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[发明专利]含氧化物半导体层的薄膜晶体管-CN201780013390.8有效
发明人：越智元隆;西山功兵;后藤裕史;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2017-02-02 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。
氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶-CN202080007374.X在审
发明人：寺前裕美;西山功兵;越智元隆;后藤裕史 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中，满足0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。
氧化物半导体薄膜薄膜晶体管溅射

[发明专利]氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶-CN201880067635.X有效
发明人：寺前裕美;后藤裕史;越智元隆;日野绫 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。
氧化物半导体薄膜薄膜晶体管溅射

[发明专利]含有氧化物半导体层的薄膜晶体管-CN201980030601.8在审
发明人：越智元隆;后藤裕史 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种包括氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其在维持高场效应迁移率的同时应力耐受性、尤其光应力耐受性优异。所述薄膜晶体管在基板上至少包括栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源极‑漏极电极、以及至少一层保护膜，并且构成氧化物半导体层的金属元素包含In、Ga、Zn及Sn，相对于氧化物半导体层中的全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的各金属元素的比例为：In：30原子％以上且45原子％以下、Ga：5原子％以上且未满20原子％、Zn：30原子％以上且60原子％以下、以及Sn：4.0原子％以上且未满9.0原子％。
含有氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201580035556.7有效
发明人：越智元隆;高梨泰幸;三木绫;后藤裕史;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN201380044401.0有效
发明人：三木绫;森田晋也;后藤裕史;钉宫敏洋;田尾博昭;广濑研太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]平板显示器用配线膜-CN201580004042.5有效
发明人： 后藤裕史;岩成裕美 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的平板显示器用配线膜，由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；第二层，其由含有0.01原子％以上且低于0.2原子％的稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上的Al合金构成。该配线膜即使经受400℃以上且500℃以下的高温的热过程，仍可抑制配线电阻的上升，也不会发生小丘等，耐热性优异。
平板显示器用配线膜

[发明专利]层叠配线膜及薄膜晶体管元件-CN201780029216.2在审
发明人：志田阳子;后藤裕史 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠配线膜，其具备包含电阻为10μΩcm以下的Cu或Cu合金的配线层、以及设于所述配线层的上层及下层中的至少一者的包含Cu与X元素的Cu‑X合金层，X元素为选自由Al、Mn、Zn以及Ni所组成的X群组中的至少一种，构成Cu‑X合金层的金属为特定的组成系。根据本发明的层叠配线膜，可提供一种电阻低、无利用CVD法的层间绝缘膜的SiOx成膜中的剥离、且即使进行400℃以上的高温热处理也无电阻上升的层叠配线膜。
配线膜电阻合金层配线层薄膜晶体管元件层间绝缘膜高温热处理成膜群组下层剥离上层金属自由

[发明专利]反射电极用或布线电极用Ag合金膜、反射电极或布线电极、和Ag合金溅射靶-CN201480035394.2有效
发明人：志田阳子;后藤裕史;越智元隆 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O₂等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Bi 0.01～1.0原子％。
反射电极布线 ag 合金溅射

[发明专利]薄膜晶体管-CN201780021237.X在审
发明人： 后藤裕史;越智元隆;北山巧;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2017-04-03 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层由以特定的原子数比含有In、Ga、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为35cm²/Vs以上。
氧化物半导体层薄膜晶体管保护层原子数比栅绝缘膜保护膜漏电极迁移率栅电极氧化物基板

[发明专利]薄膜晶体管-CN201780021338.7在审
发明人： 后藤裕史;越智元隆;北山巧;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2017-04-03 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层，由以特定的原子数比含有In、Ga、Zn、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为15cm²/Vs以上。
氧化物半导体层薄膜晶体管保护层原子数比栅绝缘膜保护膜漏电极迁移率栅电极氧化物基板

[发明专利]欧姆电极-CN201780013111.8在审
发明人： 后藤裕史;坂本尚敏 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2017-02-02 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：利用了SiC基板的功率半导体装置等中使用的欧姆电极包括：欧姆接触层，其形成于SiC半导体层上，由从镍以及硅化镍所构成的组选择的材料构成；阻挡层，其形成于欧姆接触层上；和电极层，其形成于阻挡层上，由包含锌、镍、钛、锰、钙当中至少1种以上的铜合金构成。
欧姆接触层欧姆电极阻挡层功率半导体装置半导体层电极层硅化镍铜合金组选择

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201480035855.6有效
发明人：越智元隆;森田晋也;高梨泰幸;后藤裕史;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN201380044372.8有效
发明人：三木绫;森田晋也;后藤裕史;田尾博昭;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，是具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的两层以上的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素由In、Zn和Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及显示装置-CN201380045020.4有效
发明人：三木绫;森田晋也;后藤裕史;田尾博昭;钉宫敏洋;安秉斗;金建熙;朴辰玄;金连洪 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。
薄膜晶体管显示装置

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