“北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果81个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一体式热交换焚烧炉装置-CN202223092046.X有效
发明人：戴恩平;霍力鹏;殷梓卿;乔南利;罗林军;崔铁龙;喻正保;范雪岩 -专利权人：格林斯达（北京）环保科技股份有限公司;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： F23G5/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种一体式热交换焚烧炉装置，属于焚烧炉技术领域。一体式热交换焚烧炉装置包括装置外壳，内部设置有燃烧室；高温换热器，高温换热器包括高温换热壳体，高温换热壳体内密布有高温换热管，高温换热管的两端分别贯穿高温换热壳体的两个相对侧壁；低温换热器，位于高温换热器远离燃烧室的一侧，低温换热器包括低温换热壳体，低温换热壳体内密布有低温换热管，低温换热管的两端分别贯穿低温换热壳体的两个相对侧壁；出烟口、高温换热壳体、低温换热壳体之间依次连通。本实用新型将低温换热器、高温换热器和燃烧室集成为一体式结构，减少热量在管道中的损耗，有效提高了换热器的热回收率，并且减少设备的占地面积。
体式热交换焚烧装置

[发明专利]一种模拟集成电路对称约束的自动布局方法与装置-CN202310037019.2在审
发明人：叶佐昌;王燕;方芳 -专利权人：清华大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟集成电路对称约束的自动布局方法与装置，该方法包括：获取基于模拟集成电路的对称对序列数据，基于对称对序列数据中的约束模块构建序列对；利用模拟退火优化方法对序列对进行数据筛选，得到满足预设条件的序列对的筛选结果；根据筛选结果将满足预设条件的序列对进行还原操作，得到模拟集成电路的对称约束的部分布局结果；以及，基于预设的对称模式，利用满足预设条件的序列对和部分布局结果计算对称部分的布局结果，以得到模拟集成电路的对称约束的整体布局结果。本发明主要实现模拟集成电路的对称约束的自动布局，对于提高设计效率、缩短研发周期具有重要意义。
一种模拟集成电路对称约束自动布局方法装置

[发明专利]半导体结构及其制备方法、电子设备-CN202310321243.4在审
发明人：周亦康;吴旭升;郑凯 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、电子设备。该电子设备包括：衬底；硬质掩模板，所述硬质掩模板形成在所述衬底上；贯穿所述硬质掩模板并延伸至所述衬底的通孔，在所述通孔内填充有第一导体材料，第一导体材料经腐蚀回刻设定深度，以形成所述通孔的开口，在所述通孔的开口处形成有隔离层，所述隔离层覆盖在所述第一导体材料的边缘，所述第一导体材料暴露于所述隔离层的中部；以及第二导体材料，所述第二导体材料填充在所述隔离层的中部，在所述第一导体材料和所述第二导体材料之间设置有阻挡粘附层。
半导体结构及其制备方法电子设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111400610.7在审
发明人：武咏琴 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：在形成凹槽后，去除所述牺牲层，在叠层结构和凸起部之间、以及凹槽的下方形成通道，所述通道由所述绝缘层和所述凸起部围成；在所述通道内形成隔离层；在所述凹槽内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层位于所述隔离层上；去除所述伪栅结构，形成栅极开口，暴露出所述叠层结构和所述绝缘层；通过所述栅极开口，去除所述占位层，形成通槽，所述通槽由相邻所述沟道层围成，或由所述沟道层与所述隔离层围成；在所述栅极开口和所述通槽内填充栅极结构，所述栅极结构包围所述沟道层，且所述栅极结构还位于所述隔离层的顶部且横跨所述隔离层。采用上述方案，能够降低器件的漏电流，提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202180054960.4在审
发明人：汪涵;卜伟海 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：沟道结构层，包括多个自下而上依次间隔设置的第一沟道层，第一沟道层沿横向延伸，平行于基底且与横向相垂直的方向为纵向；栅极结构，横跨沟道结构层且包围第一沟道层；源漏结构，位于栅极结构两侧，包括位于第一沟道层侧壁的第一源漏掺杂层；源漏插塞，与源漏结构的顶部相接触，且还与第一源漏掺杂层沿纵向且与栅极结构相背的侧壁、沿横向第一侧侧壁和沿横向第二侧侧壁中的至少一个侧壁相接触。源漏插塞至少与第一源漏掺杂层的其中之一侧壁相接触，使得电流直接通过源漏插塞流向各个第一沟道层，减小电流在流向各个第一沟道层的路径中消耗的压降，提高各个第一沟道层内的沟道电流值，增强器件的驱动电流。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一体式热交换焚烧炉装置-CN202211436836.7在审
发明人：戴恩平;霍力鹏;殷梓卿;乔南利;罗林军;崔铁龙;喻正保;范雪岩 -专利权人：格林斯达（北京）环保科技股份有限公司;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： F23G5/44 文献下载
摘要：本发明提供一种一体式热交换焚烧炉装置，属于焚烧炉技术领域。一体式热交换焚烧炉装置包括装置外壳，内部设置有燃烧室；高温换热器，高温换热器包括高温换热壳体，高温换热壳体内密布有高温换热管，高温换热管的两端分别贯穿高温换热壳体的两个相对侧壁；低温换热器，位于高温换热器远离燃烧室的一侧，低温换热器包括低温换热壳体，低温换热壳体内密布有低温换热管，低温换热管的两端分别贯穿低温换热壳体的两个相对侧壁；出烟口、高温换热壳体、低温换热壳体之间依次连通。本发明将低温换热器、高温换热器和燃烧室集成为一体式结构，减少热量在管道中的损耗，有效提高了换热器的热回收率，并且减少设备的占地面积。
体式热交换焚烧装置

[实用新型]一种清洁装置-CN202223486984.8有效
发明人：吴国游;郑凯;卜伟海 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： F04D29/70 文献下载
摘要：本申请提供一种清洁装置，设置在分子泵的吸气口处用于对分子泵内部进行清洁，所述清洁装置包括主体，其中，主体靠近分子泵的表面开设有进气孔组和出气孔组，进气孔组和出气孔组与分子泵内部连通；主体的侧面和/或主体远离分子泵的表面开设有分别与进气孔组和出气孔组连通的进气口和出气口。本申请提供的清洁装置，结构简单、安全可靠，能够实现对分子泵的完全清洁。
一种清洁装置

[实用新型]一种分流结构及电镀装置-CN202223593661.9有效
发明人：宋勃宏 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本申请提供一种分流结构及电镀装置，该分流结构用于电镀时阳极的工作表面上的母液分流，该分流结构包括：贯穿阳极的母液通道，用于引导母液流向阳极的工作表面；设置在阳极的工作表面上的分流部，分流部与母液通道连通，用于将母液分散至阳极的工作表面上的各个区域。本申请提供的分流结构能够有效解决电镀时阴极表面金属层发生钝化的问题，降低阴极表面电压的升高的风险，避免对金属层形成的半导体器件的金属互连的性能造成影响。
一种分流结构电镀装置

[发明专利]一种VCMA-STT MTJ的存储单元及存储方法-CN202211656274.7在审
发明人：崔岩;罗军;杨美音;许静;贺晓东 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种VCMA‑STT MTJ的存储单元及存储方法，VCMA‑STT MTJ的存储单元包括：多个VCMA‑STT MTJ器件；驱动电路，被配置为器件施加电压，包括施加第一电压，调控MTJ的自由层的临界翻转电流；施加第二电压，调控MTJ自由层的磁矩方向。本发明通过电压调控实现了器件在VCMA和STT模式下切换，实现了存储器件的选通开关和存储功能，替代了现有技术中的1T‑1R存储结构，规避了与CMOS集成的工艺复杂度，在特定小规模原型存储阵列的实现中具有较大的科研使用价值。
一种 vcma stt mtj 存储单元方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111254216.7在审
发明人：武咏琴;卜伟海 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底；多个凸起部，凸出于衬底；隔离层，位于凸起部上，沿凸起部的延伸方向，隔离层包括第一区域以及位于第一区域两侧的第二区域；填充层，位于隔离层的第一区域上；沟道结构层，位于填充层的上方且与填充层间隔悬空设置，沟道结构层包括一个或多个依次间隔设置的沟道层，沟道层沿垂直于衬底表面的方向堆叠；绝缘层，位于衬底上且围绕凸起部、隔离层和填充层，绝缘层覆盖隔离层和填充层的侧壁且露出沟道结构层；栅极结构，位于绝缘层上且横跨沟道结构层且包围沟道层，栅极结构还位于填充层的顶部且横跨填充层。本发明实施例能够降低器件的漏电流，提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法、制备方法-CN202211732320.7在审
发明人：崔岩;罗军;杨美音;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法，电压调控单元在隧道结中的自由层与底电极之间施压电压，通过施加电压调控铁电层，使得铁电层可在未击穿状态和击穿状态之间切换；当铁电层处于未击穿状态时，影响自由层的磁各向异性能发生可逆的变化；当铁电层处于击穿状态时，影响自由层的永久性磁矩增大，使得自由层的磁各向异性能发生非易失性变化。
一种基于材料耦合双模电压调控 mram 存储单元及其方法制备

[发明专利]一种基于图网络优化的集束型设备故障响应方法和系统-CN202211423511.5在审
发明人：王焕钢;林嘉成;卜伟海;吴国游;张永华 -专利权人：清华大学;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F18/213 文献下载
摘要：本发明属于设备故障处理技术领域，涉及一种基于图网络优化的集束型设备故障响应方法和系统，包括以下步骤：采集集束型设备的加工状态，若某一设备发生故障，则根据加工状态，确定该设备的动态特征fd和静态特征fs；根据该设备的动态特征fd和静态特征fs，将设备与图模型中的节点对应，并标出节点；将标出节点的图模型输入经过预训练的策略模型，生成故障响应策略；基于故障响应策略，对集束型设备进行控制，以实现对其故障的响应。其能够对集束型设备调度过程中的故障进行响应，可以得到质量较高的故障响应策略，并且对集束型设备不同运作模式的适用范围更广。
一种基于网络优化集束设备故障响应方法系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110855629.4在审
发明人：汪涵;卜伟海 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底上具有若干沟道层，沟道层沿第一方向延伸；位于相邻沟道层两端之间的内侧墙，内侧墙的侧面与沟道层端面共垂直面；位于相邻沟道层之间的栅极槽；位于衬底上和栅极槽内的栅极结构，栅极结构沿第二方向包围若干沟道层，第一方向与第二方向垂直；位于栅极结构侧壁的第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于第二侧墙上；位于栅极结构两侧的源漏开口，源漏开口暴露出内侧墙；位于源漏开口内的源漏掺杂层。通过底部伪栅材料层覆盖鳍部结构的侧壁。能够减少在形成源漏开口之后的副产物的产生，使得源漏掺杂层具有良好的生长环境，提升源漏掺杂层的形貌，以此提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110855630.7在审
发明人：汪涵 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底上且沿衬底表面法线方向重叠的若干沟道层；位于衬底上的栅极结构，栅极结构包围沟道层；位于栅极结构侧壁表面的外侧墙，所述外侧墙的侧壁相对于沟道层端面凹陷；位于栅极结构两侧鳍部结构内的源漏开口；位于相邻的沟道层之间的隔离凹槽；位于隔离凹槽内的内侧墙；位于源漏开口内的源漏掺杂层；位于隔离层上的介质层，介质层覆盖若干沟道层和栅极结构。通过对初始外侧墙进行减薄处理，使得形成的外侧墙能够暴露出牺牲层的另外两个面，进而在后续刻蚀部分牺牲层时，使得刻蚀容易能够与牺牲层的三个面进行接触，降低刻蚀的工艺难度，减少刻蚀副产物的残留，以及提升隔离凹槽的形貌。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110864522.6在审
发明人：汪涵 -专利权人： 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括衬底，衬底，衬底包括相邻的第一区和第二区；分别位于第一区和第二区上的若干沟道层；位于相邻沟道层之间的侧墙；位于堆叠的若干沟道层两侧的源漏掺杂层；位于衬底上的栅极结构，栅极结构包围若干沟道层，且栅极结构横跨第一区和第二区；位于衬底上的介质层，介质层覆盖栅极结构的侧壁，且介质层的顶部表面高于栅极结构的顶部表面，以使得在介质层内具有导电开口，导电开口暴露出栅极结构的顶部表面；位于导电开口内的导电层，导电层连接位于第一区和第二区上的栅极结构。通过该半导体结构能够简化位于第一区上的栅极结构和位于第二区上的栅极结构之间的电连接结构，进而简化工艺步骤，降低工艺难度。
半导体结构及其形成方法