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- [发明专利]晶片的加工方法-CN201710455994.X有效
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土屋利夫;吉川敏行
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株式会社迪思科
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2017-06-16
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2023-06-16
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H01L21/66
- 提供一种晶片的加工方法，对具有功能膜的晶片进行良好地分割。对具有多条分割预定线的晶片(W1)沿着分割预定线进行分割的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法构成为具有如下的步骤：利用切削刀具从晶片的正面(71)侧切入到晶片的厚度方向中途而沿着分割预定线形成多个切削槽(76)的步骤；以及从晶片的正面侧朝向切削槽内照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线从而将晶片与晶片的背面(72)的功能膜(74)一同沿着切削槽分割成多个器件的步骤。
- 晶片加工方法
- [发明专利]被加工物的加工方法-CN202111133942.3在审
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土屋利夫;吉川敏行;本乡智之
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株式会社迪思科
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2021-09-27
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2022-04-08
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B23K26/36
- 本发明提供被加工物的加工方法，抑制激光束返回激光振荡器并使用激光束将被加工物的包含倒角部的区域去除。被加工物的加工方法是圆盘状的被加工物的加工方法，具有如下的步骤：带粘贴步骤，将带粘贴在被加工物的一个面上，并借助带而将被加工物与框架一体化；保持步骤，在带粘贴步骤之后，利用保持单元隔着带而对被加工物进行保持；和激光束照射步骤，在保持步骤之后，从被加工物的位于一个面的相反侧的另一个面侧向另一个面照射具有被加工物所吸收的波长的脉冲状的激光束，在激光束照射步骤中，在按照具有相对于被加工物的另一个面的法线以规定的角度倾斜的入射角的方式调整了激光束的朝向的状态下，在另一个面上呈环状照射激光束。
- 加工方法
- [发明专利]激光加工装置-CN202110503933.2在审
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土屋利夫;三浦诚治
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株式会社迪思科
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2021-05-10
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2021-11-16
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B23K26/064
- 本发明提供激光加工装置，该激光加工装置能够在激光加工中不使装置停止而变更激光束的光束直径。调整激光束的光束直径的激光加工装置的光束调整单元包含：第1透镜单元和第2透镜单元，它们能够沿着激光束的光路移动；以及第1移动机构和第2移动机构，它们使第1透镜单元和第2透镜单元分别沿着光路移动。控制单元包含存储部，该存储部预先存储激光束的光束直径以及与光束直径对应的第1透镜单元和第2透镜单元的位置，并且使第1移动机构和第2移动机构进行动作而使第1透镜单元和第2透镜单元移动到与规定的光束直径对应的位置。
- 激光加工装置
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201710235954.4有效
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土屋利夫;星野仁志
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株式会社迪思科
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2017-04-12
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2021-04-23
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H01L21/78
- 提供一种晶片的加工方法，即使从在外周侧形成有环状加强部的晶片将环状加强部去除，也能够对晶片进行合适地对位。一种晶片的加工方法，从在器件区域(A1)的周围形成有环状加强部(71)的晶片(W)将环状加强部去除，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：借助粘合带(T)将晶片支承在框架(F)上的步骤；在比环状加强部与器件区域之间的边界部(73)靠内径侧的位置形成与凹口(N)对应的标记(M)的步骤；将环状加强部与器件区域之间的边界部与粘合带一同切断而将器件区域与环状加强部分离的步骤；以及使环状加强部与框架一同从保持工作台脱离而将环状加强部去除的步骤。
- 晶片加工方法
- [发明专利]保持工作台-CN201510059595.2有效
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木村早希;土屋利夫;出岛健志
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株式会社迪思科
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2015-02-04
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2019-09-06
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H01L21/67
- 本发明提供一种保持工作台，在器件区域的周围形成有环状加强部的晶片中，能够稳定地去除环状加强部，而不会使器件区域变窄。保持工作台(5)保持晶片(W)，在该晶片的正面形成有器件区域(83)和外周剩余区域(84)，在器件区域中形成有多个器件，外周剩余区域围绕该器件区域，在晶片的与外周剩余区域对应的背面上形成有环状加强部(85)，保持工作台(5)形成为这样的结构：在保持工作台的上表面，在与环状加强部和器件区域的边界部(86)相对应的位置形成有用于使激光光线逸散的环状的逸散槽(53)，在逸散槽的槽底(54)以锥形状形成有使激光光线散射的微细的凹凸。
- 保持工作台
- [发明专利]半导体晶片的加工方法-CN201510039063.2在审
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相川力;小田中健太郎;土屋利夫
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株式会社迪思科
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2015-01-27
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2015-07-29
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H01L21/82
- 本发明提供半导体晶片的加工方法，其抑制了激光光线透过玻璃钝化膜而从内部破坏该玻璃钝化膜这样的情况，并能够沿着间隔道形成分割槽。在半导体晶片(W)中，在半导体基板(W1)的表面层叠有层叠体(W2)，通过层叠体形成多个器件(D)。各器件由间隔道(ST)划分。在器件和间隔道的表面覆盖并形成有玻璃钝化膜(W3)。进行钝化膜切断槽形成工序，在该工序中，沿着间隔道照射对于玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO2激光光线(Lc)，从而沿着间隔道形成切断槽(M1)。然后，进行分割槽形成工序，在该工序中，沿着切断槽照射对于层叠体具有吸收性的波长的激光光线(Ly)，从而沿着间隔道形成分割槽(M2)。
- 半导体晶片加工方法
- [发明专利]晶片的分割方法-CN200610008972.0有效
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岩崎健一;源田悟史;土屋利夫
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株式会社迪斯科
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2006-01-05
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2006-08-16
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B28D5/02
- 本发明的晶片的分割方法，将由层叠在衬底表面上的层叠体形成了器件的晶片，利用切削刀片沿着划分该器件的多个切割道切断，其特征在于，包括如下工序：激光加工槽形成工序，沿着晶片上形成的切割道照射激光光线，以比该切削刀片的厚度大的间隔形成比该层叠体的厚度深的两条激光加工槽；对准工序，对通过该激光加工槽形成工序而形成在晶片的切割道中的该两条激光加工槽进行拍摄，根据该拍摄到的图像，使该切削刀片定位于该两条激光加工槽之间的中央位置；和切断工序，实施了该对准工序之后，一边旋转该切削刀片一边相对移动该切削刀片和晶片，沿着形成了该两条激光加工槽的切割道切断晶片。
- 晶片分割方法
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