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[发明专利]一种基于阱临近效应的漏电流模型及其提取方法-CN202310769487.9在审
发明人：吴园园;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种基于阱临近效应的漏电流模型及其提取方法，设计不同WPE尺寸的MOS器件结构；测试MOS器件的漏电流在不同栅端电压的下的数据，形成漏电流随栅端电压变化的IV曲线；建立MOS器件的GIDL漏电流函数的模型，调整GIDL漏电流函数的参数，从而进行IV曲线的拟合；若拟合后不符合目标精度，则重新调整GIDL漏电流函数的参数，直至达到目标精度为止；建立包括WPE函数的漏电流模型，调整WPE函数的系数，从而进行IV曲线的拟合；若拟合后不符合目标精度，则重新调整WPE函数的参数，直至达到目标精度为止；对漏电流模型进行验证。
一种基于临近效应漏电模型及其提取方法

[发明专利]基于相邻有源区效应的闪烁噪声模型及其提取方法-CN202310629293.9在审
发明人：张瑜;商干兵;谢金磊 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种基于相邻有源区效应的闪烁噪声模型，包括第一闪烁噪声模型，第一闪烁噪声模型的参数包括器件结构的宽度、长度频率、温度中的至少一种；根据器件结构与其横向、纵向的有源区边缘之间的距离建立的关于不同相邻有源区环境的函数；根据横向有源区环境的函数与第一闪烁噪声模型建立的第二闪烁噪声模型。本发明提高了闪烁噪声模型拟合精度；能够设计更合理的版图；引入与相邻有源区的变化尺寸相关的函数，能更精准建模，且更好的反应器件的实际电路中特性；适用于各种器件类型的噪声模型，例如MOS，各类电阻等等。
基于相邻有源效应闪烁噪声模型及其提取方法

[发明专利]电阻模型及其提取方法-CN201811581770.4有效
发明人：张瑜;商干兵;丁琳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻模型，涉及半导体集成电路，所述电阻模型在现有的电阻模型的基础上，增加了各参数之间相互影响而进一步影响电阻元件的电阻值的模型，能够更好、更准确的反应电阻器件的特性，提高了电阻模型拟合精度，给设计者在电路设计时设计更合理的版图提供很大的帮助，且本发明的新型电阻模型适用于各种类型的电阻，使该新型电阻模型适用性更好。
电阻模型及其提取方法

[发明专利]MOM电容失配模型及其提取方法-CN201811581776.1有效
发明人：张瑜;商干兵;王斐 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOM电容失配模型，涉及半导体集成电路，所述MOM电容失配模型为：mis_main＝f(mis_geo，mis_lay)＝’(mis_a*(((mis_geo‑mis_b)**2+1e‑18)**0.5+mis_geo)+mis_c*(((mis_geo‑mis_b)**2+1e‑18)**0.5‑mis_geo)+mis_d+mis_e*power(mis_lay，mis_f))*mis_con’其中，mis_geo代表MOM电容尺寸，mis_lay代表MOM结构的金属层数，mis_a、mis_b、mis_c和mis_d为与MOM电容尺寸相关的参数，mis_e和mis_f为与MOM结构的金属层数相关的参数，mis_con’＝f(w，l，nr，s，mis_lay，V，T)为基本的MOM电容模型，其中w为MOM电容版图中每个金属层的宽度，L为MOM电容版图中每个金属层的长度，nr为每一电极包括的金属层的个数，s为MOM电容版图中相邻金属层的间距，V为施加在MOM电容上的电压，T为MOM电容的温度。
mom 电容失配模型及其提取方法

[发明专利]基于横向有源区效应的闪烁噪声模型及其提取方法-CN202310631103.7在审
发明人：张瑜;商干兵;谢金磊 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明提供一种基于横向有源区效应的闪烁噪声模型，包括第一闪烁噪声模型，第一闪烁噪声模型的参数包括器件结构的宽度、长度频率、温度中的至少一种；根据器件结构沟道与左、右横向的有源区边缘之间的距离建立的关于横向有源区环境的函数；根据横向有源区环境的函数与第一闪烁噪声模型建立的第二闪烁噪声模型。本发明提高了闪烁噪声模型拟合精度；能够设计更合理的版图；引入与横向有源区的变化尺寸相关的函数，能更精准建模，且更好的反应器件的实际电路中特性；适用于各种器件类型的噪声模型，例如MOS，各类电阻等等。
基于横向有源效应闪烁噪声模型及其提取方法

[发明专利]基于阱邻近效应的衬底电流模型及其提取方法-CN202310424003.7在审
发明人：周艳;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本申请提供一种基于阱邻近效应的衬底电流模型及其提取方法，所述方法包括：步骤S1，设计不同WPE尺寸的器件结构；步骤S2，测量器件的数据；步骤S3，建立器件的基本的衬底电流模型参数；步骤S4，对基本的衬底电流模型参数进行曲线拟合，直至拟合结果与器件数据相符；步骤S5，建立与WPE尺寸的X/Y方向相关的衬底电流模型参数；步骤S6，对与WPE尺寸的X/Y方向相关的衬底电流模型参数进行曲线拟合，直至拟合结果与器件数据相符；步骤S7，对得到的基于阱邻近效应的衬底电流模型进行验证。优选的，WPE尺寸指的是阱边缘与器件沟道对应的相邻边缘之间的距离。所述衬底电流模型更加准确表征器件在不同阱环境下的特性。
基于邻近效应衬底电流模型及其提取方法

[发明专利]器件漏电流模型及其提取方法-CN202310021628.9在审
发明人：王晴雯;吴园园;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-01-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件漏电流模型，用于仿真半导体器件的漏电流，半导体器件的栅极结构采用第一金属栅，第一金属栅具有第一导电类型金属功函数层。器件漏电流模型的漏电流由主体函数乘以第一函数形成。第一函数为由半导体器件的金属栅边界临近效应参数形成的函数，用于模拟金属栅边界临近效应对漏电流的影响。本发明还公开了一种器件漏电流模型的提取方法。本发明能模拟MBE效应对器件漏电流的影响，从而能提高模型拟合精度，有利于设计更加合理的版图。
器件漏电模型及其提取方法

[发明专利]器件漏电流模型及其提取方法-CN202310450886.9在审
发明人：吴园园;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种器件漏电模型，器件漏电流模型用于仿真半导体器件的漏电流；所述器件漏电流模型的漏电流包括主函数与辅函数，且所述主函数与所述辅函数相乘；其中，所述器件漏电流模型的主函数为GIDL漏电流函数，其是根据所述半导体器件的沟道区宽度、沟道区长度、栅源电压及工作温度而得到的；所述辅函数根据所述半导体器件相邻有源区环境参数来确定，用于模拟不同的相邻有源区环境对所述漏电流的影响。通过本发明解决了以现有的漏电流模型进行漏电流拟合时拟合精度较低的问题。
器件漏电模型及其提取方法

[发明专利]MOSFET陷阱辅助隧穿模型及其提取方法-CN201911052384.0有效
发明人：张瑜;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，MOSFET陷阱辅助隧穿模型为由初始模型优化而成的优化模型；初始模型中陷阱辅助隧穿电流为初始第一函数和第二函数的乘积；初始第一函数与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关；第二函数为和漏极电流相关的函数；初始第一函数的参数和器件的尺寸或偏压变化无关；优化模型中具有由初始第一函数优化而成的优化第一函数，优化第一函数的参数为随器件尺寸或偏压而变化的函数。本发明还公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法。本发明能实现对不同尺寸或者不同偏压的情况下的器件拟合，提高模型精度。
mosfet 陷阱辅助模型及其提取方法

[发明专利]器件漏电流模型及其提取方法-CN202211197959.X在审
发明人：张瑜;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件漏电流模型，用于仿真半导体器件的漏电流。器件漏电流模型的漏电流由主体函数乘以第一函数形成。第一函数为由半导体器件的有源区环境参数形成的函数，用于模拟有源区环境对漏电流的影响。本发明还公开了一种器件漏电流模型的提取方法。本发明能模拟有源区环境对器件漏电流的影响，从而能提高模型拟合精度，有利于设计更加合理的版图。
器件漏电模型及其提取方法

[发明专利]衬底电流模型及其提取方法-CN202211198094.9在审
发明人：周艳;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底电流模型，用于仿真半导体器件的衬底电流；衬底电流模型的衬底电流由主体函数乘以第一函数形成；第一函数为由半导体器件的有源区环境参数形成的函数，用于模拟有源区环境对所述衬底电流的影响。本发明还公开了一种衬底电流模型的提取方法。本发明能模拟有源区环境对器件衬底电流的影响，从而能提高模型拟合精度，有利于设计更加合理的版图。
衬底电流模型及其提取方法

[发明专利]栅极隧穿电流模型及其提取方法-CN202211197961.7在审
发明人：丁琳;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极隧穿电流模型，用于仿真半导体器件的栅极隧穿电流；栅极隧穿电流模型的栅极隧穿电流由主体函数乘以第一函数形成；第一函数为由半导体器件的有源区环境参数形成的函数，用于模拟有源区环境对所述栅极隧穿电流的影响。本发明还公开了一种栅极隧穿电流模型的提取方法。本发明能模拟有源区环境对器件栅极隧穿电流的影响，从而能提高模型拟合精度，有利于设计更加合理的版图。
栅极电流模型及其提取方法

[发明专利]测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法-CN202210745905.6在审
发明人：陈蓓;商干兵;丁琳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明提供一种测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法，提供静态随机存储器电路并选择其中的第一、二测量点；分别以第一、二测量点的电压值为横坐标与纵坐标，在第一测量区间内分别改变第一、二测量点的电压值，分别测量其对应另一个测量点的电压值，得到相对称的第一、二电压曲线；获取第一、二电压曲线斜率变化率最快处的坐标，根据坐标设置小于第一测量区间的第二量测区间，之后在第二量测区间内分别改变第一、二测量点的电压值，分别测量其对应另一个测量点的电压值，得到相对称的第三、四电压曲线。本发明的测量方式可缩短测量时间，同时提高测量精度。
测量静态随机存储器噪声容限方法

[发明专利]测量MOS管阈值电压跨导值的方法-CN202210702686.3在审
发明人：张瑜;商干兵;孙万雪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种测量MOS管阈值电压跨导值的方法，测量获得目标器件的晶体管线性阈值电压；获取Id‑Vg曲线，所述Id‑Vg曲线的横坐标区间为所述晶体管线性阈值电压至预设电压；根据所述Id‑Vg曲线得到最大跨导值。本发明根据点测的方式得到的晶体管线性阈值电压，在晶体管线性阈值电压的基础上加上根据以往数据分析的经验值作为测量区间进行扫描，求得Vtgm更加快速、精准。
测量 mos 阈值电压跨导值方法

[发明专利]通用型WPE优化模型及其提取方法-CN201810612102.7有效
发明人：张瑜;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种通用型WPE优化模型及其提取方法，包括如下步骤：第一步，设计不同WPE尺寸的器件结构；第二步，测量器件的数据；第三步，建立器件基本模型；第四步，对器件基本模型进行曲线拟合，如果拟合结果与器件数据相符，则进入第五步，否则修改器件基本模型的参数并重复该步骤；第五步，建立不同WPE尺寸的XY两个方向相关的距离函数模型；第六步，对距离函数模型进行曲线拟合，如果拟合结果与器件相符，则进入第七步，否则调整距离函数模型的参数并重复该步骤；第七步，根据器件基本模型和距离函数模型得到WPE优化模型并验证。本发明克服了原有的WPE模型不能同时兼顾X，Y方向的趋势调节，能更准地提取WPE对器件带来的影响，提高WPE模型的适用性。
通用型 wpe 优化模型及其提取方法

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