“吴承翰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果50个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210409576.8在审
发明人：林建里;陈正国;罗大刚;吴承翰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一基底、一栅极电极、一漏极电极、一源极电极以及一第一场板。基底包含一主动区，栅极电极设置于基底上，漏极电极设置于栅极电极的一侧，源极电极设置于栅极电极的另一侧，第一场板电连接于源极电极并由源极电极往漏极电极的方向延伸，其中第一场板与栅极电极的一重叠区域小于栅极电极与主动区的一重叠区域。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种锂电池NMP回收装置-CN202310801472.6在审
发明人：林钟江;郭少辉;吴承翰 -专利权人：广东欧赛莱科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01D29/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电池NMP回收装置，其特征在于，外壳下端固定连接有承接桶，外壳与承接桶之间设置有过滤板，外壳上端固定连接有盖板，承接桶下端中部固定连接有驱动电机，驱动电机的输出端设置有传动件，传动件设置于外壳内腔中部，传动件外壁设置有用于对过滤板上堆积的杂质进行刮除的清理机构，外壳内腔侧壁设置用于调节清理机构位置的导向机构，当传动件带动清理机构转动时，导向机构先将清理机构下移至与过滤板紧贴处，在清理机构转动一周后，导向机构将清理机构上移与过滤板分离并驱动其将杂质推出外壳。本发明能使进入外壳内腔的NMP溶液能够第一时间得到过滤，并且设置随着转杆转动的壳体对过滤板上遗留的杂质进行刮除。
一种锂电池 nmp 回收装置

[发明专利]半导体处理装置和利用静电放电(ESD)防止层的方法-CN202010051533.8有效
发明人：洪蔡豪;柯柄成;林子扬;刘芳瑜;吴承翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：提供了半导体处理装置和方法，其中，静电放电(ESD)防止层用于防止或减少在半导体晶圆和装置的一个或多个组件之间发生的ESD事件。在一些实施例中，一种半导体处理装置包括晶圆处理结构，晶圆处理结构配置为在半导体晶圆的处理期间支撑半导体晶圆。装置还包括位于晶圆处理结构上的ESD防止层。ESD防止层包括第一材料和第二材料，并且第二材料的电导率大于第一材料的电导率。本发明的实施例还涉及利用静电放电(ESD)防止层的方法。
半导体处理装置利用静电放电 esd 防止方法

[发明专利]形成开口于下方层中的方法-CN201810957232.4有效
发明人：林子扬;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：形成开口于下方层中的方法包括：形成光致抗蚀剂层于基板上的下方层上；曝光光致抗蚀剂层；以显影溶液显影曝光的光致抗蚀剂层，以形成光致抗蚀剂图案，且光致抗蚀剂图案覆盖欲形成开口的下方层的区域；形成液体层于光致抗蚀剂图案上；在形成液体层后，进行烘烤工艺以将液体层转变为固体型态的有机层；进行回蚀刻工艺以移除高于光致抗蚀剂图案的有机层的一部分；移除光致抗蚀剂图案，以经由有机层的其余部分露出下方层的部分；采用有机层的其余部分作为蚀刻掩模，形成所述多个开口于下方层中；以及移除有机层的其余部分。
形成开口下方中的方法

[发明专利]微影方法-CN201910462253.3有效
发明人：翁明晖;刘朕與;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。
方法

[实用新型]一种高效热回收的NMP回收系统-CN202222690698.7有效
发明人：廖任飞;蒋永忠;郭少辉;林钟江;吴承翰 -专利权人：广东欧赛莱科技有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B01D46/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高效热回收的NMP回收系统，包括：换热装置，包括换热器、表冷器、引风机与回风机，换热器的两端分别设置有第一出气口和第二出气口，第二出气口与回风机连通；换热器的对角还分别设置有第一进气口与第二进气口，第一进气口与引风机连通；表冷器用于对NMP降温，表冷器设置有分别对应连通第一出气口与第二进气口的第三进气口与第三出气口，及第四出气口；NMP吸附装置，NMP吸附装置与第四出气口之间通过管道连通，NMP吸附装置用于吸附处理NMP气体并排出废气。本实用新型的NMP回收系统提高了热回收效率较低，减少了能量消耗，有利于节约资源。
一种高效回收 nmp 系统

[发明专利]分配泵浦、分配系统及其操作方法-CN202210051037.1在审
发明人：林子扬;张育正;吴承翰;李尚昇;刘朕与;徐振益 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B05B9/04 文献下载
摘要：一种分配泵浦、分配系统及其操作方法，分配系统包含容纳分配材料的分配材料供应源与连接分配材料供应源的下游的分配泵浦。分配泵浦包含由第一导电材料制成的本体、一或多个第一电接点设于分配泵浦的本体上、以及一或多个第一连接线耦合在一或多个第一电接点的每一个与地之间。分配系统亦包含与分配泵浦的下游连接的分配喷嘴，分配喷嘴包含由第二导电材料制成的管子、一或多个第二电接点设于管子的外侧面、以及一或多个第二连接线耦合在一或多个第二电接点的每一个与地之间。
分配系统及其操作方法

[发明专利]具有转换率控制机制的电源转换器-CN202110663457.0在审
发明人：吴择序;吴承翰;陈富权;张云江 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开一种具有转换率控制机制的电源转换器。上桥开关的第一端耦接输入电压。下桥开关的第一端连接上桥开关的第二端。第一电容的第二端连接上桥开关的第二端以及下桥开关的第一端之间的节点。电感的第一端连接第一电容的第二端，并连接上桥开关的第二端以及下桥开关的第一端之间的节点。第二电容的第一端连接电感的第二端。第二电容的第二端接地。电流控制装置的输入端连接上桥缓冲器的电源输出端。电流控制装置的输出端连接上桥开关的第二端以及下桥开关的第一端之间的节点。
具有转换率控制机制电源转换器

[发明专利]具有不同安全工作区域的开关组件的电源转换器-CN202110233345.1在审
发明人： 吴承翰;陈富权 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开一种具有不同安全工作区域的开关组件的电源转换器。第一上桥开关的第一端耦接共享电压。第一下桥开关的第一端连接第一上桥开关的第二端。第一下桥开关的第二端接地。第二下桥开关的第一端连接至第一上桥开关的第二端以及第一下桥开关的第一端之间的节点。第二下桥开关的第二端接地。第二下桥开关的安全工作区域大于第一下桥开关的安全工作区域。在关闭第一下桥开关之后，关闭第二下桥开关。在开启第一下桥开关之前，先开启第二下桥开关。
具有不同安全工作区域开关组件电源转换器

[发明专利]基于动态空间映射的硅场效应管射频开关谐波预测方法-CN202110962245.2有效
发明人：李尔平;杨思晨;周杰峰;吴承翰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于动态空间映射的硅场效应管射频开关谐波预测方法。建立射频开关的非线性电容等效电路作为粗模型；谐波平衡仿真获得输入信号及其输出信号，建立时域动态神经网络，用谐波平衡仿真获得的信号训练获得预测网络；通过实际测试输入信号及其输出信号，利用预测网络建立细模型，利用实际测试得到的信号训练，用训练后的细模型实现谐波预测。本发明方法结合了精细模型精度高和粗模型速度快的优点，预测静态神经空间映射中缺失的任何电容效应和非准静态效应，较等效电路模型能够准确预测谐波。
基于动态空间映射场效应射频开关谐波预测方法

[发明专利]一种基于提升算法的硬件木马检测方法-CN201911142702.2有效
发明人： 吴承翰;李尔平 -专利权人：海宁利伊电子科技有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G06F21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于提升算法的硬件木马检测方法。根据集成电路的拓扑结构进行处理获得集成电路每个节点的第一、第二可控性值和可观性值；根据集成电路每个节点的第一、第二可控性值和可观性值进行基于密度的聚类，获得带类距离的矩阵；采用弱分类器进行训练分类，并组合弱分类器获得最终分类器，进而采用最终分类器对待测集成电路处理获得的带类距离的矩阵X’进行处理，获得待测集成电路的硬件木马检测结果。本发明在大样本条件下具有比旁路分析手段更高的准确率。
一种基于提升算法硬件木马检测方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN201711166831.6有效
发明人：翁明晖;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开实施例提供集成电路的制造方法。此方法包含提供基底，其具有顶面和从顶面凹陷的沟槽，将敏感材料层涂布于基底的顶面上，其中敏感材料层填入沟槽中，对敏感材料层执行活化处理，使得部分的敏感材料层化学性地改变，以及对敏感材料层执行湿式化学工艺，使得敏感材料层位于沟槽之上的顶部部分被移除，其中敏感材料层的剩余部分的顶面与基底的顶面大致上共平面。该方法可以消除凹凸不平的轮廓，提供了平坦化的顶面。
集成电路制造方法

[发明专利]用于电源转换器的任意切换频率的自动带宽控制系统-CN201910785842.5有效
发明人： 吴承翰;陈富权 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于电源转换器的任意切换频率的自动带宽控制系统。脉冲生成器依据比较信号输出默认频率信号。控制电路依据默认频率信号与从外部频率信号的频率，以控制第一开关与第二开关。第一电流镜连接输入电压源以及第一开关的第一端。第二比较器比较第二参考电压源与第一电流镜的输出电压，以输出比较信号。第二电流镜连接输入电压源、误差放大器以及第二开关的第一端。第二电流镜的电流控制误差放大器的转导增益，以调整电源转换器的带宽。
用于电源转换器任意切换频率自动带宽控制系统

[外观设计]鼠标-CN202130487239.7有效
发明人：坦耶尔·亚拉祖鲁;保罗·本杰明·沃尔夫森;尼古拉斯·吉金森;吴承翰;本杰明·埃伦伯格 -专利权人：罗技欧洲公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鼠标。2.本外观设计产品的用途：用作鼠标。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
鼠标

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201710631901.4有效
发明人：王筱姗;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。
半导体装置制作方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 50 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top