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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶圆处理设备与制造半导体装置的方法-CN202110042230.4有效
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤;侯国隆;张见诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：一种晶圆处理设备与制造半导体装置的方法，制造半导体装置的方法包含在处理设备中形成电浆以处理晶圆。停止形成电浆。在停止形成电浆后，降低承载晶圆的支撑盘至闲置高度，使处理设备的覆盖环的开口与处理设备的遮蔽罩的对准件嵌合。覆盖环的开口具有由上往下渐宽的宽度。
处理设备制造半导体装置方法

[发明专利]沉积室的清洁方法-CN202110372167.0在审
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：一种沉积室的清洁方法，包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上；执行沉积制程，以在基板上沉积材料层；将基板移出半导体处理腔室；执行第一清洁制程，其中执行第一清洁制程包括经由基板支撑件内的第一导管提供第一气体至半导体处理腔室内，以及开启射频源以产生第一气体的电浆以清洁基板支撑件的表面；以及执行第二清洁制程，其中执行第二清洁制程包括经由配置于半导体处理腔室的侧壁的第二导管提供第二气体至半导体处理腔室内，以及开启射频源以产生第二气体的电浆以清洁基板支撑件的表面。
沉积清洁方法

[发明专利]物理气相沉积反应室及其使用方法-CN202110301292.2在审
发明人：范致中;吴昇颖;林明贤;叶书佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本揭露的实施例为一种物理气相沉积反应室及其使用方法。物理气相沉积反应室的使用方法包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上方，其中基板支撑件被沉积环环绕；执行沉积制程，沉积制程通过轰击半导体处理腔室内的靶材，使靶材的材料沉积至基板上方，其中在沉积制程期间，靶材的材料沉积至沉积环的沉积槽内，其中沉积材料与沉积环的底表面的最小垂直距离为约1.78mm至约1.82mm；以及停止沉积制程以及将基板移出半导体处理腔室。
物理沉积反应及其使用方法

[发明专利]设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法-CN202110294505.3在审
发明人：范致中;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法。设备校准方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面。校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部，以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部。本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧。设备校准方法进一步包含：调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置，致使沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部在第一延伸部分别抵靠遮护板的侧面的第一位置与第二位置时不接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一位置、第二位置与遮护板的中央在第一轴向上排列。
设备校准方法维护半导体处理

[发明专利]物理气相沉积系统和处理标的物的方法-CN202110896282.8在审
发明人： 吴昇颖;林明贤;王柏伟;吕晓风 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本揭露提供了一种物理气相沉积(PVD)系统和处理标的物的方法。PVD系统包括一PVD腔室，PVD腔室界定一PVD空间，在PVD空间内将一标的物的一标的物材料沉积至一晶圆上。PVD系统包括PVD腔室中的标的物。标的物用以覆盖在晶圆上。标的物的一边缘自标的物的一第一表面延伸至标的物的一第二表面，第二表面与标的物的第一表面相反。标的物的边缘的一第一部分具有一第一表面粗糙度。标的物的边缘的第一部分自标的物的第一表面朝向标的物的边缘的一第二部分延伸至多6毫米。标的物的边缘的第二部分具有小于第一表面粗糙度的一第二表面粗糙度。
物理沉积系统处理标的物方法

[发明专利]物理气相沉积构件以及清洁静电吸盘的方法-CN202110215946.X在审
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本揭露提供一种物理气相沉积构件以及清洁静电吸盘的方法，清洁静电吸盘的方法包含将半导体晶圆置于物理气相沉积装置的静电吸盘上。半导体晶圆包含低k介电层位于下层结构上，以及抗反射层位于低k介电层上。沉积包含氮化钛的硬遮罩于抗反射层上，且包含氮化钛的污染物附着于物理气相沉积装置的腔室内。自静电吸盘上移开沉积有硬遮罩的半导体晶圆。污染物掉落至静电吸盘。施加清洁液于静电吸盘以移除污染物。清洁液包含硫酸浓度为约19wt％～21wt％的硫酸水溶液和过氧化氢浓度为约19wt％～21wt％的过氧化氢水溶液，且硫酸水溶液对过氧化氢水溶液的体积比为约0.9:1.1至约1.1:0.9。
物理沉积构件以及清洁静电吸盘方法

[发明专利]校正方法及半导体制造设备-CN202110172562.4在审
发明人：吴伟豪;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本揭示内容提供一种校正方法及半导体制造设备，校正方法包含以下操作。利用机械手臂将透明遮盘放置于承载平台之上，其中透明遮盘包含多个刻度，多个刻度等分地设置于邻近透明遮盘的弧形边缘，且透明遮盘的第一直径大于承载平台的第二直径。观测承载平台的边缘是否与透明遮盘的多个刻度对齐。当承载平台的边缘不与透明遮盘的多个刻度对齐时，调整机械手臂的参数。
校正方法半导体制造设备

[发明专利]处理腔室及基板处理方法-CN202110592418.6在审
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种处理腔室及基板处理方法，处理腔室包含接地屏及覆盖环。接地屏包含环形主体及自环形主体延伸的至少一个导销。覆盖环位于接地屏上，覆盖环包含环形主体，环形主体包含至少一个凹部。至少一个导销的至少一部分容纳于至少一个凹部中，内柱状环自环形主体延伸，外柱状环自环形主体延伸且通过环形主体的水平延伸的部分与内柱状环径向分隔。
处理方法

[发明专利]用于物理气相沉积反应室的组件-CN202110126445.4在审
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：一种用于物理气相沉积反应室的组件包含具有第一表面及与第一表面相对的第二表面的覆盖环，此覆盖环的此第一表面具有第一粗糙度；及具有面向覆盖环的第一表面及与此第一表面相对的第二表面的沉积环，此沉积环的第一表面具有第二粗糙度。第一粗糙度与第二粗糙度不同。
用于物理沉积反应组件

[发明专利]制造半导体元件的设备-CN202110129282.5在审
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤;陈濬甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种制造半导体元件的设备，包括腔室、晶圆支撑台、防护罩、盖环，及位置感测器。晶圆支撑台在腔室内，用于支撑一晶圆。防护罩安置在晶圆支撑台上方，防护罩具有暴露晶圆支撑台的至少一部分的第一开口。盖环安置在防护罩上方，盖环具有暴露晶圆支撑台的该部分的第二开口。位置感测器用于判定防护罩及盖环是否对准，使得径向偏移小于既定值，其中来自位置感测器的信号在径向偏移大于既定值时触发警报。为了减少电流警报在一半导体蚀刻或沉积制程中出现，一控制器判定一盖环及在一晶圆上方的一防护罩在一真空腔室内的相对位置的一偏移。该控制器在该偏移大于一预定值或在可接受值的一范围外时提供一位置警报及/或调整该盖环或该防护罩的位置。
制造半导体元件设备

[实用新型]一种啤酒酿造用硅藻土进料斗-CN201620017105.2有效
发明人：周丰;杨振;余增宝;陆香庆;朱福国;沙洲;吴昇颖 -专利权人：百威英博雪津啤酒有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C12H1/048 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种啤酒酿造用硅藻土进料斗，它包括进料仓、料包定位仓门以及筛网；所述进料仓包括中空的罩体和漏斗，该中空的罩体截面为直角梯形，直角梯形的下底边匹配地与漏斗的上顶边连接固定，罩体与漏斗连接部位内部固定连接有筛网，罩体后侧壁开设有进料口，进料口处可开合匹配连接有料包定位仓门，该料包定位仓门内表面上设有至少三根料包穿刺锥体，且料包定位仓门外表面上设有把手；本实用新型操作简单，省时省力，倾倒硅藻土环境全封闭，避免粉尘对工人的人身伤害，也杜绝了硅藻土遗撒带来的环境污染，且可完全将袋体内的残余硅藻土清除，节约了生产资源。
一种啤酒酿造硅藻土进料

[实用新型]一种啤酒生产罐用的观察盖-CN201620017263.8有效
发明人：李嵘;李强;王连星;李向阳;孙毅;胡维胜;吴昇颖 -专利权人：百威英博雪津啤酒有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C12C7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种啤酒生产罐用的观察盖，它包括可开合密封盖体，所述盖体上端面设有观察窗，观察窗处密封嵌设有透明玻璃；透明玻璃中心穿设有螺栓，螺栓的上端固定有转动把手，螺栓的下端穿过透明玻璃设于透明玻璃内表面外，一个限位螺母螺合于螺栓上并转动触接于透明玻璃外表面处，透明玻璃内表面上触接有蒸汽扫拭条，该蒸汽扫拭条的中部螺固于螺栓的下端，蒸汽扫拭条可以螺栓为轴贴合于透明玻璃内表面旋转；本实用新型保证观察窗内表面的清洁，可随时透过观察窗清楚得知糖化锅内的具体变化过程，避免糖化过程的失败。
一种啤酒生产观察

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