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[发明专利]管道受腐蚀程度的监测评估方法、系统、电子设备及介质-CN202111594735.8在审
发明人：何沫;孙明楠;陈涵;唐雨;李鹏程;吴冠霖;高健;李潮浪;周智勇;张凌帆;王勇;刘畅 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明公开了管道受腐蚀程度的监测评估方法、系统、电子设备及介质，涉及管道受腐蚀程度监测评估的技术领域，尤其涉及针对特高压直流输电系统对管道外壁腐蚀影响的监测评估技术领域，用于解决现有技术中不能对受影响的管道壁厚减薄进行全周期监测，从而不能对管道外壁腐蚀程度的评价和排流设施有效性评价的问题，本发明包括对管道全线开展管地电位检测；确定管道全线阴极区和阳极区分布；确定管道外腐蚀最严重影响段；计算流出的电流密度；计算管壁年腐蚀速率；评价管道受直流杂散的影响程度；本发明根据管壁年腐蚀速率可以将特高压直流杂散对管道的影响程度量化，从而可以同时实现对管道外壁腐蚀程度的评价和排流设施有效性的评价。
管道腐蚀程度监测评估方法系统电子设备介质

[发明专利]砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法-CN202310226845.1在审
发明人：薛军帅;吴冠霖;李泽辉;袁金渊;孙文博;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化硼共振隧穿二极管，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管能带结构不对称、无双向对称微分负阻特性、峰值电流及峰谷电流比低的问题。该器件包括衬底、外延层、发射极欧姆接触层、第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层、集电极欧姆接触层和集电极；发射极欧姆接触层上设置环形发射极。其中，第一和第二势垒层采用厚度相同的砷化硼材料，发射极与集电极欧姆接触区采用组分与厚度均相同的n型硼镓铟砷材料，第一和第二隔离层及量子阱层采用组分相同的硼镓铟砷材料，衬底采用高热导率砷化硼单晶。本发明器件无自发极化效应并有双向对称微分负阻效应，峰值电流与峰谷电流比高，可用于太赫兹波源和数字逻辑电路。
砷化硼共振二极管及其制作方法

[发明专利]氮化物PN结肖特基二极管及制备方法-CN202310080426.1在审
发明人：薛军帅;李泽辉;吴冠霖;袁金渊;郭壮;李祖懋;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物PN结肖特基二极管，主要解决现有垂直型氮化物肖特基二极管击穿电压低的问题。其自下而上包括阴极(5)、衬底(1)、n+AlxGa1‑xN传输层(2)、钪钇铝氮/氮化镓叠层结构(3)、钪钇铝氮/氮化铝叠层结构(4)及阳极(6)。这两个叠层结构(3，4)中的氮化物材料与钪钇铝氮材料依次周期性生长，每层钪钇铝氮厚度为3nm‑50nm，组分保持不变，两者的总厚度和周期相同或不同，且整体钪组分为0％‑35％，钇组分为0％‑25％。本发明利用氮化物材料极化效应形成垂直PN结，利用ScYAlN铁电极化效应提高反向耐压，降低了反向漏电，提高了击穿电压，可用于微波整流和功率开关电路。
氮化物 pn 结肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种用于缺陷检测的探头、装置、方法及电子设备-CN202211631409.4在审
发明人：宋汉成;张理飞;吴冠霖;颜廷伟;张春娟;李锦浩 -专利权人：通奥检测集团股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01N27/87 文献下载
摘要：本申请提供一种用于缺陷检测的探头、装置、方法及电子设备。用于缺陷检测的探头可以包括：基板、发射单元和接收单元，基板具有彼此相背的第一表面和第二表面，发射单元设置在第一表面，接收单元的至少部分设置在第二表面，接收单元能够接收发射单元的磁场信号，接收单元包括：第一接收线圈和第二接收线圈，第一接收线圈的至少部分和第二接收线圈的至少部分分别与第二表面连接，第一接收线圈中至少部分沿第一方向延伸且至少部分沿与第一方向垂直的第二方向延伸，第二接收线圈中至少部分沿第一方向延伸且至少部分沿第二方向延伸，第一接收线圈和第二接收线圈在第二表面呈中心对称设置，且第一接收线圈和第二接收线圈以差分方式连接。
一种用于缺陷检测探头装置方法电子设备

[发明专利]一种无人集群协同博弈对抗的控制方法及系统-CN202011086644.9有效
发明人：包卫东;朱晓敏;梁文谦;王吉;吴冠霖;牛莅原;陈超;马力;闫辉;高雄;张雄涛 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本说明书提供一种无人集群协同博弈对抗的控制方法及系统，该方法可以包括：基于预建立的协同博弈对抗的元任务字典，提取无人集群对抗任务的对抗场景，对所述无人集群对抗任务进行协同分解，并执行分解后的对抗任务；当任一所述对抗任务的行动出现偏差时，基于所述对抗任务的实时态势执行信息对所述对抗任务的对抗计划进行调整。本发明能够实现对无人集群各类博弈对抗任务的规范化描述，支撑对抗任务的合理分配以及调整，确保无人平台能够发挥其最大博弈对抗效能；基于行动偏差的临机调整机理，实现无人集群博弈对抗快速、自动、精准分解分配的需求。
一种无人集群协同博弈对抗控制方法系统

[发明专利]一种用于视频编码的计算系统及视频编码方法-CN202110340437.X有效
发明人：裴泰延;秦明海;吴冠霖;陈彦光;周擎岗;谢少林 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04N19/42 文献下载
摘要：场景感知视频内容编码技术可确定视频内容是否是给定内容类型并且是否是包括一个或多个给定场景的一个或多个给定标题中的一个。可使用对应的场景特定的编码参数值来对所述给定类型和所述标题中的给定标题的视频内容的一个或多个给定场景进行编码，并且可使用一个或多个通用编码参数值来对非给定场景进行编码。可基于所述给定类型的各种视频内容标题的流式传输的速率来选择所述一个或多个给定标题。
一种用于视频编码计算系统方法

[发明专利]存储介质、脱盐脱水率在线监测方法、装置、系统和设备-CN202111270077.7在审
发明人：陶丽楠;胡学良;王美威;时振堂;吴冠霖 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01N27/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储介质、脱盐脱水率在线监测方法、装置、系统和设备，其中所述方法包括：获取电脱盐系统的工况参数数据；实时获取电脱盐变压器初级侧或次级侧的电压数据和电流数据；根据电压数据和所述电流数据中的电压、电流的基波幅值和相位，计算电脱盐罐的电极板间的当前电阻值和当前电容量；根据当前电阻值和当前电容量计算当前介质损耗角数据；以标准介质损耗角数据和所述标准电阻值为参照，根据当前介质损耗角数据或当前电阻值确定电脱盐系统当前的脱盐脱水是否达标。本发明无需进行对脱盐罐中的原油进行取样分析，因此能够大大的提高脱盐脱水率监测的时效性，进而有利于后续设备(如常减压装置)的安全运行。
存储介质脱盐脱水在线监测方法装置系统设备

[发明专利]交流电直接供能的蓄电装置和系统-CN202111267817.1在审
发明人：时振堂;周金广;王美威;吴冠霖;熊楠;柴晓华 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01M10/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种交流电直接供能的蓄电装置和系统，其中所述交流电直接供能的蓄电装置包括传动部件和电解蓄电单元；电解蓄电单元包括可励磁磁路、注有电解液的环状电解池和交流电源；环状电解池包括的电解池隔膜用于将电解液分隔为阴极室和阳极室；阴极室和阳极室分别设有的阴极板和阳极板均设有输出接口；可励磁磁路包括多个缠有电磁线圈的磁芯；磁芯设于环状电解池外，且磁芯上下两端连接有极靴对；与原动机连接的传动部件用于驱动交流电源生成交流电；交流电源在极靴对间生成可转动磁场；可转动磁场使电解池隔膜两侧的电解液之间生成感生电势和感生电流。本发明可以有效的简化电解装置的结构，并降低了在能量多次转换过程中所造成能量损耗。
交流电直接装置系统

[发明专利]电脱盐系统及其电源设备和电源控制装置-CN202111270099.3在审
发明人：陶丽楠;时振堂;王美威;胡学良;吴冠霖 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本发明公开了电脱盐系统及其电源设备和电源控制装置，其中所述电源控制装置包括：交流电源连接的第一回路连接变压器的初级线圈；第一回路包括串接的第一电感和第二电感；第一电感和第二电感间连接谐振电容的正极，谐振电容与所述第一电感形成工频谐振；第一回路设有常闭开关；变压器的次级线圈输出端连接脱盐装置的电脱盐罐的电极构成第二回路；开关控制单元，用于当述初级线圈或次级线圈达到预设电压阈值时生成断开常闭开关的控制指令。通过本发明，能够在脱盐的过程中随着电脱盐罐内原油含盐含水率的不断下降而相应的提高电脱盐罐电极板间的电压和场强，从而实现了电源设备自动的调节。
脱盐系统及其电源设备控制装置

[发明专利]交流电直接供能的电解装置和系统-CN202111267982.7在审
发明人：时振堂;王美威;周金广;吴冠霖;熊楠;柴晓华 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C25B9/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种交流电直接供能的电解装置和系统，其中所述交流电直接供能的电解装置包括可励磁磁路、环状电解池和交流电源；环状电解池内注有电解液；环状电解池包括电解池隔膜、电解产物的输出管道和电解液的补充管道；电解池隔膜用于将电解液分隔为阴极室和阳极室；阴极室和阳极室分别设有阴极板和阳极板；阴极板和阳极板之间电路短接；可励磁磁路包括多个缠有电磁线圈的磁芯；磁芯设于环状电解池外，且磁芯上下两端连接有与环状电解池适配的极靴对；交流电源与电磁线圈连接，用于在极靴对间生成可转动磁场。本发明可以有效的简化电解装置的结构，并降低了在能量多次转换过程中所造成能量损耗。
交流电直接电解装置系统

[发明专利]氮化物声表面波器件与场效应晶体管的单片集成电路及制作方法-CN202211607565.7在审
发明人：薛军帅;吴冠霖;姚佳佳;郭壮;李泽辉;袁金渊;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物声表面波器件与场效应晶体管的单片集成电路，主要解决氮化物声表面波器件与场效应晶体管难外延集成的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、压电铁电层。势垒层为钪铟铝镓氮材料，压电铁电层为连续外延单晶钪铝氮材料。沟道层至压电铁电层中的刻蚀凹槽形成分隔区，并填充钝化层；该分隔区一侧的压电铁电层与其上叉指电极构成声表面波器件；另一侧设置欧姆接触区及源、漏电极，并与沟道层至压电铁电层、钝化层、栅电极构成场效应晶体管。本发明在外延单晶材料上制备氮化物声表面波器件与场效应晶体管的单片集成电路，提高了电路性能及频段、带宽的匹配性能，可用于通信射频前端的信号处理系统。
氮化物表面波器件场效应晶体管单片集成电路制作方法

[发明专利]外延级氮化物器件单片异构集成电路及其制作方法-CN202211607532.2在审
发明人：薛军帅;李天浩;吴冠霖;姚佳佳;袁金渊;李泽辉;郭壮;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延级氮化物器件单片异构集成电路，主要解决现有声表面波器件工作频段不易调控且难与高电子迁移率晶体管外延异构集成的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、极化层，叉指电极与其下方对应的极化层构成氮化物声表面波器件；源、漏电极与沟道层、插入层、势垒层、栅电极及栅电极下方对应的极化层构成氮化物高电子迁移率晶体管；该声表面波器件位于晶体管栅源导通区，两者共用极化层且通过叉指电极与栅电极和源电极之间填充的钝化层隔离。本发明通过调节高电子迁移率晶体管二维电子气浓度来调控声表面波器件的工作频段和带宽，易实现氮化物器件单片外延集成和异构铁电集成，可用于滤波‑微波射频前端系统。
外延氮化物器件单片集成电路及其制作方法

[发明专利]集成有氮化物器件的非易失性多值逻辑存储器及其制作方法-CN202310141282.6在审
发明人：薛军帅;袁金渊;吴冠霖;李泽辉;孙文博;姚佳佳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10B99/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成有氮化物器件的非易失性多值逻辑存储器，主要解决现有氮化物非易失性存储器功耗高、寿命短、逻辑态对比度低、存储密度低的问题。其自下而上包括衬底、场效应晶体管、浮栅层、共振隧穿二极管、隔离层、栅极接触层和栅电极。该场效应晶体管由成核层、缓冲层、背势垒层、沟道层、插入层、第一势垒层、源漏电极构成，该共振隧穿二极管由第二势垒层、第一量子阱层、第三势垒层、第二量子阱层、第四势垒层构成。通过调控场效应晶体管异质结界面沟道的载流子浓度控制沟道的开启与关闭，通过共振隧穿二极管的微分负阻效应实现多值态输出电流。本发明功耗低、寿命长、逻辑态对比度高、可靠性强，可用于高密度存储和多值逻辑电路。
集成氮化物器件非易失性多值逻辑存储器及其制作方法

[发明专利]在视频超分辨率中使用解码器信息的系统和方法-CN202110194821.3有效
发明人：秦明海;裴泰延;吴冠霖;陈彦光 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2021-02-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04N19/42 文献下载
摘要：一种用于在视频超分辨率处理中使用解码器信息的系统。压缩视频缓冲模块被用于接收压缩视频流，并且解码器模块被用于将所述压缩视频流解码成未压缩流并从所述未压缩流中提取运动矢量信息。视频超分辨率深度神经网络处理器模块被用于结合所述运动矢量信息处理所述未压缩流以产生视频超分辨率流。输出缓冲模块被用于缓冲所述视频超分辨率流以供后续输出。
视频分辨率使用解码器信息系统方法

[发明专利]低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202211656341.5在审
发明人：薛军帅;孙文博;吴冠霖;姚佳佳;袁金渊;郭壮;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有硅衬底上氮化镓材料与硅衬底界面漏电及器件射频损耗大的问题。其自下而上包括硅衬底、射频损耗抑制层、沟道层、AlN插入层、势垒层，该势垒层上依次设有绝缘栅介质层和栅电极，两侧为源、漏电极。该射频损耗抑制层为AlN与过渡金属氮化物ScYAlN复合叠层结构，过渡金属氮化物层组分沿生长方向从AlN渐变到与沟道层面内晶格常数匹配的组分。本发明能避免硅衬底上采用MOCVD高温生长AlN成核层时铝原子与硅衬底的回熔刻蚀，抑制异质外延界面漏电和器件射频功率损耗，提高硅基氮化镓器件击穿电压和可靠性，可用于微波毫米波射频集成电路和高能效功率开关。
射频损耗氮化电子迁移率晶体管及其制作方法