公开了一种半导体装置的制造方法，包括：提供至少两个结构，每个结构上具有金属层；在第一结构上方的金属层上方形成图案化光刻(photolithographic)层；通过使用能防止渗透(resistant to penetration)到光刻层中的化学蚀刻剂进行湿式蚀刻操作以从第二结构去除金属层；以及，在进行湿式蚀刻操作之后，实现小于179且大于1的距离X对距离Y的剩余金属比例，其中距离X是从第一直线到第二直线的第一距离，第一直线延伸自第一半导体装置上方剩余的金属层的边缘，第二直线延伸自第二半导体装置中的通道区的边缘，且距离Y是从第一直线到第三直线的第二距离，第三直线从形成在第一半导体装置中的通道区上方的金属层的边缘延伸。
