专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]IGBT器件的制作方法及IGBT器件-CN202310425489.6在审
  • 颜天才;钟育腾;吕昆谚;黄任生;杨列勇;陈为玉 - 物元半导体技术(青岛)有限公司
  • 2023-04-19 - 2023-09-08 - H01L21/331
  • 本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件,制作方法包括:提供一第一硅片和第二硅片;在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺)、沉积层间介质层、第一金属层以及第一硬掩膜;在第二硅片正面沉积第二硬掩膜,将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法,在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺,此时的第一硅片不再是薄片,IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题;同时,在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。
  • igbt器件制作方法
  • [发明专利]IGBT器件的制作方法及IGBT器件-CN202310422241.4在审
  • 颜天才;吕昆谚;黄任生;杨列勇;陈为玉 - 物元半导体技术(青岛)有限公司
  • 2023-04-19 - 2023-07-04 - H01L21/331
  • 本发明提出一种IGBT器件的制作方法及IGBT器件,制作方法包括:提供一第一硅片和第二硅片;在第一硅片正面制作MOSFET(IGBT正面工艺),沉积层间介质层、第一金属层以及第一硬掩膜;在第二硅片正面沉积第二硬掩膜,将第一硅片正面与第二硅片正面键合。本申请提供的IGBT器件的制作方法,在第一硅片和第二硅片形成键合之后进行第一硅片的背面工艺,此时的第一硅片不再是薄片,IGBT器件可以做到更薄。更薄的IGBT器件可以有效的解决大功率器件的散热问题;同时,在第一硅片背面进行的场终止FS区、集电极P型区制作工艺的稳定性更高。
  • igbt器件制作方法
  • [发明专利]刻蚀方法-CN202111238596.5在审
  • 邱岩栈;廖俊明;黄汇钦;李镇全;吕昆谚 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-10-25 - 2022-02-11 - H01L21/336
  • 本申请公开了一种刻蚀方法,该刻蚀方法应用于FinFET器件的制备工艺中,包括:在衬底上形成第一绝缘层,第一绝缘层覆盖衬底上的第一鳍式结构和第二鳍式结构,第一鳍式结构的高度高于所述第二鳍式结构的高度,第一绝缘层在衬底上不同区域的厚度不同,第一鳍式结构上依次形成有氧化层、第一硬掩模层和第二硬掩模层;对第一绝缘层进行第一次平坦化处理,直至第一硬掩模层暴露;去除目标区域中的第一鳍式结构、第二鳍式结构和第一绝缘层,在目标区域形成沟槽;形成第二绝缘层,第二绝缘层填充沟槽;进行第二次平坦化处理,直至第一硬掩模层暴露。本申请通过在对鳍式结构进行刻蚀截断之前对第一绝缘层进行平坦化处理,在一定程度上降低了厚度负载效应。
  • 刻蚀方法
  • [发明专利]平面栅MOSFET-CN201810418173.3有效
  • 吕昆谚;谢玟茜;王世铭;黄志森;胡展源 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-05-04 - 2021-10-15 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种平面栅MOSFET包括:形成于半导体衬底上的浅沟槽场氧,被浅沟槽场氧所隔离出来的半导体衬底组成有源区;浅沟槽场氧的顶部表面被回刻到低于半导体衬底的顶部表面的位置;一个以上的平面栅形成于有源区上并延伸到有源区两侧的浅沟槽场氧表面;平面栅的长度方向和沟道的长度方向垂直,在沿平面栅的长度方向上的有源区和浅沟槽场氧的交界处平面栅侧面覆盖有源区的顶部突出部分。本发明能消除浅沟槽场氧在沿平面栅的长度方向上的有源区和浅沟槽场氧的交界处产生的漏电,提高器件的性能。
  • 平面mosfet
  • [发明专利]影像感测机构和影像撷取装置-CN201110041341.X有效
  • 吕昆谚 - 佳能企业股份有限公司
  • 2011-02-17 - 2012-08-22 - H04N5/225
  • 本发明是关于一种影像感测机构和影像撷取装置。其中的影像感测机构包含一转轴、一光电转换单元以及一镜头。该转轴具有一承载座及一固定件;该光电转换单元设置于该承载座上;该镜头与该固定件相接合,且该镜头借由该固定件与该光电转换单元相对旋转。其中的影像撷取装置,包含一本体、一转轴、一光电转换单元以及一镜头。该本体具有一光轴;该镜头与固定件相接合,且该镜头借由该固定件以该光轴为中心旋转。本发明的影像感测机构与影像撷取装置具有符合人体工学、易于使用等优点,非常适于实用。
  • 影像机构撷取装置
  • [实用新型]固定座-CN200720126526.X无效
  • 洪国元;江为人;吕昆谚 - 金宝电子工业股份有限公司
  • 2007-08-08 - 2008-09-10 - H05K7/00
  • 本实用新型是一种固定座,此固定座包括:一固定座本体、一吸附部与一支撑架。固定座本体具有一下壳体与一上壳体,此下壳体的侧面为具有一倾斜角度的圆锥面,而上壳体则设置在下壳体的上方表面上。此外,吸附部设置在固定座本体的下方。而且,支撑架呈U字形状,此支撑架的两端枢接在固定座本体上,且支撑架围绕着上壳体。
  • 固定
  • [发明专利]可调节式支架结构-CN200610165818.4无效
  • 王瑞麟;吕昆谚 - 金宝电子工业股份有限公司
  • 2006-12-12 - 2008-06-18 - G12B9/08
  • 本发明是一种可调节式支架结构,其主要是一第一杆件、一第二杆件以及一调节装置所构成,所述第二杆件透过一端固接的一块状体枢设在所述调节装置中,所述调节装置是固设于所述第一杆件上,且所述调节装置主要是利用螺旋结构操作一下承座在所述调节装置中的位置,进一步控制所述第二杆件的块状体为松脱或紧固状态,藉以调整支架结构的机构姿态。
  • 调节支架结构
  • [发明专利]支架-CN200610161195.3无效
  • 吕昆谚;庄明智 - 金宝电子工业股份有限公司
  • 2006-12-11 - 2008-06-18 - G12B9/08
  • 本发明提供一种支架,支架包括固定座、固定装置与锁固装置,其中固定装置具有固定架与被锁固体,而锁固装置包括套爪与套筒。套爪包括底部与多个凸片,套爪固定于固定座上,且被锁固体放置于套爪中。其中,凸片纵向凸设于底部,在每一凸片的外表面中,部分区域较其它区域向外凸出。套筒套合着套爪并具有一筒壁,筒壁具有数个区段,每一区段与每一凸片相对应,在每一区段的内表面中,部分区域较其它区域向内凸出。其中,当筒壁的内表面中较凸出的区域与凸片的外表面中较凸出的区域相接触时,凸片向内倾斜并按压被锁固体。
  • 支架
  • [发明专利]电子装置固定架结构-CN200610149733.7无效
  • 吕昆谚;王瑞麟 - 金宝电子工业股份有限公司
  • 2006-11-20 - 2008-06-04 - H05K7/16
  • 本发明涉及一种电子装置固定架结构,其具有数个杆件,所述杆件之间是分别透过一枢接装置枢接,其中至少一杆件是局部内具有一容置空间,使得所述杆件之间作相对枢转。本发明的电子装置固定架结构更具有一固锁装置,所述固锁装置中的一扳手底端对应所述容置空间而枢接于对应的杆件上,且所述扳手底端的枢接部是穿透所述杆件并于所述容置空间中固接一凸轮,且所述容置空间在对应所述凸轮处滑动设置一压掣块,并透过一弹簧限制所述压掣块紧密接触所述凸轮,使得所述凸轮的枢转可选择所述压掣块的滑动位置为脱离接触所述转轴以及选择所述压掣块的滑动位置为紧密压掣所述转轴中的任一状态。
  • 电子装置固定结构

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