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[发明专利]化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备-CN202310761233.2在审
发明人： 厉冰峰 -专利权人：盛吉盛半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积设备的抽气控制方法、装置、介质及设备，该化学气相沉积设备的抽气控制方法包括：当化学气相沉积工艺进入抽气阶段时，控制化学气相沉积设备的节流阀开启预设开度；控制抽气泵抽取化学气相沉积设备的反应腔室内的气体；每达到预设条件时，控制增大节流阀的开度，直至节流阀完全开启。本发明解决了气相沉积工艺在抽气阶段易在晶圆表面附着颗粒物，导致晶圆缺陷，降低晶圆良率的问题。
化学沉积设备控制方法装置介质

[发明专利]半导体工艺设备反应腔体的漏率检测方法及装置-CN202211165643.2在审
发明人： 厉冰峰 -专利权人：盛吉盛半导体技术（上海）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01M3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺设备反应腔体的漏率检测方法及半导体工艺设备反应腔体的漏率检测装置，该方法包括：对半导体工艺设备的反应腔体进行抽真空，以使的反应腔体的气压值处于预设气压值；控制半导体工艺设备处于预设运行状态；当半导体工艺设备处于预设运行状态达到预设时长时，检测反应腔体内的当前气压值；根据当前气压值与预设气压值计算反应腔体的漏率。本发明解决了半导体工艺设备反应腔体的漏率检测采用静态测试，导致无法真实、准确地反应半导体工艺设备反应腔体的气密性，导致硅片不良率提高的问题。
半导体工艺设备反应检测方法装置

[实用新型]一种化学气相沉积设备-CN202123083021.9有效
发明人：刘洋;金補哲;叶新浩;厉冰峰;蔡宇航 -专利权人：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本实用新型实施例提出一种化学气相沉积设备，所述设备包括：远程等离子体源；反应室；真空泵；用于连接该远程等离子体源和该反应室的进气管道，主清洁气体通过该进气管道从该远程等离子体源进入该反应室；用于连接该反应室和该真空泵的排气管道；该进气管道上有一支路管道，接入支路清洁气体。进一步地，该排气管道呈入口端窄，出口端宽的形状。本实用新型提供的改进，有效提高了吹扫进气管道内壁上的沉积物形成的污染物的效率，还提高了清洁效率，从而延长了进行预防性维护的周期，也就是增加了单位时间内设备得到有效使用的时间，因此大幅降低了生产成本。
一种化学沉积设备

[发明专利]一种薄膜生长设备腔体的电动开关装置-CN202111427198.8在审
发明人：蔡宇航;金補哲;叶新浩;厉冰峰 -专利权人：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-28 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01H23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜生长设备腔体的电动开关装置，包括：装置本体，装置本体的底部安装有底座，装置本体的顶面中部形成有内腔，装置本体的上方设置有上盖，装置本体的侧壁上固定连接有电动摇杆组件；电动摇杆组件包括固定盒、电机、托块和电动马达，电动马达和固定盒均与装置本体侧壁固定连接，且固定盒设置在电动马达的外侧，电机安装在固定盒的底部，电机的动力输出端和电动马达的动力输入端分别安装有齿轮且两个齿轮啮合连接。本发明通过电动的方式来代替现有技术中人工操作，电动摇杆操作简单，只需要点击遥感器上的开关就可以控制腔体的开关，遥感器有电源延长线，可以做到不接触腔体来控制腔体开关，避免了一些突发状况的发生。
一种薄膜生长设备电动开关装置

[发明专利]一种用于薄膜生长设备的偏置射频和直流电源的输送装置-CN202111427195.4在审
发明人：蔡宇航;金補哲;叶新浩;厉冰峰 -专利权人：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-28 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01R13/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于薄膜生长设备的偏置射频和直流电源的输送装置，包括：静电吸盘，所述静电吸盘的上部设置有连接头与静电吸盘之间固定连接，所述连接头的内部设置有内螺纹孔，所述连接头的上部设置有铜棍且铜棍的顶部设置有插接头，所述插接头与偏置匹配器之间相连接。本发明将铜条部分更换成铜棍，其横截为圆形，面积更大，可以满足更大的负荷电流，同时散热性能更好，减少发生电腐蚀的几率；偏置匹配器端将接头和铜棍合体，这样减少了一个腐蚀部位；将静电吸盘端做成分离结构，使得连接头依旧可以固定在静电吸盘背面，另一端可以通过螺纹拧进去，这样如果铜棍另一头发生腐蚀，可以直接拧下来更换，不需要打开腔体，分解静电吸盘。
一种用于薄膜生长设备偏置射频直流电源输送装置

[发明专利]一种化学气相沉积设备-CN202111499889.9在审
发明人：刘洋;金補哲;叶新浩;厉冰峰;蔡宇航 -专利权人：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种化学气相沉积设备，所述设备包括：远程等离子体源；反应室；真空泵；用于连接该远程等离子体源和该反应室的进气管道，主清洁气体通过该进气管道从该远程等离子体源进入该反应室；用于连接该反应室和该真空泵的排气管道；该进气管道上有一支路管道，接入支路清洁气体。进一步地，该排气管道呈入口端窄，出口端宽的形状。本发明提供的改进，有效提高了吹扫进气管道内壁上的沉积物形成的污染物的效率，还提高了清洁效率，从而延长了进行预防性维护的周期，也就是增加了单位时间内设备得到有效使用的时间，因此大幅降低了生产成本。
一种化学沉积设备

[发明专利]一种基于涡轮分子泵薄膜生长设备的测漏阀门系统-CN202111427204.X在审
发明人：蔡宇航;金補哲;叶新浩;厉冰峰 -专利权人：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-28 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于涡轮分子泵薄膜生长设备的测漏阀门系统,包括闸口阀和涡轮增压阀，所述涡轮增压阀的底部内及外部之间设置有涡轮隔离阀，所述涡轮隔离阀上设置有转接装置，所述转接装置包括转接头和手动阀，所述手动阀的两端分别设置有连接管一和连接管二，所述转接头与连接管一之间以及连接管二内均设置有中心圈，所述转接头与连接管一之间的外部上以及连接管二的外部上均设置有卡箍，所述连接管二内与卡箍之间设置有闷板。本发明通过转接装置，可便捷的将氦气测漏仪与涡轮隔离阀相连接，无需将涡轮增压泵停止，节省了涡轮增压泵的停止和运行的时间，提升了工作效率。
一种基于涡轮分子薄膜生长设备阀门系统

[发明专利]背面金属工艺中断后晶片的返工方法-CN201210044578.8有效
发明人：姜剑光;徐雷军;刘峰松;厉冰峰;陈怡骏 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种背面金属工艺中断后晶片的返工方法，包括以下步骤：当腔室故障导致当前背面金属工艺中断后，测量晶片表面当前金属层的厚度记为第一厚度，保持腔室高真空，对晶片进行降温；腔室破真空，取出晶片；重返高真空腔室对晶片进行烘烤；继续当前金属层的背面金属工艺。本发明在腔室故障后，采用高真空降温，降低晶片取出后的被氧化性，再返回高真空腔室进行烘烤，再进行当前金属层的沉积，有效的防止了背面金属层之间的剥落，从而提高晶片的良率和可靠性。
背面金属工艺断后晶片返工方法

[发明专利]Pr³⁺掺杂(Y_XLa_1-X)₂O₃发光材料制备方法-CN200910196522.2无效
发明人：杨秋红;厉冰峰;陆神洲;张浩佳 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种Pr³⁺掺杂(Y_xLa_1-x)₂O₃发光材料制备方法，即Pr³⁺掺杂(Y_xLa_1-x)₂O₃基荧光粉和透明陶瓷的制备方法，属新型荧光材料和特种陶瓷制造工艺技术领域。本发明以高纯Pr₆O₁₁(99.99％)，Y₂O₃(99.99％)和La₂O₃(99.99％)为原料，采用固相法和液相法制备出(Y_1-xLa_x)₂O₃:Pr³⁺荧光粉；采用传统陶瓷烧结工艺，在无压还原气氛和真空下制备Pr³⁺掺杂的氧化镧钇透明闪烁陶瓷，烧结温度范围为1500～1800℃，烧结时间为3～30小时。本发明方法制得的荧光粉和透明闪烁陶瓷具有良好的光学性能，透明陶瓷具有较高的透过率，较高的发光和良好的闪烁性能。
pr sup 掺杂 sub la 发光材料制备方法

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