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[发明专利]堆叠式存储器装置及字线驱动器-CN202210398125.9在审
发明人： 叶腾豪;彭武钦;林志铭;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开提供一种堆叠式存储器装置及其字线驱动器。字线驱动器包括第一字线信号产生电路、第二字线信号产生电路、第一电压产生器以及第二电压产生器。第一字线信号产生电路根据控制信号以选择第一电压以及第二电压的其中之一来产生第一字线信号。第二字线信号产生电路根据控制信号以选择第三电压以及第四电压的其中之一来产生第二字线信号。第一电压产生器提供第二电压。第二电压产生器提供第四电压。其中第一电压产生器与第二电压产生器相互独立。
堆叠存储器装置驱动器

[发明专利]三维AND快闪存储器元件及其制造方法-CN202210103603.9在审
发明人：吕函庭;邱家荣;叶腾豪;李冠儒 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维AND快闪存储器元件，包括栅极叠层结构、电荷储存结构、第一导体柱与第二导体柱、绝缘柱以及通道柱。所述栅极叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层。第一导体柱与第二导体柱，延伸穿过所述栅极叠层结构，且以绝缘柱分隔。通道柱延伸穿过所述栅极叠层结构。电荷储存结构，位于所述栅极叠层结构与所述通道柱之间。所述通道柱包括彼此相连接的第一部分以及第二部分。所述第一部分位于所述电荷储存结构与所述绝缘柱之间。所述第二部分包括与所述第一导体柱电性连接的第一区以及与所述第二导体柱电性连接的第二区。所述第一部分的曲率小于所述第二部分的曲率。
三维 and 闪存元件及其制造方法

[发明专利]三维AND快闪存储器元件-CN202210039601.8在审
发明人：李承宥;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：栅极堆叠结构与分隔墙。所述分隔墙沿着第一方向延伸，将所述栅极堆叠结构分成多个子区块。每一子区块包括：多个列。每一列包括：多个通道柱、多个电荷存储结构与多对导体柱。所述多对导体柱设置于所述多个通道柱内并穿过所述栅极堆叠结构，且各自与所述多个通道柱连接。每一对导体柱包括沿着第二方向彼此分隔开的第一导体柱以及第二导体柱。所述第二方向与所述第一方向夹锐角。
三维 and 闪存元件

[发明专利]三维存储器装置-CN202210063035.4在审
发明人： 叶腾豪;吕函庭;徐子轩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器(3D AND Flash memory)装置，包括第一页缓冲器、第二页缓冲器、感测放大器、第一路径选择器以及第二路径选择器。第一页缓冲器以及第二页缓冲器分别用以暂存第一写入数据以及第二写入数据。第一路径选择器依据第一控制信号以使感测放大器或第一页缓冲器耦接至第一共用位线。第二路径选择器依据第二控制信号以使感测放大器或第二页缓冲器耦接至第二共用位线。
三维存储器装置

[发明专利]三维快闪存储器模块芯片及其制造方法-CN202210051754.4在审
发明人： 叶腾豪;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明提供一种三维快闪存储器模块芯片，包括：存储芯片与控制芯片。所述存储芯片包括：多个块，每一块包括多个三维快闪存储器结构；以及多个加热器，设置在所述每一块的所述多个三维快闪存储器结构周围。控制芯片与所述存储芯片接合，用以驱动所述多个加热器的至少一个。
三维闪存模块芯片及其制造方法

[发明专利]具有阶梯式接触配置的三维电路结构及存储器电路结构-CN202210548338.5在审
发明人：吴孟晏;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有阶梯式接触配置的三维电路结构及存储器电路结构，用于改善复杂3D电路的制造良率。电路结构包括导体的第一堆叠、导体的第二堆叠和连接电路。导体的第一堆叠和第二堆叠均具有操作区和接触区。第一堆叠的导体在接触区中具有阶梯式布置，以在导体上提供搭接区域。连接电路将第一堆叠的导电层的搭接区域连接至位于第二堆叠的通孔中的贯穿堆叠导体，以连接至位于堆叠下方的电路系统。连接电路包括层间连接件，层间连接件接触第一堆叠的搭接区域，延伸至位于第一堆叠和第二堆叠之上的图案化导体。图案化导体可包括自第一堆叠的层间连接件至第二堆叠的贯穿堆叠导体的联结件。电路结构可包括位于第一堆叠的接触区的多个结构垂直柱。
具有阶梯接触配置三维电路结构存储器

[发明专利]立体存储器元件及其制作方法-CN201910136812.1有效
发明人：胡志玮;叶腾豪;江昱维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种立体存储器元件及其制作方法，该立体存储器元件包含一基材、多个导电层、多个绝缘层、一储存层、一绝缘隔墙、一第一通道部、一第二通道部以及一第一导电插塞。这些导电层以及绝缘层彼此交错叠层位于基材上以形成一多层叠层结构。储存层穿过多层叠层结构，且具有彼此分离的一第一串行部以及一第二串行部。第一通道部位于第一串行部的一侧边。第二通道部位于第二串行部的一侧边。第一通道部与第二通道部各包含一上通道部份以及一下通道部份。第一导电插塞连接于上通道部份以及下通道部份之间。
立体存储器元件及其制作方法

[发明专利]存储器装置-CN201910106328.4有效
发明人：胡志玮;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，该存储器装置包括叠层结构及通道结构。叠层结构位于基底上。叠层结构包括交错叠层的栅电极与绝缘膜。通道结构电性耦接栅电极，并处于栅电极的侧表面上。通道结构包括第一通道结构及第二通道结构。第二通道结构处于第一通道结构的上表面上。第一通道结构和/或第二通道结构为环形状。具有更大的存储器密度以及较低的位成本。
存储器装置

[发明专利]三维存储器装置-CN202111148805.7在审
发明人：林永丰;罗思觉;叶腾豪;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器装置。三维存储器装置包括多个存储单元阵列、多个位线开关以及多个源极线开关。存储单元阵列具有多个存储单元行分别耦接至多条源极线以及多条位线。位线开关、源极线开关分别由多个第一晶体管、第二晶体管所构成。第一晶体管耦接至一共同位线以及位线。第二晶体管耦接至共同源极线以及源极线。其中，第一晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管，第二晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管。
三维存储器装置

[发明专利]三维存储器装置-CN202111156034.6在审
发明人： 叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器(3D ANDFlash memory)装置。三维存储器装置包括多条字线、多个第一开关、多个第二开关以及N个导线层，N为大于1的正整数。字线区分为多个字线群组。第一开关接收共同字线电压。第二开关接收至参考接地电压。第一个字线群组通过第二导线层以连接第一导线层，第i个字线群组依序通过第i+1导线层至该第二导线层以连接第一导线层，其中N＞i＞1。
三维存储器装置

[发明专利]三维AND快闪存储器元件及其制造方法-CN202111156151.2在审
发明人：胡志玮;叶腾豪;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本公开提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：叠层结构，位于介电基底上，其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个分隔物，将所述叠层结构分隔成多个子区块，所述多个分隔物包括：多个叠层墙，包括彼此交替叠层的多个分隔层与所述多个绝缘层，其中所述多个分隔层埋在所述多个栅极层中；多个分隔狭缝，与所述多个叠层墙彼此交替，其中每一分隔狭缝延伸穿过所述叠层结构；多个通道柱，延伸穿过每一子区块的所述叠层结构；多个源极柱与多个漏极柱，位于所述多个通道柱内；以及多个电荷储存结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间。
三维 and 闪存元件及其制造方法

[发明专利]三维半导体装置与存储装置-CN202210649313.4在审
发明人：吕函庭;陈威臣;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维半导体装置和存储装置。该半导体装置包含：半导体基板、垂直地堆叠于半导体基板上的多个导电层、以及多个晶体管。多个导电层包含依序堆叠在一起的第一导电层、第二导电层与第三导电层。多个晶体管包含在第一导电层中的第一晶体管与第二晶体管、及在第三导电层中的第三晶体管。每一晶体管包含第一端点、第二端点与栅极端。第一晶体管的第一端点、第二晶体管的第一端点与第三晶体管的第一端点导电地耦接至第二导电层中的第一导电节点。
三维半导体装置存储

[发明专利]三维存储器装置及其三元内容可寻址存储单元-CN202111071728.X在审
发明人：许柏凯;叶腾豪;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器装置及其三元内容可寻址存储单元。三元内容可寻址存储单元包括第一存储单元、第二存储单元、第一搜索开关以及第二搜索开关。第一存储单元设置在第一与式快闪存储单元行中。第二存储单元设置在第二与式快闪存储单元行中。第一搜索开关耦接在第一与式快闪存储单元行对应的第一位线以及匹配线间，第一搜索开关受控于第一搜索信号以被导通或断开。第二搜索开关耦接在第二与式快闪存储单元行对应的第二位线以及匹配线间，第二搜索开关受控于第二搜索信号以被导通或断开。
三维存储器装置及其三元内容寻址存储单元

[发明专利]三维快闪存储器装置-CN202111009530.9在审
发明人：梁立言;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本申请提供一种三维快闪存储器装置，如三维与门快闪存储器(3D AND Flash memory)装置。所述三维快闪存储器装置包括基板、一导电层、三维快闪存储器阵列以及贯通阵列导电结构。所述基板包括存储单元区以及无源元件区。所述导电层形成于基板上，且所述导电层包括：设置于存储单元区的第一线路以及设置于无源元件区的无源元件的第二线路。所述三维快闪存储器阵列则形成于存储单元区的所述第一线路上。所述贯通阵列导电结构分别形成在设置于无源元件区的所述无源元件的所述第二线路上并连接所述第二线路的至少一端。
三维闪存装置

[发明专利]存储器-CN202111173669.7在审
发明人： 叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置，存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储器中的被选定存储器单元中的数据。
存储器

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