第二栅极电极之间。
半导体存储装置计算以及电子设备

[发明专利]半导体存储装置和乘法累加器-CN201980021557.4在审
发明人：奥野润;菅谷文孝;塚本雅则 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：[问题]为了提供能够将充足的电压施加到铁电电容器并且适合于高集成度的半导体存储装置和乘法累加器。[解决方案]该半导体存储装置设置有：晶体管；和铁电电容器，所述铁电电容器通过将铁电构件夹在一对导电构件之间而形成，这一对导电材料中的一个电连接到晶体管的栅极电极，其中晶体管的沟道涉及到多个表面三维地形成。
半导体存储装置乘法累加器

[发明专利]半导体存储装置、半导体存储装置的制造方法及电子装置-CN201980012664.0在审
发明人： 塚本雅则 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：[问题]用于提供一种半导体存储装置和电子装置，半导体存储装置包括具有更优化的结构的铁电电容器作为存储器单元。[解决方案]一种半导体存储装置，包括：场效应晶体管，设置在半导体衬底的有源区域中；铁电电容器，具有将铁电膜保持在其间的第一电容器电极和第二电容器电极，所述第一电容器电极电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的一个；源极线，电连接到所述铁电电容器的所述第二电容器电极；以及位线，电连接到所述场效应晶体管的源极或漏极中的另一个。所述场效应晶体管的栅极电极在第一方向上延伸超出所述有源区域，并且所述源极线和所述位线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。
半导体存储装置制造方法电子

[发明专利]半导体存储器装置、电子设备和读取信息的方法-CN201880076893.4在审
发明人： 塚本雅则 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：[问题]提供一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置在形成存储器单元阵列时适当地操作，同时避免由在半导体基板的表面上形成的氧化物膜引起的电压降。[解决方案]该半导体存储器装置设置有：第一晶体管；电容器，包括在其间有绝缘体的对置的一对电容器电极，电容器电极中的一个电容器电极电连接到第一晶体管的栅极电极；第二晶体管，所述第二晶体管的源极或漏极中的一个电连接到第一晶体管的源极或漏极中的一个并且电连接到电容器电极中的另一个电容器电极；以及板线，电连接到第一晶体管的栅极电极并且电连接到电容器电极中的所述一个电容器电极。
半导体存储器装置电子设备读取信息方法

[发明专利]半导体存储装置和电子设备-CN201880072244.7在审
发明人： 塚本雅则 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：[问题]本发明解决提供以下的问题：半导体存储装置，其设置有由于存储器单元的小型化和高集成度而适合的结构；和电子设备。[解决方案]该半导体存储装置设置有：凹部，设置在半导体基板中；铁电膜，沿着凹部的内侧设置；电极，设置在铁电膜上以使得凹部被电极填充；第一导电类型的分离区域，设置在凹部下方的半导体基板中；以及第二导电类型的电极区域，设置在凹部的至少一侧的半导体基板中。
半导体存储装置电子设备

[发明专利]半导体存储元件、半导体存储装置、半导体系统和控制方法-CN201880021407.9在审
发明人： 塚本雅则 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-02-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：[技术问题]为了提供一种允许以稳定的方式写入信息的半导体存储元件，半导体存储装置，半导体系统和控制方法。[技术方案]提供一种半导体存储元件，其包括：第一晶体管，信息写入到所述第一晶体管中，所述第一晶体管具有至少部分地包括铁电材料的栅极绝缘膜；以及第二晶体管，其通过源极或漏极的一个连接到所述第一晶体管的源极或漏极。在写入信息和擦除信息时所述第一晶体管的阈值电压小于0V。
晶体管半导体存储元件写入信息漏极源极半导体存储装置半导体系统栅极绝缘膜擦除信息铁电材料信息写入阈值电压

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110156841.8无效
发明人： 塚本雅则 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法以及通过该方法形成的半导体装置。该制造方法包括：在半导体基板上形成位于NTr和PTr区域的第一栅极绝缘膜；分别在NTr和PTr区域的第一栅极绝缘膜上形成第一栅电极；通过在半导体基板中引入杂质以在NTr和PTr区域的第一栅电极的两侧处形成源/漏极区域；进行用于激活源/漏极区域中的杂质的热处理；形成覆盖NTr和PTr区域的第一栅电极的整个表面的应力衬膜，应力衬膜向半导体基板施加应力；暴露PTr区域的第一栅电极的上部；通过完全移除PTr区域的第一栅电极来形成凹槽，凹槽用于形成第二栅电极；及在凹槽中形成第二栅电极。根据本发明，能够增加半导体装置中的载流子迁移率。
半导体装置及其制造方法

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