“协鑫光电科技（张家港）有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果28个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]具柱状透光构造的芯片-CN201120176196.1有效
发明人：高成 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型是一种具柱状透光构造的芯片，其包含一个衬底；一个晶层生长在该衬底上；多个透光柱，是与该晶层为一体，且相邻的透光柱之间具有一透光间距；多个金属结合层分别位于各该透光柱的一端；以及一个金属导热板与各金属结合层形成结合。藉此可以芯片的发光面积及发光亮度，可以将芯片所产生的热量适当引导到金属导热板再搭配适当的散热手段将热量散去。
柱状透光构造芯片

[发明专利]一种路灯系统-CN201110257321.6无效
发明人：朱共山 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H05B37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种路灯系统，涉及照明技术领域。其中，所述路灯系统包括：安装在灯柱上的发光单元；安装在所述灯柱上、用于接收待显示的多媒体信息和/或日常指示信息并进行显示的显示单元；用于提供工作电源的供电单元，分别与所述发光单元和显示单元连接。本发明提供的路灯系统，扩展了路灯的功能，使之能够发布多媒体信息和/或日常指示信息，并且，本发明提供的路灯系统还能够显示路灯系统的运行参数以便于维护人员能够方便地进行维护。
一种路灯系统

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201110272820.2无效
发明人：高成 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法。其中，所述发光二极管包括：第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；夹设在所述第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层；且所述多量子阱层包括分立的至少两个多量子阱结构，其中至少两个相邻的多量子阱结构形成有沿层高方向上的第一侧面和第二侧面，其中，所述第一侧面是多量子阱结构与所述第一半导体层接触的侧面，所述第二侧面是多量子阱结构与所述第二半导体层接触的侧面。本发明能够提高载流子的复合速率，进而提高LED的内量子效率，改善LED的发光效率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]图形化衬底及其制备方法和发光二极管-CN201110250987.9无效
发明人：高成 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图形化衬底及其制备方法和发光二极管，属于发光二极管领域。其中，该图形化衬底的制备方法，包括：提供一金属铝基底；将所述金属铝基底阳极氧化成表面具有均匀多孔结构的氧化铝；去除所述氧化铝上残余的金属铝；将所述氧化铝转化成表面具有均匀多孔结构的蓝宝石衬底。本发明实施例制造工艺简单并且能够降低发光二极管的生产成本。
图形衬底及其制备方法发光二极管

[发明专利]尾气的处理方法和装置-CN201110259045.7无效
发明人：马擎天;苏贤恩;刘秉承 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： B01D53/74 文献下载
摘要：本发明提供一种尾气的处理方法和装置，涉及尾气处理领域，为解决现有技术中尾气处理时采用热处理方式时耗能较高的技术问题而发明。所述的尾气的处理方法，包括：获取反应腔的气体的类型；根据所述气体的类型，获取对应的尾气处理方式；对所述尾气按照对应的所述尾气处理方式进行处理。本发明能够根据反应腔的气体的类型采用不同的尾气处理方式，降低了采用单一热处理方式时的耗能。
尾气处理方法装置

[实用新型]一种LED照明系统、LED驱动器及LED灯具-CN201120218440.6有效
发明人：朱共山;常依斌;成诗恕 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED照明系统、LED驱动器及LED灯具。所述LED照明系统包括：分离设置的LED灯具和用于为所述LED灯具提供直流电源的LED驱动器，所述LED驱动器的输出端设置有第一连接件，所述LED灯具的输入端设置有与所述第一连接件匹配的第二连接件，所述第一连接件与所述第二连接件电性连接。本实用新型通过将LED驱动电路和LED光源分离设置，可以实现LED灯具的小型化制造，以及增加LED灯具的使用寿命，并降低制造成本。
一种 led 照明系统驱动器灯具

[发明专利]一种照明系统-CN201110230094.8无效
发明人：陆磊 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种照明系统。所述照明系统包括相互分离的控制端和远端，所述控制端包括驱动单元和管理单元，所述远端包括LED光源、监测单元和反馈单元；所述驱动单元用于为LED光源提供工作用直流电源；所述监测单元用于获得所述LED光源的工作状态参数；所述反馈单元，用于将所述监测单元获得的所述工作状态参数发送给所述管理单元；所述管理单元，用于接收所述反馈单元发送的所述工作状态参数，并根据所述工作状态参数，控制所述驱动单元的输出，以调节所述LED光源的工作状态。本发明能够实现LED灯具的小型化制造、降低制造成本、提高LED灯具的使用寿命和发光效率，同时还可以实现远端照明工作状态的调节。
一种照明系统

[发明专利]一种发光二极管、电子设备及制造方法-CN201110274329.3无效
发明人：高成 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管、电子设备及制造方法，解决现有技术中存在的LED的流明效率还是较低的问题，其中，发光二极管的衬底上依次设置有第一导电类型半导体层、多量子阱结构和第二导电类型半导体层，其中，在第二导电类型半导体层内邻近多量子阱结构的位置，内嵌有多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组，纳米颗粒组具有电介质的外表层，以及被外表层包裹的金属纳米颗粒内核，纳米颗粒组的间隙填充有第二导电类型半导体材料，由于紧邻多量子阱结构MQW插入金属内核-电介质外壳(core-shell)形式的纳米颗粒组，避免漏电或非辐射损失提高了IQE，从而增加LED的流明效率。
一种发光二极管电子设备制造方法

[发明专利]一种去光阻的方法和设备-CN201110274328.9无效
发明人：蔡郢倢;马擎天;刘秉承 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种去光阻的方法和设备，用以解决现有去光阻过程浸泡步骤较多、所需原料较多，使得去光阻速度较慢、成本较高的问题。该方法包括：将带有光阻的基底置入去光阻液中浸泡；从所述去光阻液中取出所述基底；将所述基底的温度冷却至预设温度，其中，所述预设温度低于所述去光阻液遇水后与所述基底发生反应的最低温度；用水清洗所述基底。上述技术方案减少了浸泡步骤，减少了使用的原料，从而加快了去光阻的速度，缩短了制程时间，降低了去光阻成本和基底处理成本。
一种去光阻方法设备

[发明专利]一种利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法-CN201110274327.4无效
发明人：高成 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法，包括以下步骤：在LED外延片的p-GaN层上制备相互间隔的纳米金属颗粒，并刻蚀该p-GaN层，使得该p-GaN层表面为纳米结构；利用掩膜将所述LED外延片的激活区域镀上激活液，以对该LED外延片的激活区域进行激活，然后移去掩膜；将所述LED外延片放入化学镀液中，在将所述激活区域外的纳米金属颗粒溶解的同时，在所述LED外延片的激活区域化学镀金属，以形成金属基板；所述金属为可诱发还原金的金属；将所述LED外延片放入化学镀金液中，在所述金属基板上自动沉积金，以得到p电极。本发明所述的利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法减少了贵重金属的应用，同时减少了工艺步骤，提高了出光效率。
一种利用化学制备 led 芯片电极方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201110275916.4无效
发明人：高成 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制造方法。其中上述发光二极管包括：第一半导体层；沉积所述第一半导体层的上表面的第一多量子阱层；沉积在所述第一多量子阱层的部分上表面上的第二多量子阱层；第二半导体层，所述第二半导体层沉积在所述第二多量子阱层的上表面以及所述第一多量子阱层未被所述第二多量子阱层覆盖的上表面上，其中，所述第二半导体层包括有在层高方向上与所述第二半导体层相接触的侧面。本发明能够提高载流子的复合速率，进而提高LED的内量子效率，改善LED的发光效率。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201110275878.2无效
发明人：高成 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法。其中，所述发光二极管包括：第一半导体层、和位于所述第一半导体层上方的第二半导体层；夹设在第一半导体层和第二半导体层之间的多量子阱层，多量子阱层包括至少两个多量子阱结构，相邻的多量子阱结构之间相互连接以使得第一半导体层和第二半导体层相隔离，其中，所述至少两个多量子阱结构的厚度各不相等，且沿第一位置到第二位置的方向，逐渐递减；所述第一位置是所述第一半导体层上用于沉积N电极的位置，所述第二位置是所述第二半导体层上用于沉积P电极的位置。本发明能够提高载流子的复合速率，进而提高LED的内量子效率，改善LED的发光效率，并可无需在LED中设置现有技术中的电流扩展层。
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]LED的制程方法-CN201110262555.X无效
发明人：马擎天;陈炳宏;刘秉承 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED的制程方法，涉及LED制程领域，为解决现有技术中LED的制程工艺比较复杂的技术问题而发明。所述方法包括：获取外延片；对所述外延片进行处理，分别在所述外延片上生成LED的P极区的图形和N区极的图形、LED的电流阻挡层图形、LED的透明导电层图形；对处理后的所述外延片进行保护层黄光制程，在所述外延片上生成LED的焊盘图形和保护层图形。本发明能够减少LED的制造工序。
led 方法

[发明专利]发光二极管与其制造方法-CN201110157579.9无效
发明人：陈达军 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管与其制造方法，其中所述发光二极管包含一个芯片上形成一个平台凹区，且荧光粉材料填置于平台凹区内可受芯片所发出的光线激发而发出色光，进而与芯片所发出的光线产生混合。所述制造方法是在一衬底上藉外延方式生长外延层；再藉半导体制程在外延层上作出多个芯片结构体，再以蚀刻方式于每一个芯片结构体上制作出一个平台凹区及二个电极；以切割制程对每一个芯片结构体进行切割以获取独立的芯片；固晶后对每一个芯片上的二个电极进行打线以分别连接导线；再将荧光粉材填置于已连接有导线的芯片的平台凹区内。如此可获致精简的结构，且达到混合光色更均匀，及可藉此减少产生光斑或色圈。
发光二极管与其制造方法

[发明专利]LED多晶封装基板及其制作方法-CN201110157342.0无效
发明人：成诗恕 -专利权人： 协鑫光电科技（张家港）有限公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED多晶封装基板及其制作方法，LED多晶封装基板的制作方法包括：第一结合步骤，取一个载板结合一个金属膜片，以形成一个电路基板；钻孔步骤，利用钻孔手段在电路基板上开设至少一个穿孔；第二结合步骤，将已具有穿孔的电路基板结合一个金属基板，并让金属基板的表面显露在该穿孔；制作反射框步骤，利用点胶手段在该电路基板上制作至少一个反射框，每一穿孔各自位在一个反射框的范围内；以及固晶打线步骤、填充荧光粉步骤和封装烘干固定步骤。本发明中，反射框、荧光粉材料及胶体材料在最后步骤才一同烘干，所以可达到整合制程及减少制程时间；此外芯片与金属基板接触可以产生较佳的导热与散热效果，使芯片的使用寿命提高。
led 多晶封装及其制作方法

1
2
下一页»
尾页
共 28 条