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[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和摄像装置-CN202080071292.1在审
发明人： 君塚直彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种能够抑制晶体管特性变化的半导体装置、半导体装置的制造方法和摄像装置。所述半导体装置包括半导体基板和设置在该半导体基板的第一主表面侧的场效应晶体管。所述场效应晶体管包括：形成有沟道的半导体区域；覆盖半导体区域的栅电极；和设置在半导体区域与栅电极之间的栅极绝缘膜。所述半导体区域具有上面和第一侧面，该第一侧面在栅电极的栅极宽度方向上位于所述上面的一侧。所述栅电极具有隔着栅极绝缘膜面向上面的第一部分和隔着栅极绝缘膜面向第一侧面的第二部分。所述第一部分的第一端面和所述第二部分的第二端面在栅电极的栅极长度方向上的至少一端处齐平。
半导体装置制造方法摄像

[发明专利]固态成像装置-CN202080034647.X在审
发明人：中泽圭一;财津光一郎;藤井宣年;樋浦洋平;森茂贵;冈本晋太郎;大岛启示;万田周治;山元纯平;柚贺优衣;三宅慎一;神户智树;绪方亮;宫路达贵;中川进次;山下浩史;浜本宁;君塚直彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的固态成像装置包括：第一半导体层，其针对每个像素包括光电转换部和电荷累积部，在电荷累积部中累积有由光电转换部产生的信号电荷；像素分离部，其设置在第一半导体层中，并且将多个像素彼此分隔；第二半导体层，其设置有像素晶体管并且层叠在第一半导体层上，像素晶体管读出电荷累积部的信号电荷；和第一共享连接部，其设置在第二半导体层和第一半导体层之间，并且被设置成跨越像素分离部并且连接到多个电荷累积部。
固态成像装置

[发明专利]半导体元件、半导体装置以及二者的制造方法-CN202080011584.6在审
发明人： 君塚直彦;片冈豊隆;工藤義治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供能进一步提高具有包围板状沟道区域的三个表面的栅极电极的半导体元件性能的半导体装置。本发明包括：半导体层；沟道区域，设在半导体层上；第一主电极区域和第二主电极区域，设为面对在沟道区域的沟道长度方向上的两个端侧；栅极绝缘膜，设在第一沟槽和第二沟槽的内壁上及在沟道区域的上表面上，第一沟槽和第二沟槽设在沟道区域的相对的两侧；栅极电极，包括隔着栅极绝缘膜嵌入在第一沟槽中的第一突出部、隔着栅极绝缘膜嵌入在第二沟槽中的第二突出部和水平部，水平部连接至第一突出部和第二突出部的上端部且隔着栅极绝缘膜设在沟道区域的上表面上；其中，第一主电极区域和第二主电极区域的深度等于或大于第一突出部和第二突出部的深度。
半导体元件装置以及二者制造方法

[发明专利]固态摄像装置的制造方法-CN201310349327.5有效
发明人： 君塚直彦;松本拓治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固态摄像装置的制造方法，能够防止在形成偏移间隔层时对硅基板的蚀刻损伤，抑制像素晶体管的噪声的产生和光电转换部的白点的产生。在半导体基板（11）上形成覆盖经由逻辑电路部（14）的晶体管的第1栅绝缘膜（31N、31P）形成的第1栅电极（32N、32P）、经由像素晶体管部（12）的第2栅绝缘膜（51）形成的第2栅电极（52）、浮动扩散部的形成区域（AFD）和光电转换部（21）的第1绝缘膜（71）后，在用掩模（83）覆盖光电转换部（21）、像素晶体管部（12）和浮动扩散部的形成区域（AFD）的状态下，对第1绝缘膜（71）进行回蚀，从而在第1栅电极（32N、32P）的侧壁上形成偏移间隔层（33）。
固态摄像装置制造方法

[发明专利]固态摄像装置的制造方法-CN201010128699.1有效
发明人： 君塚直彦;松本拓治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固态摄像装置的制造方法，能够防止在形成偏移间隔层时对硅基板的蚀刻损伤，抑制像素晶体管的噪声的产生和光电转换部的白点的产生。在半导体基板(11)上形成覆盖经由逻辑电路部(14)的晶体管的第1栅绝缘膜(31N、31P)形成的第1栅电极(32N、32P)、经由像素晶体管部(12)的第2栅绝缘膜(51)形成的第2栅电极(52)、浮动扩散部的形成区域(AFD)和光电转换部(21)的第1绝缘膜(71)后，在用掩模(83)覆盖光电转换部(21)、像素晶体管部(12)和浮动扩散部的形成区域(AFD)的状态下，对第1绝缘膜(71)进行回蚀，从而在第1栅电极(32N、32P)的侧壁上形成偏移间隔层(33)。
固态摄像装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710106452.8在审
发明人： 君塚直彦;中原宁 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：硅衬底；接触硅衬底上部而提供的SiO₂膜；和p型MOSFET，其包括接触SiO₂膜的上部而提供的多晶硅膜。此外，SiO₂膜的内部或SiO₂膜和多晶硅膜之间的界面提供有如下区域，该区域包括面密度不高于1.3×10¹⁴原子/cm²的Hf和Zr中的至少一种金属元素。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]CMOS半导体器件-CN200510136214.2无效
发明人：益冈有里;君塚直彦;今井清隆;岩本敏幸 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在使用相同的电源电压工作的区域中形成N型MOSFET(118)和P型MOSFET(120)时，使N型MOSFET(118)的栅绝缘膜(106a)的厚度比P型MOSFET(120)的栅绝缘膜(106b)的厚度厚。
cmos 半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200510071227.6有效
发明人： 君塚直彦;今井清隆;益冈有里;岩本敏幸;西藤哲史;渡边启仁;多田鲇香 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体器件100包括：硅衬底102；N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)118，其包括在硅衬底102上形成的高浓度高介电常数膜108b和多晶硅膜114；和P型MOSFET 120，其包括在硅衬底102上形成的并与N型MOSFET 118并列的低浓度高介电常数膜108a和多晶硅膜114。低浓度高介电常数膜108a和高浓度高介电常数膜108b由含有从包括Hf和Zr的组中选择的一种或多种元素的材料组成。包含在低浓度高介电常数膜108a中的上述金属元素的浓度低于包含在高浓度高介电常数膜108b中的上述金属元素的浓度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200510071225.7有效
发明人： 君塚直彦;今井清隆;益冈有里;岩本敏幸;西藤哲史;渡边启仁;寺井真之 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体器件100包括：硅衬底102；N型MOSFET118，其包括在硅衬底102上形成的第一高介电常数膜111和多晶硅膜114；和P型MOSFET 120，其包括在硅衬底102上与N型MOSFET 118并列的第二高介电常数膜112和多晶硅膜114。第二高介电常数膜112被形成为其膜厚较薄于第一高介电常数膜111的膜厚。第一高介电常数膜111和第二高介电常数膜112包含从包括Hf和Zr的组中选择的一种或多种元素。
半导体器件

[发明专利]包含多层电极结构的半导体器件-CN200510051737.7无效
发明人：益冈有里;君塚直彦 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-03-01 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：在包括半导体衬底(10；56)的半导体器件中，在半导体衬底上提供至少一个电极结构(34，36；72，74)。将电极结构构造成多层电极结构，其包括形成在半导体衬底表面上并由所显现的介电常数大于二氧化硅的介电材料构成的绝缘层(34A，36A；72A，74A)、形成在绝缘层上并由多晶硅构成的下电极层(34B，36B；72B，74B)、和形成在下电极层上并由多晶硅构成的上电极层(34C，36C；72C，72D)。下电极层的特征在于，其多晶硅的平均晶粒尺寸大于上电极层多晶硅的平均晶粒尺寸。
包含多层电极结构半导体器件

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