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[发明专利]涂胶机喷涂方法及系统-CN201910461250.8有效
发明人：刘玉倩;郑如意;周立庆;贾月明;吕磊;周占福 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种涂胶机喷涂方法及系统，涉及集成电路设备的技术领域，包括获取待喷涂的晶圆的半径；根据晶圆的半径确定扫描区域半径，其中扫描区域半径大于晶圆的半径；在预先建立的坐标系中设置涂胶机中喷头的喷涂轨迹；每当喷头按照喷涂轨迹完成一次喷涂时，卡盘均按照预设角度和方向旋转一次；当喷头的喷涂次数达到预设喷涂次数时，结束对晶圆的喷涂。本发明可以有效提高晶圆喷涂的效率和均匀性。
涂胶喷涂方法系统

[发明专利]多载流子体系的测试及拟合方法-CN201911094739.2有效
发明人：胡尚正;折伟林;吴卿;陈慧卿;刘铭;田震;杨海燕;刘兴新;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多载流子体系的测试及拟合方法，包括：将样品置于低温、变磁场中，测量样品的横向电导率σxx和纵向电导率σxy；对测量的σxx和σxy进行拟合运算，计算样品中各类载流子的迁移率；基于计算的样品中各类载流子的迁移率，确定样品中各类载流子的浓度ni。采用本发明，可以获得相对准确的材料电学参数信息，能够提升探测器结构的设计能力，并且通过指导工艺，优化材料中各导电类型的载流子浓度及迁移率，降低器件的暗电流，提升探测器组件的性能。
载流子体系测试拟合方法

[发明专利]硅基衬底的加工方法-CN201910980307.5有效
发明人：王丛;高达;王经纬;刘铭;刘兴新;于小兵;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提出了一种硅基衬底的加工方法，包括：获取硅片；对硅片进行化学处理，以在硅片表面形成氢钝化层；对硅片进行脱附工艺处理，以去除氢钝化层。根据本发明实施例的硅基衬底的加工方法，在对硅片进行化学处理后，在硅片的表面形成氢钝化层，可以有效保护硅片。而且，氢钝化层的脱附温度相对较低，从而有效降低避免了硅片高温脱附钝化层而导致硅片弯折损伤和引入杂质的问题，而且，在选择硅片时，优化硅片筛选标准，从而有效降低了硅基衬底的平整度，提高了硅基衬底的加工质量，方便大面阵器件的加工。
衬底加工方法

[发明专利]闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机-CN201910806362.2有效
发明人：王鑫;宁提;祁娇娇;谭振;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机，所述方法包括：将退火后的石英管放入激光开管机的真空腔室内，将所述真空腔室抽真空至低于石英管内的压强；通过激光开管机的激光器在石英管上打出一个小孔，使石英管与真空腔室内的压强平衡；将真空腔室放气至与大气压相同；在从所述真空腔室取出石英管后，通过砂轮切割机在开孔位置沿石英管管壁切开一圆形切口；在圆形切口附近的水干后，通过锉刀在圆形切口处将石英管撬开。
热处理石英管方法激光开管机

[发明专利]胶头保湿装置及涂胶设备-CN201910445613.9有效
发明人：艾博;董晴晴;周立庆;吕磊;贾月明 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了一种胶头保湿装置及涂胶设备，包括：保湿盒，内部形成有能够被密封的腔体，形成有能够被封闭的开口部，滴胶头能够经由开口部进入到腔体内；密封挡板，包括固定部和从固定部向下延伸的密封部，密封挡板通过固定部固定安装于所述保湿盒的内部，密封部延伸到保湿盒的内部，形成彼此连通的第一保湿通道和第二保湿通道，第二保湿通道由保湿盒的内侧壁和密封部的外侧壁形成，密封部的下端能够被从供液管路供给的保湿液浸没，使保湿盒的内部形成密封腔体；供液管路，与保湿盒的内部连通。本申请通过保湿液液面液封第一保湿通道使第一保湿通道形成隔绝空气的密封腔体，使涂胶设备的滴胶头处于工作等待阶段时，在保湿液的蒸汽作用下保湿。
保湿装置涂胶设备

[发明专利]晶片真空吸附装置-CN201910544911.3有效
发明人：贾月明;周占福;周立庆;艾博;董晴晴;许向阳 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种晶片真空吸附装置。晶片真空吸附装置包括上盘体和下盘体，上盘体和下盘体均包括第一端面和第二端面；上盘体的第二端面上开设有多个相连通的条形凹槽，每一个条形凹槽的上方均开设有吸附通孔，吸附通孔的一端与条形凹槽相连通，吸附通孔另一端贯穿上盘体的第一端面；吸附通孔与条形凹槽形成气体通道。上盘体和下盘体密封连接，上盘体的第一端面与晶片相接触，用于吸附晶片；下盘体上开设有连通孔，连通孔与真空发生器相连接，真空发生器能够通过连通孔抽取气体通道内的气体，使气体通道内形成负压，使晶片吸附于上盘体的第一端面上。
晶片真空吸附装置

[发明专利]一种硅基碲镉汞芯片制备方法和碲镉汞红外探测器-CN201910821669.X有效
发明人：祁娇娇;张敏;韦书领;周立庆;王成刚;孙浩;宁提 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种硅基碲镉汞红外探测器芯片制备方法，用以改善大面阵芯片的表面翘曲，提高互连成品率。硅基碲镉汞芯片制备方法，包括：针对完成了在碲镉汞膜层表面制备光敏区及金属化操作之后的材料，进行面型测试确定待制备芯片弯曲的第一曲率半径；根据确定出的第一曲率半径，确定待制备的目标膜层的第一应力；根据待制备的目标膜层的第一应力，确定制备所述目标膜层的第一工艺参数和/或第一厚度；根据确定出的第一工艺参数和第一厚度，在所述材料上生长所述目标膜层。
一种硅基碲镉汞芯片制备方法碲镉汞红外探测器

[发明专利]晶体切割装置及方法-CN201910004083.4有效
发明人：吴学宾;周立庆;郝禄;侯晓敏;吴卿 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体切割装置及方法，涉及材料切割技术领域，晶体切割装置将工作台、切割机构、调晶机构和晶向检测机构集成一体化；调晶机构包括旋转机构和俯仰机构，晶向检测机构包括移动台、旋转装置、检测装置和电流表。晶体切割方法包括：将待切割晶体固定在料盘上；通过调晶机构在其自身旋转方向上调整待切割晶体的空间姿态，使得电流表达到峰值；再将晶向检测机构的检测装置旋转90°，通过调晶机构在其俯仰方向上调整待切割晶体的空间姿态，使得电流表达到峰值；锁定调晶机构，对待切割晶体进行切割。采用本申请的晶体切割装置及方法，切割出来的晶片晶向精度高，表面质量好，切割效率高。
晶体切割装置方法

[发明专利]自动排风装置-CN201910490495.3有效
发明人：王文丽;祝福生;郭立刚;周立庆;亢喆;肖钰 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种自动排风装置，涉及排风装置的技术领域，包括：排风管道和第一调节模块；其中，第一调节模块包括：旋转气缸、气缸安装架、第一挡片和第一转轴；排风管道内安装有第一转轴，且第一转轴的顶端与安装于排风管道外的旋转气缸连接，气缸安装架安装在排风管道上，用于固定旋转气缸，在第一转轴上固定有第一挡片，通过旋转气缸的通气转动带动第一转轴和第一挡片的旋转，以控制排风的开关动作。本发明通过旋转气缸的通气转动带动第一转轴和第一挡片的旋转的方式，能够控制排风的开关动作，从而实现排风装置进行自动排风的技术效果。
自动装置

[发明专利]晶圆测厚装置及晶圆测厚系统-CN201910077439.7有效
发明人：王勇威;范文斌;周立庆;李家明;温涛 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆测厚装置及晶圆测厚系统，涉及电子测量设备技术领域，以缓解现有技术中存在的晶圆良品率较低的技术问题。该晶圆测厚装置包括底板、测量机构和回转机构；测量机构包括支撑架、安装座和测距传感器；支撑架设置于底板；安装座连接于支撑架的远离底板的一端，且安装座开设测量槽口；两个测距传感器连接于安装座，且相向伸入测量槽口；回转机构连接于底板，回转机构能够转动，且旋转轴线垂直于测量槽口的内壁；回转机构的前端面所在平面位于测量槽口的两个内壁所在两个平面之间。本发明提供的技术方案提高了晶圆良品率。
晶圆测厚装置系统

[发明专利]一种用于反应腔室的拉杆结构-CN201810811928.6有效
发明人：魏唯;周立庆;邸拴虎;胡尚正;罗才旺;杨海燕;袁卫华;程文进;罗臻 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： F16J15/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于反应腔室的拉杆结构，包括拉杆、波纹管和驱动单元，拉杆一端位于反应腔室内，另一端位于反应腔室外，波纹管套于拉杆于反应腔室外的一端，波纹管的第二端与反应腔室密封连接，其第一端具有密封套，密封套套于拉杆上，密封套与拉杆之间设有环形密封腔，环形密封腔内于拉杆上依次套有第一密封圈、第一密封压垫、第二密封圈和第二密封压垫，第二密封压垫靠近密封套的外侧，拉杆与密封套的外侧设有用于压紧第二密封压垫的压紧件，驱动单元与密封套连接，并驱动密封套带动拉杆相对反应腔室往复直线移动。本发明将拉杆的密封由现有技术中的滑动密封转变为第一密封圈和第二密封圈的静态密封，密封效果好，对密封圈磨损小，稳定可靠。
一种用于反应拉杆结构

[发明专利]晶圆防脱落装置-CN201811617047.7有效
发明人：边晓东;高津平;刘豫东;孙国锋;周立庆;谢珩 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆防脱落装置，涉及晶圆清洗设备的技术领域。晶圆防脱落装置包括片盒固定架、转动组件和驱动组件；片盒固定架内用于固定待清洗的晶圆；片盒固定架连接在转动组件的一端，驱动组件连接在转动组件的另一端；驱动组件能够驱动转动组件旋转，使转动组件带动片盒固定架倾斜，并使转动组件控制片盒固定架的开口端的挡板部启闭。解决了晶圆在槽式设备内固定，清洗浸泡时，晶圆在自身浮力的作用下容易脱离晶圆片盒，造成晶圆损坏的问题。本发明通过驱动组件带动转动组件，便于晶圆放入片盒固定架，转动组件控制挡板部对开口端进行封闭，确保晶圆的位置牢固。
晶圆防脱落装置

[发明专利]晶圆减薄工艺-CN201910075042.4有效
发明人：王勇威;周立庆;夏楠君;黄鑫亮;亢喆 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄工艺，涉及晶圆减薄的技术领域，包括以下程序：测量程序、数据处理程序和减薄程序，通过测量装置测量出晶圆的质量和厚度，数据处理装置根据晶圆的质量和厚度以及其他参数计算出晶圆减薄后的目标质量，同时计算出晶圆需要减薄掉的质量和需要腐蚀的时间，晶圆在化学腐蚀腔内按照计算出的腐蚀时间进行腐蚀，以实现对晶圆厚度的减薄，晶圆减薄的工艺分别包括多次腐蚀时间计算及其对应的多次腐蚀过程，直至减薄后的晶圆的质量与目标质量相符合，缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显，难以保证较高减薄精度的技术问题，优化了晶圆的化学减薄工艺，使得晶圆减薄精度的控制工艺更加严谨、科学。
晶圆减薄工艺

[实用新型]一种液体回流混合装置-CN201921687285.5有效
发明人： 周立庆;周巧国;周华颖 -专利权人：南京特纳斯生物技术开发有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B01F7/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种液体回流混合装置，包括水仓，所述水仓的上方右侧设置有灌装机，灌装机的左侧连接有出液管和入液管，出液管位于入液管的上方，入液管的一端与灌装机相连接而另一端插入到水仓内且贴近水仓底面，出液管的一端与灌装机相连接而另一端置于水仓的上方，位于水仓内的入液管末端上套设有坠子，水仓的底端中部设置有搅拌杆，搅拌杆由水仓底部穿出与水仓底部外的电机相连接，搅拌杆上分布有旋转搅拌臂。大大提高了生产效率，降低了生产成本的同时也提高了生产质量。
一种液体回流混合装置

[外观设计]操作台（抽屉式）-CN202030133188.3有效
发明人：代金凤;周立庆 -专利权人：杭州和利时自动化有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：操作台（抽屉式）。2.本外观设计产品的用途：用于集散控制系统操作站工程师、操作员使用，放置电脑、显示器、打印机等设备。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
操作台抽屉

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