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[发明专利]薄膜晶体管-CN201510088765.X有效
发明人： 后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋;安秉斗;金建熙;金连洪 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为Ga5％以上、In25％以下(不含0％)、Zn35～65％及Sn8～30％。
薄膜晶体管

[发明专利]Cu合金膜和Cu层叠膜-CN201680003374.6在审
发明人：志田阳子;后藤裕史;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：提供一种电阻小、抗氧化性和湿法蚀刻加工性优异的Cu合金膜。上述Cu合金膜，含有Ni为3.0原子％以上且19.0原子％以下，并且含有从Al、Zn、Mn和Sn所构成的群中选择的一种X元素，余量由Cu和不可避免的杂质构成，且所述X元素的含量是由下式(1)求得的x原子％以上，并且，所述X元素为Zn或Mn时，Ni与X元素的合计量为20.0原子％以上，所述X元素为Al或Sn时，Ni与X元素的合计量为16.0原子％以上。x＝1.96×Ni+1.64…(1)其中，式(1)中，Ni表示Cu合金膜中的以原子％计的Ni含量。
cu 合金层叠

[发明专利]布线结构以及具备布线结构的显示装置-CN201410205558.3有效
发明人： 后藤裕史;前田刚彰;岩成裕美;平野贵之 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。
布线结构以及具备显示装置

[发明专利]薄膜晶体管-CN201380029493.5有效
发明人： 后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为Ga5％以上、In25％以下(不含0％)、Zn35～65％及Sn8～30％。
薄膜晶体管

[发明专利]显示装置-CN201210247010.6有效
发明人：朴在佑;李制勋;安秉斗;朴世容;朴埈贤;金建熙;林志勋;李京垣;钉宫敏洋;三木绫;森田晋也;岸智也;田尾博昭;后藤裕史 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社神户制钢所
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。
显示装置

[发明专利]薄膜晶体管-CN201580004436.0在审
发明人： 后藤裕史;三木绫;越智元隆 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种具有极高的迁移率、且应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性等也良好的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极和保护源‑漏电极的保护膜，氧化物半导体层具有In、Ga、Zn、Sn和O的第一氧化物半导体层与In、Ga、Sn和O的第二氧化物半导体层的层叠结构，第二氧化物半导体层在栅极绝缘膜上形成，第一氧化物半导体层在第二氧化物半导体层与保护膜之间形成，且构成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的各金属元素的含量相对于全部金属元素的含量的原子比均控制为规定的比率。
薄膜晶体管

[发明专利]电极及其制造方法-CN201480058893.3在审
发明人：志田阳子;越智元隆;后藤裕史 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种优选用于以电容方式的触控面板传感器等为代表的输入装置中的电阻率低且反射率低的新型电极；及其制造方法。该电极是具有如下层叠结构的电极：由Al膜或Al合金膜构成的第1层；以及包含Al及选自Mn、Cu、Ti和Ta中的至少一种元素的Al合金的第2层，其一部分氮化。
电极及其制造方法

[发明专利]用于输入装置的电极及其制造方法-CN201480052590.0在审
发明人： 后藤裕史;越智元隆;志田阳子;奥野博行 -专利权人：株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明的电极具有从透明基板的相反侧(表面侧)开始依次为由透明导电膜构成的第1层、由Mo的氮化物或Mo合金的氮化物中的至少一种构成的第2层、以及由反射率为40％以上、透射率为10％以下的金属膜构成的第3层的层叠结构。
用于输入装置电极及其制造方法

[发明专利]触摸面板传感器用布线膜和触摸面板传感器-CN201480032200.3在审
发明人：志田阳子;后藤裕史;越智元隆 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明的触摸面板传感器用布线膜，由如下层叠结构构成：形成于透明导电膜之上的纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金(第一层)；形成于第一层之上，纯Al或在10原子％以下的范围内含有或从Ta、Nd和Ti所构成的组中选择的至少一种元素的Al合金(第二层)。
触摸面板传感器用布线传感器

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201380067793.2在审
发明人：森田晋也;越智元隆;后藤裕史;钉宫敏洋;广濑研太;田尾博昭;高梨泰幸 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、以及保护所述源-漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚-氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201380067811.7在审
发明人：森田晋也;越智元隆;后藤裕史;钉宫敏洋;广濑研太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]平板显示器的半透过电极用Ag合金膜及平板显示器用半透过电极-CN201310367114.5无效
发明人：志田阳子;后藤裕史 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种平板显示器的半透过电极用Ag合金膜。该Ag合金膜是能实现半透过的膜厚比较薄的Ag合金膜，其电阻率较低，显示期望的反射率和透过率，且即使经由加热工序也不易使特性劣化（例如电阻率不易增加），适用于平板显示器。该Ag合金膜是设于基板上的半透过电极所用的Ag合金膜，其特征在于，含有0.1～1.0at％的Bi，且膜厚为5nm以上且小于25nm，而且表面电阻值为15Ω／单位面积以下。
平板显示器透过电极 ag 合金显示器用

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法-CN201310300303.0有效
发明人：岸智弥;后藤裕史;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括：第一工序，准备靶组装体，该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成；第二工序，对靶组装体进行溅射而形成薄膜；第三工序，对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波，在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后，停止激励光的照射，对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定，算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1；第四工序，基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。
薄膜晶体管半导体薄膜形成使用组装品质评价方法

[发明专利]Cu合金膜和具备它的显示装置或电子装置-CN201280015108.7在审
发明人：富久胜文;三木绫;后藤裕史;中井淳一 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种与基板和/或绝缘膜具有高密接性，并且，热处理后仍具有低电阻率的新的Cu合金膜。本发明涉及在基板上，与基板和/或绝缘膜直接接触，从基板侧按顺序由第一层和第二层构成的Cu合金膜，第一层含有元素X（Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、B和/或Ni）的Cu－Mn－X合金层（第一层），第二层是由纯Cu或以Cu为主成分且电阻率比所述第一层低的Cu合金构成的层（第二层）。
cu 合金具备显示装置电子装置

[发明专利]氧化物烧结体及溅射靶-CN201280011333.3无效
发明人： 后藤裕史;岩崎祐纪 -专利权人：株式会社钢臂功科研
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，该氧化物烧结体及溅射靶兼具较高导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法来制造也不易产生结瘤且能长时间稳定地进行放电的直流放电稳定性优异。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡以及从由Al、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，维氏硬度为400Hv以上。
氧化物烧结溅射