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[发明专利]热化学汽相沉积系统及其操作方法-CN201610889738.7有效
发明人：罗谚展;赖以方;吕伯雄;刘定一;廖锡文;许凯翔;谢政辉;林贤辉;徐瑞甫;吴成宗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：热化学汽相沉积(CVD)系统包括底室、上室、工件支撑件、加热器和至少一个屏蔽板。上室存在于在底室上方。室间隔限定在上室和底室之间。工件支撑件配置为在室间隔中支撑工件。加热器配置为对工件应用热量。屏蔽板配置为至少部分地为底室屏蔽热量。本发明实施例涉及热化学汽相沉积系统及其操作方法。
热化学底室上室工件支撑件沉积系统室间隔加热器加热器配置屏蔽板配置屏蔽板中支撑屏蔽沉积配置应用

[发明专利]用于在半导体制造中控制等离子体的系统和方法-CN201610107736.8有效
发明人：吴成宗;吕伯雄;刘定一;廖锡文;孔祥昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种用于在半导体制造中控制等离子体的等离子体处理系统和方法。该系统包括被配置为生成等离子体的远程等离子体模块。该系统还包括被配置为接收等离子体的化合物混合室。该系统还包括被配置为接收来自化合物混合室的用于处理的等离子体的处理室。另外，该系统包括被配置为监控化合物混合室中的等离子体的检测模块。
用于半导体制造控制等离子体系统方法

[发明专利]加工设备-CN201711296265.0在审
发明人：罗谚展;陈焕杰;赖以方;蒯光国;孙锦峰;吕伯雄;刘定一;许凯翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种加工设备，加工设备包含加热器位于腔体中。加工设备也包含喷头位于加热器上方，喷头包含多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面，喷头的底表面面对加热器，喷头的底表面具有第一区段和第二区段，底表面的第二区段比底表面的第一区段粗糙。
喷头加工设备加热器孔洞顶表面腔体粗糙延伸

[发明专利]喷头-CN201710177867.8在审
发明人：邱志强;刘定一;林锦枫;吕伯雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：喷头配置为安装在处理室上并且将处理气体提供在处理室内的半导体晶圆上。喷头包括供气腔、花盘和电极板组件。花盘设置在供气腔的一侧处。电极板组件设置在气体源和供气腔之间。电极板组件包括具有一体化结构并且具有多个第一气孔的第一板以及具有一体化结构并且具有多个第二气孔的第二板。第二板位于第一板和供气腔之间并且与第一板分离。多个第二气孔与多个第一气孔部分地重叠但是未对准。也提供了具有喷头的半导体装置和半导体工艺。
喷头

[发明专利]用于金属氧化物还原的预处理方法和所形成的器件-CN201310398177.7有效
发明人：陈莉;林志男;孙锦峰;吕伯雄;刘定一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成半导体器件的方法，该方法包括在第一模块中对晶圆实施远程等离子体处理，以通过还原反应从晶圆中去除氧化物层。该方法还包括在真空下，将预处理后的晶圆从第一模块传送至第二模块。该方法还包括在第二模块中，在晶圆上方形成蚀刻停止层。本发明提供了一种金属氧化物还原的预处理方法及其所形成的器件。
用于金属氧化物还原预处理方法形成器件

[发明专利]半导体装置及内连线的制造方法-CN200510123427.1无效
发明人：庄学理;余振华;吕伯雄;吴斯安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及内连线的制造方法。在形成内连线开口及介层洞之前，先于金属层间介电层的表面上形成一化学机械研磨停止层。内连线开口及介层洞可通过双镶嵌制程形成。在将导电材料填入内连线开口与介层洞之后，以化学机械研磨制程对晶圆进行平坦化，而余留至少一部分的化学机械研磨停止层。本发明提供的半导体装置及内连线的制造方法，可防止或减少膜层脱层以及接触腐蚀缺陷。
半导体装置连线制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510085867.2有效
发明人： 吕伯雄;庄学理;蔡瑛修;杨淑婷;杨正辉;冯忠铭;吴斯安;刘沧宇;陈明德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的制造方法，是包含：在一基底上形成一含氟介电膜，该含氟介电膜是包含约25％或较少的游离氟，具有约5％或较少的孔洞及约3.8或较小的一介电常数；沉积一第一扩散阻障层于一基底及该含氟介电膜之间；沉积一第二扩散阻障层于该含氟介电膜及导线之间。此膜的形成方式如下：在一沉积反应室中的压力约等于或小于3托尔，及射频功率约为500至5000瓦的条件下，导入一四氟化硅及硅甲烷的气体，其中四氟化硅比硅甲烷的反应比率约等于或小于2.5，以形成此含氟介电膜。本发明改善FSG介电膜的品质，使用此含氟介电膜的半导体装置可以改善电性功能。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]铜金属化工艺-CN200510001816.7有效
发明人：蔡释严;吕伯雄;杨佳明;刘沧宇;范彧达;范振朋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-01-13 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少铜金属化过程中产生的铜金属突起的方法，其步骤包括：于基板上形成具有开口的介电层，形成铜金属层以填充该开口，研磨该铜金属层至该开口中铜金属层露出；提供氟离子至该铜金属层，以减少铜金属突起并于该铜金属层表面形成缓冲区；之后，于该铜金属层上原位沉积覆盖层。本发明利用氟离子移除自然形成于铜金属表面的氧化铜，并利用该缓冲区将铜金属中的热垂直应力转换成水平应力，藉以避免铜金属突起的形成。
金属化工艺