专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法-CN202310226845.1在审
  • 薛军帅;吴冠霖;李泽辉;袁金渊;孙文博;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学
  • 2023-03-09 - 2023-06-23 - H01L29/88
  • 本发明公开了一种砷化硼共振隧穿二极管,主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管能带结构不对称、无双向对称微分负阻特性、峰值电流及峰谷电流比低的问题。该器件包括衬底、外延层、发射极欧姆接触层、第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层、集电极欧姆接触层和集电极;发射极欧姆接触层上设置环形发射极。其中,第一和第二势垒层采用厚度相同的砷化硼材料,发射极与集电极欧姆接触区采用组分与厚度均相同的n型硼镓铟砷材料,第一和第二隔离层及量子阱层采用组分相同的硼镓铟砷材料,衬底采用高热导率砷化硼单晶。本发明器件无自发极化效应并有双向对称微分负阻效应,峰值电流与峰谷电流比高,可用于太赫兹波源和数字逻辑电路。
  • 砷化硼共振二极管及其制作方法

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