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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法-CN202211645331.1在审
发明人：唐恝;范凯平;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法蚀刻装置及湿法蚀刻方法，涉及湿法蚀刻技术领域，包括承载架、机械手、水浴加热模块、蚀刻槽和清洗槽，水浴加热模块包围蚀刻槽，蚀刻槽包围清洗槽；机械手用于控制承载架在蚀刻槽中运动；水浴加热模块用于控制蚀刻槽的温度；蚀刻槽为环形结构或回形结构，蚀刻槽的底部设置有若干进气孔；清洗槽用于清洗蚀刻后的晶圆片。本发明通过机械手控制承载架在蚀刻槽中运动、以及通过在刻蚀槽中设置进气孔通气，提高化学药液体系的温度均匀性、减小化学药液局部温度的波动，通过水浴加热模块对蚀刻槽进行温度控制，减少环境温度变化对化学药液温度的影响，最终保持蚀刻速率稳定，获得良好的蚀刻效果。
一种湿法蚀刻装置方法

[实用新型]一种蒸镀锅机构及蒸镀设备-CN202223297982.4有效
发明人：范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蒸镀锅机构及蒸镀设备，蒸镀锅机构包括主架和至少一个蒸镀锅，蒸镀锅设置在主架上；蒸镀锅包括若干个晶圆安装部，晶圆安装部包括固定片位板、活动片位板和活动插销；固定片位板设置在蒸镀锅上，活动片位板的一端铰接在固定片位板的一端上，活动插销铰接在固定片位板的另一端上；活动片位板的正面上设置晶圆片安装槽位，活动片位板的背面上设置有若干个卡位，活动插销的另一端插接在卡位上。该蒸镀设备设置有所述蒸镀锅机构和可移动的镀源装置，通过活动插销调整固定片位板和活动片位板之间的角度，从而调整各个晶圆片的蒸镀角度，配合可以来回移动的镀源装置，提高各个晶圆片的蒸镀均匀性，提高蒸镀效果。
一种蒸镀锅机构设备

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202111021595.5有效
发明人：范凯平;旷明胜;唐恝;何俊聪;徐亮;易翰翔 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至衬底的第一孔道；以第二光刻胶为掩膜，同时形成电离扩展层和贯穿至N‑GaN层的第二孔道；形成钝化层；以第三光刻胶为掩膜，同时形成侧壁保护结构、反射镜层和金属保护层；形成第一绝缘层；刻蚀形成第三孔道和第四孔道；形成第一电极、第二电极；形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一焊盘层和第二焊盘层，研磨减薄后沿第一孔道劈裂，即得到倒装LED芯片成品。实施本发明，可大幅缩短制程工艺时间，提升工艺效率。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202310081658.9在审
发明人：邓梓阳;范凯平;唐恝;卢淑欣;何俊聪;姚晓薇;梁院廷 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，所述金属粘附层包括第一子金属粘附层和第二子金属粘附层；所述第一子金属粘附层设置在所述第一子钝化层上，所述反射层设置在所述第一子金属粘附层上，所述第二子金属粘附层设置在所述反射层上，所述第二子钝化层设置在所述第二子金属粘附层上。本发明通过在钝化层和反射层之间设置金属粘附层，增强钝化层和反射层之间的粘附强度，避免出现间隙，降低倒装LED芯片产品在固晶回流焊过程中的鼓泡率。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[实用新型]一种手动式晶片下蜡装置-CN202223285945.1有效
发明人：卢淑欣;范凯平;唐恝;姚晓薇;邓梓阳;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手动式晶片下蜡装置，涉及晶片下蜡装置技术领域，包括握持部、托底部和若干吸盘，所述握持部固定设置在所述托底部的上面，若干所述吸盘固定设置在所述托底部的下面；所述握持部为弹性结构，所述弹性结构内部设置有第一空腔，所述托底部的内部设置有第二空腔，所述第一空腔和所述第二空腔连通；任一所述吸盘与所述第二空腔连通。本实用新型在蜡熔化后，通过挤压握持部内的空腔形成负压，配合吸盘吸住晶片的背面后将晶片卸下，然后再次挤压握持部就可放下晶片，操作简单，降低了破片率，且避免直接接触晶片正面，减少对电路的损伤。
一种手动式晶片装置

[发明专利]一种晶圆片清洗系统-CN202211575591.6在审
发明人：范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B08B3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片清洗系统，涉及半导体清洗技术领域，包括加热系统、液体循环系统、晶圆片放置装置、过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统，其中：加热系统包括加热模块和清洗槽，清洗槽位于加热模块中间，清洗槽中设置有液体循环系统，晶圆片放置装置、过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统沿着液体流动方向依次设置在液体循环系统中；加热模块用于控制液体的温度；液体循环系统用于控制液体的流速和液体的超声振动频率；晶圆片放置装置用于置入晶圆片，过滤网筛系统用于除去颗粒物杂质，分子透析系统用于除去分子杂质，电场吸附系统用于除去带电粒子杂质。本发明能防止杂质回粘到晶圆片上，清洗效果好。
一种晶圆片清洗系统

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法-CN202211646771.9在审
发明人：范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;卢淑欣;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片，涉及半导体技术领域，包括衬底、外延结构和光反射结构；外延结构设置有若干第一开口，暴露P‑GaN层、MQW层和N‑GaN层的侧壁；沿着第一开口依次设置侧壁保护层、一次钝化层和侧壁反射层；侧壁保护层包括若干层叠设置的绝缘膜层，形成布拉格反射镜；侧壁反射层包括侧壁金属黏附层和侧壁Ag反射层，侧壁金属黏附层设置在一次钝化层上，侧壁Ag反射层设置在侧壁金属黏附层上；侧壁反射层与N‑GaN层相接，与光反射结构在衬底上的投影部分重叠。本发明通过层叠成布拉格反射镜的侧壁保护层联合侧壁反射层，将侧壁的出射光反射至衬底射出，显著提高出光效率和亮度。
一种倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种低空洞率LED芯片的制作方法-CN202211283776.X在审
发明人：范凯平;唐恝;邓梓阳;姚晓薇;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种低空洞率LED芯片的制作方法，涉及发光二极管技术领域，包括以下步骤：在外延片上按照LED芯片工艺流程制作绝缘膜层和金属膜层；在每一层绝缘膜层成型之后，将所对应的绝缘膜层连同外延片浸入绝缘体纳米粒子流体中进行加热及超声震荡处理；然后将其取出进行清洗，并置于N2气氛中进行高温退火处理；在制作每一层金属膜层时，采用单个合金材料锭作为单个材料源进行蒸镀，或采用多个金属单质材料锭作为多个材料源同时进行蒸镀形成所述每一层金属膜层。本发明的方法通过将绝缘膜层浸入纳米粒子流体中加热、超声震荡并高温退火处理，降低了膜层空洞率；通过特殊的PVD工艺制成金属膜层，降低了膜层空洞率。
一种空洞 led 芯片制作方法

[发明专利]一种LED芯片及制备方法-CN202211315956.1在审
发明人：唐恝;范凯平;邓梓阳;何俊聪;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及制备方法，LED芯片包括衬底、发光结构层、P型导电层和N型导电层，P型导电层与N型导电层互不接触；P型导电层与N型导电层相向延伸形成相互配合的叉指结构；发光结构层包括N型氮化镓层，N型氮化镓层的部分裸露在发光结构的四周；N型导电层沿发光结构层的倾斜侧壁与N型氮化镓层连接；发光结构层设置有若干个N型通孔，N型导电层基于N型通孔与N型氮化镓层电性连接。LED芯片通过设置叉指状结构的导电层，使得N型通孔均匀分布，有效提高芯片散热效率，通过设置倾斜侧壁结构，改善N型氮化镓层四周电流分布，降低N型导电层和N型氮化镓层之间连接位置的电流电压，提高LED的出光效率。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制备方法-CN202211245987.4在审
发明人：范凯平;唐恝;邓梓阳;何俊聪;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，涉及发光半导体技术领域，高亮度LED芯片包括P型GaN层、ITO金属复合结构和Ag反射层，通过在P型GaN层上沉积ITO层，然后采用湿法或干法刻蚀ITO层，在ITO层上形成若干个凹坑结构，接着在凹坑结构中沉积满金属粒子形成ITO金属复合结构，ITO金属复合结构包括ITO层和镶嵌在ITO层中的若干个金属块；最后在所述ITO金属复合结构上沉积Ag镜反射层。本发明通过在ITO层中嵌入金属块形成ITO金属复合结构，电流在该结构中能充分横向扩展，最后分散地进入P型GaN层，避免芯片内局部电流集中，降低了芯片的工作电压，获得高亮度。
一种亮度 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种高稳定性倒装LED芯片及其制备方法-CN202210467157.X在审
发明人：唐恝;旷明胜;范凯平;何俊聪;于倩倩 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至N‑GaN层的第一孔道，继续刻蚀形成贯穿至衬底的第二孔道；依次形成电流扩展层、钝化保护层、金属反射层、金属导电层、第一绝缘层、N电极层、第二绝缘层和焊盘层，研磨减薄后劈裂，即得高稳定性倒装LED芯片。实施本发明，可提升芯片良率和稳定性。
一种稳定性倒装 led 芯片及其制备方法

[实用新型]一种多电极焊点的倒装LED芯片-CN202120290021.7有效
发明人：旷明胜;范凯平;何俊聪;唐恝 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多电极焊点的倒装LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的第二保护层、以及多个电极，所述电极贯穿所述第二保护层与所述发光结构形成导电连接，所述电极由金属焊料制成，所述金属焊料为SnAgCu焊料，所述金属焊料可通过钢网印刷的方法形成电极，且所述电极无需助焊剂可直接焊接在基板上。本实用新型的倒装LED芯片，成本低，与基板的焊接效果好。
一种电极倒装 led 芯片

[发明专利]一种多电极焊点的倒装LED芯片及其制备方法-CN202110136650.9在审
发明人：旷明胜;范凯平;何俊聪;唐恝 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多电极焊点的倒装LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括S1、在衬底上形成发光结构；S2、在发光结构上形成第二保护层；S3、对所述第二保护层进行刻蚀，形成多个电极孔洞；S4、采用钢网印刷的方法，将金属焊料填充在电极孔洞内，以形成电极；其中，所述金属焊料主要由Sn、Ag和Cu组成；S5、对电极进行阶梯保温，以获得成品。本发明的制备方法，成本低，工艺简单，所制得的倒装LED芯片与基板的焊接效果好。
一种电极倒装 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种光耦合材料及其制备方法和应用-CN201810078967.X在审
发明人：杨先光;李宝军;李宇超;许海燕;唐恝 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光耦合材料，包括衬底和设置在所述衬底表面的纳米线交叉耦合层，所述纳米线交叉耦合层包括核‑壳量子点掺杂聚合物纳米线和与所述核‑壳量子点掺杂聚合物纳米线相接触的金属纳米线。本发明提供的所述光耦合材料中，金属纳米线的等离激元可以被来自核‑壳量子点掺杂聚合物纳米线的光致发光信号有效的激发，进而提高光耦合材料的耦合性能。本发明还提供了所述光耦合材料的制备方法，该方法将金属纳米线与核‑壳量子点掺杂聚合物纳米线组装成交叉结构，实现了光耦合，既经济又高效。
光耦合材料聚合物纳米线壳量子点金属纳米线掺杂纳米线交叉耦合层制备方法和应用衬底表面等离激元光致发光交叉结构信号有效耦合性能光耦合衬底制备组装激发

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