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[发明专利]环形振荡器和环形振荡器的启动方法-CN202210269103.2在审
发明人： 古田学 -专利权人：蓝碧石科技株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：在使用了偶数级反相器的环形振荡器中提供能够更可靠地启动的环形振荡器和环形振荡器的启动方法。包括：振荡电路，环状连接偶数个反相器，输出时钟信号；多个电位固定电路，连接到偶数个反相器之间，分别能通过第一控制信号来切换连接、解除；以及调整电路，基于第二控制信号来调整偶数个反相器的驱动能力，在振荡电路的启动时，利用第一控制信号进行控制，以使驱动能力成为第一能力使得连接电位固定电路，在从输出第一控制信号起经过预定时间之后，利用第二控制信号进行控制，以使驱动能力成为高于第一能力的第二能力使得解除电位固定电路。
环形振荡器启动方法

[发明专利]带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架-CN202210513328.8在审
发明人： 古田学;崔寿永;崔弈;罗宾·L·蒂纳;赵金铉;王佳瑞;苏希尔·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体涉及一种遮蔽框架，所述遮蔽框架包括相邻于两个相对的次侧面框架构件的两个相对的主侧面框架构件，用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中所述角支架包括具有多个支腿的角镶嵌件，这些支腿在彼此大致上正交的方向延伸。
带有具有变化轮廓侧边实现改善沉积均匀遮蔽框架

[发明专利]带有具有变化轮廓的侧边以实现改善的沉积均匀性的遮蔽框架-CN201880056414.2有效
发明人： 古田学;崔寿永;崔弈;罗宾·L·蒂纳;赵金铉;王佳瑞;苏希尔·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体涉及一种遮蔽框架，所述遮蔽框架包括相邻于两个相对的次侧面框架构件的两个相对的主侧面框架构件，用角支架将所述主侧面框架构件与所述次侧面框架构件耦接在一起，其中所述角支架包括具有多个支腿的角镶嵌件，这些支腿在彼此大致上正交的方向延伸。
带有具有变化轮廓侧边实现改善沉积均匀遮蔽框架

[发明专利]用于基板处理的支撑支架设备和方法-CN201980100764.9在审
发明人：苏海尔·安瓦尔;古田学;兰吉特·英德拉吉特·辛德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开内容的方面涉及用于基板处理的支撑支架设备和方法，诸如等离子体处理腔室。在一个实施方式中，一种基板处理腔室包括腔室主体。所述腔室主体包括一个或多个侧壁，并且所述一个或多个侧壁中的每一者包括内表面。所述基板处理腔室还包括：基座，所述基座具有支撑表面；处理空间，所述处理空间在所述基座上方；以及下部空间，所述下部空间在所述基座下方。所述基板处理腔室还包括支架，所述支架安装到所述一个或多个侧壁中的侧壁的所述内表面。所述支架包括第一端、第二端和在所述第一端与所述第二端之间的纵向长度。所述支架还包括在所述支架中形成在所述第一端与所述第二端之间的气体开口。所述气体开口允许气体流过所述气体开口。
用于处理支撑支架设备方法

[发明专利]用于等离子体处理腔室的导热间隔件-CN201980066147.1在审
发明人：朴范洙;R·L·迪纳;吴桑贞;古田学;艾伦·K·刘;李建恒;赵来;崔寿永;吉万·普拉卡什·塞奎拉;陈威廷;杨晓玲;徐成航;成元镐;洪贤英 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。
用于等离子体处理导热间隔

[发明专利]腔室衬垫-CN201980045937.1在审
发明人：李建恒;赵来;R·L·迪纳;艾伦·K·刘;古田学;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述的实施方式一般是涉及利用高射频(RF)功率来处理基板的设备和方法。高射频功率能够以更理想的性质将膜沉积在基板上。多个第一绝缘构件设置在多个拖架上，并且从腔室主体侧向朝内延伸。多个第二绝缘构件设置在腔室主体上，并且从多个第一绝缘构件延伸到腔室主体的支撑表面。绝缘构件减少了等离子体与腔室主体之间的电弧的发生。
衬垫

[发明专利]具有带槽的空心阴极的气体扩散器-CN201680081111.7有效
发明人： J·库德拉;艾伦·K·刘;罗宾·L·蒂纳;古田学;约翰·M·怀特;威廉·诺尔曼·斯特科;东素·李;苏希尔·安瓦尔;栗田真一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在一个实施方式中，一种用于沉积腔室的扩散器包括：具有边缘区域和中心区域的板；和多个气体通道，包括上游孔和流体地耦接到上游孔的孔洞，多个气体通道形成在板的上游侧和下游侧之间；和多个槽，环绕气体通道，其中槽的深度从板的边缘区域到中心区域变化。
具有空心阴极气体扩散器

[发明专利]半导体装置-CN201910992584.8在审
发明人：富田敬;古田学 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H04N5/765 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置。提供了能够经由传送2值数据信号的传送线来接受与该2值数据信号不同的信号的供给的半导体装置。特征在于，具有：一对输入端，可连接到由第1传送路和第2传送路构成的一对传送路，所述第1传送路和第2传送路中的每一个传送第1输入信号和第2输入信号，所述第1输入信号和第2输入信号中的每一个在规定范围的电位之间变化；第1接收电路，将所述第1输入信号的电位与所述第2输入信号的电位进行比较，基于所述比较结果来生成第1输出信号；以及第2接收电路，基于将所述第1输入信号和所述第2输入信号中的至少一方的电位与基准电位进行比较的比较结果来生成第2输出信号。
半导体装置

[发明专利]用于处理腔室的涂覆材料-CN201910765969.0在审
发明人：元泰景;崔寿永;崔金贤;崔毅;古田学 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文描述的实施方式涉及控制沉积在大基板上的SiN膜的均匀性的方法。当通过向腔室施加射频(RF)功率来激励所述腔室中的前驱物气体或气体混合物时，流过等离子体的RF电流在电极间间隙中产生驻波效应(SWE)。当基板或电极尺寸接近RF波长时，SWE变得显著。工艺参数，诸如工艺功率、工艺压力、电极间距和气体流量比都会影响所述SWE。这些参数可以更改，以便最小化SWE问题和实现可接受的厚度和性质均匀性。在一些实施方式中，在实现各种等离子体密度的同时在各种工艺功率范围下、在各种工艺压力范围下、在各种气体流率下在大基板上方沉积介电膜的方法将用于减小所述SWE，以产生更大等离子体稳定性。
用于处理材料

[发明专利]用于改进分布均匀性的拐角式扰流件-CN201580006277.8有效
发明人：赵来;古田学;王群华;R·L·迪纳;B·S·朴;崔寿永;S·D·雅达维 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本公开涉及一种拐角式扰流件，所述拐角式扰流件被设计成通过改变气体流动来使基板拐角区域上的较高沉积速率降低。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的拐角式扰流件包括电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布。所述L形主体包括第一支脚和第二支脚，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角处相交。所述第一支脚或所述第二支脚的长度是所述第一支脚或所述第二支脚与所述内侧拐角之间界定的距离的两倍。在另一实施方式中，一种用于沉积腔室的遮蔽框架包括：矩形主体，所述矩形主体具有贯穿其的矩形开口；以及一或多个拐角式扰流件，所述一或多个拐角式扰流件在所述矩形主体的拐角处耦接到所述矩形主体。
用于改进分布均匀拐角式扰流件

[发明专利]等离子体处理设备与方法-CN201610018038.0有效
发明人： 古田学;崔永镇;崔寿永;朴范洙;约翰·M·怀特;苏希尔·安瓦尔;罗宾·L·泰内 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-04-09 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。
等离子体处理设备方法

[发明专利]用于提高氮化硅批间均匀度的非晶硅陈化作用-CN201610179357.X有效
发明人： 古田学;崔寿永;朴范洙;崔永镇;大森健次 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明实施方式提供用于在设置在处理腔室中的大尺寸基板上沉积含氮材料的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在处理腔室中处理一批基板，以在出自所述一批基板的基板上沉积含氮材料；以及在处理所述一批基板期间以预定间隔执行陈化处理，以在设置在所述处理腔室中的腔室组件的表面上沉积导电陈化层。所述腔室组件可包括气体分配板，所述气体分配板由未经阳极化处理的裸铝制成。在一个实例中，所述导电陈化层可包括非晶硅、掺杂非晶硅、掺杂硅、掺杂多晶硅、掺杂碳化硅或其他同类物。
用于提高氮化硅批间均匀非晶硅陈化作用

[发明专利]用于改善边缘一致性的腔室气体扩散器孔设计-CN201480032438.6有效
发明人：赵来;古田学;王群华;崔寿永;D·李;B·S·朴;H-L·杨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：在一个实施例中，用于沉积腔室的扩散器包括板和多个气体通道，所述板具有数个边缘区域、数个角落区域和中央区域，所述多个气体通道包括孔洞，所述多个气体通道形成在所述板的上游侧与下游侧之间，其中，在所述板的角落区域或边缘区域中的一个或多个中的孔洞的长度或直径中的一项或多项与在所述板的中央区域中的孔洞的对应长度或对应直径不同。
用于改善边缘一致性气体扩散器设计

[实用新型]框架、组合式基板下罩框和处理腔室-CN201520995613.3有效
发明人： D·李;R·L·蒂娜;J·M·怀特;W·N·斯特林;崔寿永;赵来;王大鹏;古田学 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：在本文中，公开了一种用于处理腔室的组合基板下罩框。在一个实施例中，所述框架具有两个较短主体以及配置成与短框对接以形成矩形形状的两个较长主体，其中所述两个较长主体中的每个包括两个或更多个区段，并且至少一或多个区段具有形成升降杆孔至少一部分的缺口。
框架组合式基板下罩框处理

[发明专利]翻边式遮蔽框-CN201380000449.1有效
发明人： Q·王;崔寿永;R·L·蒂纳;J·M·怀特;古田学;朴范洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：在此叙述一种用以处理基板的装置。一种用于控制基板上的沉积的装置可包括腔室、基板支撑件、以及遮蔽框，腔室包括遮蔽框支撑件，基板支撑件包括基板支撑表面，遮蔽框具有遮蔽框主体及可分离式唇部，遮蔽框主体包括第一支撑面以及相对于第一面的第二支撑面，可分离式唇部与遮蔽框主体连接。可分离式唇部可包括支撑连接件、第一唇部表面、第二唇部表面、第一边缘、以及第二边缘，第一唇部表面面对基板，第二唇部表面相对于第一唇部表面，第一边缘设置在第一支撑面上方，第二边缘相对于第一边缘以接触基板。
翻边式遮蔽

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