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[发明专利]使用磁场集中器的具有金属喷淋头的电感应式等离子体源-CN201180024010.3有效
发明人： 坎芬·莱;杰弗里·托宾;彼得·I·波尔施内;乔斯·安东尼奥·马林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供用于基板的等离子体处理的方法与装置。处理腔室具有基板支撑件与面向该基板支撑件的盖组件。该盖组件具有包括电感应线圈的等离子体源，该电感应线圈被配置于导电平板内，该导电平板可包括被嵌套的导电环。该电感应线圈与导电平板实质上共平面，并由绝缘体与导电平板绝缘，该绝缘体适配于通道内，该通道形成于导电平板中，或嵌套于导电环内。于电感应线圈周围提供场集中器，并且该场集中器由隔离器与电感应线圈绝缘。该等离子体源由导电支撑板支撑。气体分配器将气体从穿过导电平板配置的导管，经由穿过支撑平板与等离子体源的中心开孔，而供应至该腔室。
使用磁场集中器具有金属喷淋电感应等离子体

[发明专利]用离子防护件处理基板的方法和设备-CN201380052521.5在审
发明人：杰弗里·托宾;伯纳德·L·黄;坎芬·莱;劳拉·哈夫雷查克;刘伟;约翰内斯·斯温伯格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-10-03 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理具有第一层的基板的方法可包括以下步骤：设置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件位于工艺腔室的下处理空间内且在离子防护件下，所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率，所述离子防护件包括实质上平坦部件和多个孔，所述实质上平坦部件被支撑成平行于所述基板支撑件，所述多个孔被形成为穿过所述平坦部件，其中所述孔的直径与所述平坦部件的厚度的比具有约10:1至约1:10的范围；使工艺气体流动到所述离子防护件上方的上处理空间内；在所述上处理空间中从所述工艺气体形成等离子体；用通过所述离子防护件的中性自由基来处理所述第一层；并将所述基板加热到高达约550℃的温度，同时处理所述第一层。
离子防护处理方法设备

[发明专利]双等离子体源的灯加热式等离子体腔室-CN201180067385.8无效
发明人：克里斯托弗·S·奥尔森;坎芬·莱;森德·拉马默蒂;约翰内斯·斯温伯格;刘伟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明描述用于处理半导体基板的方法和设备。处理腔室包括基板支撑件和原位等离子体源，该原位等离子体源可为电感应式波源、电容波源、微波波源或毫米波源，该原位等离子体源面对该基板支撑件和辐射加热源，该辐射加热源可为与该基板支撑件分隔的一排加热灯。该支撑件可位于该原位等离子体源与该辐射加热源之间，且该支撑件可转动。一种处理基板的方法包括以下步骤：通过将该基板暴露至在处理腔室中产生的等离子体而形成氧化层；在该腔室中的该基板上执行等离子体氮化工艺；当将该基板暴露至形成在该腔室外侧的氧自由基时，使用设置在该腔室中的辐射加热源而热处理该基板；和通过将该基板暴露至产生在该腔室中的等离子体而形成电极。
等离子体加热等离子体腔

[发明专利]具有腔室处理与处理层等离子体放电以释放晶片的等离子体浸没离子注入工艺-CN200980105688.7无效
发明人：麦诺基·韦列卡;卡提克·桑瑟南姆;扬·B·塔;马丁·A·希尔金;马修·D·斯科特奈伊卡斯尔;坎芬·莱;彼得·I·波尔什涅夫;马耶德·A·福阿德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-02-02 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在等离子体浸没离子注入工艺中，在不会因为增加处理层的厚度而损失晶片夹钳静电力的情况下，增加注入前腔室处理层的厚度，以允许在不用更换处理层的情况下进行一连串晶片的注入。可通过先以等离子体放电来除掉厚处理层的残留静电荷来实现上述动作。通过在每个晶片处理完之后，部分地补充该处理层，并且接着可在处理下一个晶片之前进行该补充处理层的简短等离子体放电，以进一步提高使用同一个处理层所能处理的晶片数量。
具有处理等离子体放电释放晶片浸没离子注入工艺