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[发明专利]一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法-CN200910046584.5有效
发明人： 周健华;潘尧波;颜建锋;郝茂盛;周圣明;杨卫桥;李抒智;马可军 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所;上海半导体照明工程技术研究中心
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO₂)(302)面衬底上，在N₂保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH₄)或者二茂镁(Cp₂Mg)，生长一层SiNx或者Mg₃N₂阻挡层，厚度为1-100nm，然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U-GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。
一种提高铝酸锂衬底极性 gan 薄膜质量方法

[发明专利]一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法-CN200910046585.X有效
发明人： 周健华;潘尧波;颜建锋;郝茂盛;周圣明;杨卫桥;李抒智;马可军 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所;上海半导体照明工程技术研究中心
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种在铝酸锂(302)面衬底上生长非极性a(11-20)面GaN薄膜的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO₂)(302)面衬底上，在N₂保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。本发明的创新点在于根据铝酸锂(302)面衬底的特点，设计了一套新的外延工艺，使得所生长的外延薄膜具有更高质量、更具有实用性。
一种铝酸锂衬底生长极性 gan 薄膜方法

[发明专利]能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法-CN200910046834.5有效
发明人：郝茂盛;周健华;张楠;陈诚;潘尧波 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法，其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层，然后采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的粗化GaN层的粗化表面形状转移至所述P-GaN层，从而使所述P-GaN层表面粗化，相对于现有工艺，此法操作简单，且粗化效果更为理想。
led gan 表面制作方法

[发明专利]高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法-CN200910046841.5有效
发明人：潘尧波;郝茂盛;张国义;颜建锋;周健华 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1.在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2.降低温度，在所述缓冲层上生长1至6个In_xGa_1-xN/GaN量子阱，接着生长1至6个In_yGa_1-yN/GaN量子阱，再生长4至15个In_zGa_1-zN/GaN量子阱；步骤3.在高温下，再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
in 组分 ingan gan 量子结构 led 制造方法

[发明专利]能增加出光率的LED制作方法-CN200910046838.3有效
发明人：郝茂盛;周健华;张楠;陈诚;潘尧波 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种能增加出光率的LED制作方法，其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、及P-GaN层的层叠结构，然后在所述层叠结构表面生成介质膜层，并采用图形曝光及刻蚀或蚀刻技术刻蚀或蚀刻所述介质膜层以形成具有多个镂空处的镂空图形，接着在所形成的镂空图形的各镂空处生长不掺杂的GaN突起以使所述P-GaN层表面粗化，再采用腐蚀法将介质膜层的未被镂空处去除，形成镂空微结构且粗化的P-GaN层表面，最后在该层表面制作所需电极以形成LED，由此可提高光子的出光率，进而提高所形成的LED的亮度。
增加出光率 led 制作方法

[发明专利]一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED-CN200910046837.9有效
发明人：潘尧波;郝茂盛;张国义;周健华;颜建锋 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，在蓝宝石衬底上依次向上生长有GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源层、p型ALGaN载流子阻挡层及p型GaN层，所述多量子阱有源层包括：用于释放应力的多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层、在所述多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层上生长的且用于提高晶体质量改善电学性质的多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层、及在所述多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层上生长的多量子阱In_zGa_1-zN/GaN发光层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。
一种 in 组分 ingan gan 量子结构 led

[发明专利]一种非极性GaN薄膜及其生长方法-CN200810200458.6有效
发明人： 周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种非极性GaN薄膜及其生长方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO₂)衬底上，在N₂保护下，升温到800－900℃，生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150－500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1－50sccm，对应于摩尔流量：4E－6mole/min－3E－4mole/min，然后降低压力至100－300torr，升温到1000－1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U－GaN)层，TMGa流量为10－200sccm，对应于摩尔流量：4E－5mol/min－1E－3mole/min，然后再升温到1150－1200℃，生长高温U－GaN约100nm，然后再降温到1000－1100℃生长U－GaN。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，短暂的高温U－GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。
一种极性 gan 薄膜及其生长方法

[发明专利]一种绿光发光二极管的制造方法-CN200810200456.7有效
发明人：潘尧波;郝茂盛;颜建锋;周健华;张国义 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种绿光发光二极管的制造方法，其主要通过在外延生长InGaN/GaN量子阱中引入一层插入层的方法减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，从而获得高亮度的，抗静电能力强的绿光发光二极管。引入插入层后，300微米×300微米的520nm的绿光LED芯片的20mA下的亮度由100mcd升高至250mcd，芯片的抗静电能力由人体模式500V提高至人体模式4000V。
一种发光二极管制造方法

[发明专利]一种非极性GaN薄膜的生长方法-CN200810200459.0有效
发明人： 周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种非极性氮化镓(GaN)薄膜的生长方法，其利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统在铝酸锂(LiAlO₂)衬底上合成生长GaN薄膜，其中，在生长GaN薄膜之前，首先在铝酸锂衬底背面背镀二氧化硅(SiO₂)或氮化硅(Si₃N₄)，一方面起应力平衡的作用，另一方面可以阻止衬底的分解，如Li的挥发等。
一种极性 gan 薄膜生长方法

[发明专利]一种绿光发光二极管-CN200810200457.1有效
发明人：潘尧波;郝茂盛;颜建锋;周健华;张国义 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种绿光发光二极管，包括含一插入层的In_xGa_1－xN/GaN多量子阱，其中0.15≤x≤0.35。所述插入层是In_yGa_1－yN，其中x＜y≤1或是Al_yGa_1－yN，其中0＜y≤1或是In_cAl_1－cN，其中x＜c≤1或是Al_aIn_bGa_1－a－bN，其中0＜a＜1，0＜b＜1，并且a，b的取值需满足Al_aIn_bGa_1－a－bN的势垒高于GaN的势垒；所述插入层的厚度是0.1～5nm；所述In_xGa_1－xN/GaN多量子阱的量子阱数目为1～20。此类二极管能减少InGaN和GaN间的V型缺陷，并减少In组分的析出，是一种高亮度、抗静电能力强的绿光发光二极管。
一种发光二极管

[发明专利]一种双轴水泥土搅拌机套接止水帷幕的施工方法-CN200810020944.X无效
发明人：刘鑫泉;刘祖春;李玉成;丁晓红;丁金海;许崇华;周健华;周忠民 -专利权人：江苏华东建设基础工程有限公司
申请日： 2008-08-08 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： E02D19/12 文献下载
摘要：一种用双轴水泥土搅拌机套接止水帷幕的施工方法，其施工步骤为：(1)平整场地；(2)将双轴水泥土搅拌机定位；(3)启动搅拌机进行一搅下沉，直至搅拌头达到设计深度；(4)二搅上升，边搅边喷水泥浆，搅拌头上升至水泥土搅拌桩的桩顶为止，形成第一个柱状固结体；(5)用清水清洗搅拌机的输浆管和搅拌头；(6)将搅拌机向前移动一个桩位；(7)重复步骤3、4，形成第二个柱状固结体，第一个柱状固结体后面一个水泥土搅拌桩与第二个柱状固结体前面一个水泥土搅拌桩形成套接，从而消除了二个柱状固结体之间的开叉问题；(8)连续重复步骤5、6、7直至完成基坑周边无开叉的止水帷幕，本发明方法提高了止水帷幕的整体性、连续性和防渗性，不仅节约施工场地，而且节省工程造价。
一种水泥搅拌机套接止水帷幕施工方法

[发明专利]一种止水帷幕渗漏通道快速探测仪系统及探测方法-CN200810124589.0无效
发明人：程知言;谢兴楠;朱德兵;蒋奇云;周健华;胡光云;平利娇;丁晓红 -专利权人：江苏华东建设基础工程有限公司
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： G01M3/00 文献下载
摘要：一种止水帷幕渗漏通道快速探测仪系统及探测方法。该探测仪由温度传感器、温度变送器、A/D转换及数据采集卡、USB接口、笔记本电脑及电源等组成；其探测方法为：首先在止水帷幕渗漏点四周，支护桩之间的岩土缝隙均匀布置若干等深度孔洞，其次以出水点为中心在相对坐标图上标示出各个孔洞和出水点方位位置，将温度测量探头放置孔洞中，测量孔洞底部土层介质的温度T，将温度T反映到坐标图上对应孔洞位置；当已开挖环境空气温度低于渗漏水温度时，坐标图上温度升高的方向为渗漏通道方向，当已开挖环境空气温度高于渗漏水温度时，坐标图上温度降低的方向为渗漏通道方向。本探测仪轻便、探测结果直观，效率高，适合在工程领域推广使用。
一种止水帷幕渗漏通道快速探测仪系统探测方法

[实用新型]新型马桶刷及其搁放器-CN200720052705.3无效
发明人： 周健华 -专利权人： 周健华
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： A47K11/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及日常生活用品特别是卫生间用品技术领域，特指一种新型马桶刷及其搁放器。包括马桶刷和搁放器，其中所述马桶刷具有poly杆底部的毛刷部，且poly杆上设有一卡块；所述搁放器为一侧上部开口的筒状体，其具有可容纳马桶刷毛刷部的容腔，且其顶面设有一可使poly杆径向卡入的卡口。采用上述结构后，可将poly杆上卡块以下的部分卡入搁放器顶部的卡口，然后卡块防止马桶刷下落，使毛刷部悬空，因此更易干燥，而更重要的是摆放时可将搁放器未开口的部位朝外，从而遮蔽马桶刷的毛刷，而且搁放器表面设置图案等，显得更雅观。
新型马桶及其搁放

[实用新型]毛巾挂件装置-CN200720052704.9无效
发明人： 周健华 -专利权人： 周健华
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： A47K10/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及洗浴用品技术领域，特指一种置于浴室中用于悬挂毛巾的毛巾挂件装置。其包括立座和安装于立座顶部的挂环，所述挂环具有位于内部的金属层和包覆于金属层的POLY层。所述立座包括底座和Poly立柱，立柱顶端横向设置挂耳，所述挂环穿设于挂耳。采用上述结构后，立座主体以及挂环采用Poly材料制作，大大降低成本，而且很方便加工图案等，增加挂件装置的外观效果，质量也大大减轻。
毛巾挂件装置

[发明专利]铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法-CN200610027647.9无效
发明人：周圣明;黄涛华;邹军;李抒智;周健华;王军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种在铝酸锂晶片上制备非极性GaN厚膜的方法，包括：方法一：用(302)面γ－LiAlO₂作为衬底，用氢化物气相外延方法制备面()面GaN厚膜。方法二：用(302)面γ－LiAlO₂作为衬底，通过金属有机化学气相沉积方法预先在(302)面γ－LiAlO₂衬底上制备出GaN薄膜，形成()GaN/(302)γ－LiAlO₂复合衬底，在此复合衬底上再用氢化物气相外延方法制备a面()GaN厚膜；剥离(302)面γ－LiAlO₂衬底后可制备出具有自支撑衬底的非极性的()GaN厚膜。本发明的非极性a面GaN厚膜可用于GaN的同质外延生长以及非极性III族氮化物器件的制备。
铝酸锂晶片生长极性 gan 方法