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- [发明专利]一种芯片堆叠结构及其封装工艺-CN202311105832.5在审
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谭小春
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合肥矽迈微电子科技有限公司
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2023-08-30
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2023-10-13
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H01L23/58
- 本发明申请公开了一种芯片堆叠结构及其封装工艺,包括封装层,所述封装层内包封有裸片,所述裸片上设有电性引出端,所述封装层中还包封有:保护件,所述保护件上下两面连接有金属块,所述保护件上方的金属块与裸片电性连接,所述保护件下方的金属块底面与封装层齐平并暴露,保护件减小裸片电性浪涌;焊盘,所述焊盘与保护件下方的金属块共面并暴露于封装层;布线层,所述布线层电性连接裸片的电性引出端至焊盘,本申请有效降低浪涌,保护后级电路,保护件与裸片堆叠后整体封装,代替传统电阻和裸片分别封装,占用贴装空间大幅度减小,而且工艺简单,减少布线量,工艺和后续维护成本降低,结构稳定,散热面积大。
- 一种芯片堆叠结构及其封装工艺
- [发明专利]一种半导体封装的切割方法-CN202210256413.0在审
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魏厚韬
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合肥矽迈微电子科技有限公司
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2022-03-16
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2023-09-22
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H01L21/78
- 本发明提供的一种半导体封装的切割方法,将切割平台台面与水平面具有夹角设计不为0°,将需要切割的含有多个芯片的整体封装体固定在切割平台台面上,在整体封装体的纵向上,从整体封装体的底端的一排芯片的两端均进行纵向切割,且切割长度不超过整体封装体底端的一排芯片的相邻一排芯片的位置,然后进行横向切割,横向切割时,是从整体封装体的左端边缘直接切割刀右端边缘,且横向切割经过纵向切割所形成的切割道,横向切割后,整体封装体底端的一排芯片由于受到重力的作用,直接掉落,并进行收集,再重复进行上述的纵向切割和横向切割,直到整体封装体切割完全为止。不需要进行人工刮落并收集,省时省力,且大大增加了生产效率。
- 一种半导体封装切割方法
- [发明专利]一种晶圆片化学镀的治具及工艺-CN202310609462.2在审
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刘勇
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合肥矽迈微电子科技有限公司
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2023-05-29
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2023-09-19
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C23C18/16
- 本发明申请公开了一种晶圆片化学镀的治具及工艺,晶圆刷胶步骤:在晶圆背面涂覆一层粘接胶,该粘接胶厚度范围为80~200μm;支撑片开孔步骤:在支撑片中心位置开孔,其他的开孔位置围绕该圆心开孔呈圆形展开;支撑片粘接步骤:将支撑片粘接在晶圆刷粘接胶的一面,支撑片通过粘接胶粘附在晶圆的背面,以形成晶圆的背面保护和支撑,所述晶圆刷胶步骤中,还包括晶圆放置步骤:在真空吸附载台上放置一无尘纸,将晶圆正面吸附在真空吸附载台上无尘纸的中心,本申请通过粘接胶保护晶圆背面,蓝胶把晶圆和支撑片连接在一起,形成治具,对薄片晶圆起到支撑保护作用,可以同时解决薄片晶圆化镀过程中的破片、清洗和支撑问题。
- 一种晶圆片化学工艺
- [发明专利]一种功率芯片凸点的结构及其制作方法-CN202310733361.6在审
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刘勇
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合肥矽迈微电子科技有限公司
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2023-06-20
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2023-08-29
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H01L21/48
- 本发明申请公开了一种功率芯片凸点的结构及其制作方法,包括以下步骤:焊层制作步骤:在芯片的电极区金属层上制作焊层,以保护功能区;填料步骤:在焊层上涂覆保护膜,蚀刻保护膜,暴露出焊层顶面;焊接步骤:在暴露的焊层顶面填上焊料,并将对应尺寸的焊球放置在焊料上进行焊接固定;去膜步骤:去除涂覆的保护膜并清洗,完成凸点的制作,所述焊层制作步骤中,焊层为镍金或镍钯金通过化学镀的方式制作形成,其厚度为3~5μm,本申请键合时间短,工作效率高,焊层可以有效避免铜和铝的接触应力和接触电阻的形成,焊料和焊球的焊接方式可以保障电导通性能,有效发挥芯片的性能,同时设计上有较大的灵活性。
- 一种功率芯片结构及其制作方法
- [发明专利]一种可变电阻器件的制作方法-CN202310876872.3在审
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张光耀
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合肥矽迈微电子科技有限公司
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2023-07-18
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2023-08-22
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H01C7/02
- 本发明申请公开了一种可变电阻器件的制作方法,包括以下步骤:蚀刻步骤:提供具有电极层和可变层的板材,蚀刻第一电极层,形成切割道口,可变层部分表面暴露于切割道口;让位槽形成步骤:沿切割道口切割可变层,形成让位槽,第二电极层部分表面暴露于让位槽,让位槽宽度<切割道口宽度,避免第一电极层和可变层的拉丝相互粘连;让位台阶形成步骤:于让位槽处继续切断第二电极层,形成器件单元,切割后边缘外伸的第二电极层构成让位台阶,本申请由于让位台阶的外伸和让位槽的让位空间,拉丝不会直接接触到中部的可变层,不会对周边线路产生影响,在第二电极层蚀刻出缺口,第二电极层拉丝减少,切割皱褶减少。
- 一种可变电阻器件制作方法
- [发明专利]一种芯片封装体测试方法-CN202310420201.6在审
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谭小春
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合肥矽迈微电子科技有限公司
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2023-04-19
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2023-07-14
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H01L21/66
- 本发明申请公开了一种芯片封装体测试方法,包括以下步骤:上料步骤:将载体放置到上料机构中,该载体为带有封装体的基板或框架,封装体内封装有至少一个待测的芯片,以封装体代替放置芯片的料盘;测试步骤:调用测试程序,对一待测的芯片进行测试分BIN,之后立即调用另一测试程序,继续对分BIN后的这一待测芯片进行测试;逐一测试待测的芯片,本申请芯片包封在封装体内部测试后再切割,芯片空间排列更加紧密,合理利用空间,测试时间更节省,料盘和底座不需要根据芯片形状和尺寸定制,节约成本,对一芯片连续调用不同的测试程序测试,之后再测试其他芯片直至完成所有芯片的测试,避免程序项目被跳过,测试更完整。
- 一种芯片封装测试方法
- [发明专利]一种芯片封装体分离切割方法-CN202310372685.1在审
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刘勇
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合肥矽迈微电子科技有限公司
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2023-04-10
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2023-06-27
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H01L21/78
- 本发明申请公开了一种芯片封装体分离切割方法,包括以下步骤:开槽步骤:将封装体的芯片面朝下放置,蚀刻封装体远离芯片面的一面,在切割道位置均匀蚀刻出槽口;贴膜步骤:将封装体开槽口的一面朝下放置并贴在水平的固定膜上;切割步骤:控制刀片的切割高度,刀片在切割道位置切割封装体至槽口;去膜步骤:将切割完成的产品脱离固定膜,本发明申请从根本上解决了小封装产品使用Tape saw过程的残胶问题;取消残胶清洗过程,节约封装的清洗成本和人员成本;极大的缩小了Tape saw工艺对UV膜种类的选择范围,可以使用国产化替代,极大的降低了UV膜的成本;激光的开槽工艺和设备的成熟为一次性投入降低了物料的消耗成本。
- 一种芯片封装分离切割方法
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