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[发明专利]氮化物晶体及其制造方法-CN201510083163.5在审
发明人：佐藤隆;皿山正二;岩田浩和;森勇介;北冈康夫 -专利权人：株式会社理光;国立大学法人大阪大学
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种氮化物晶体及其制造方法。该氮化物晶体围绕籽晶的外周，一实施例中的氮化物晶体包括：第一局部区域和第二局部区域，并且第二局部区域具有不同于第一局部区域的光学特性，且具有表明晶向的光学特性。
氮化物晶体及其制造方法

[发明专利]III族金属氮化物单晶的培养方法以及用于该方法的反应容器-CN201080026135.5有效
发明人：岩井真;东原周平;森勇介;北冈康夫;三好直哉 -专利权人：日本碍子株式会社;森勇介;北冈康夫;三好直哉
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：通过将III族金属氮化物单晶的原料以及助熔剂原料收容于坩埚内，再将该坩埚收容于反应容器(1)内，将反应容器(1)收容于外侧容器内，再将外侧容器收容于耐压容器内，向外侧容器内供给含氮氛围的同时，于坩埚内生成熔液来进行III族金属氮化物单晶的培养。反应容器(1)具备收容坩埚的本体(3)和放置于本体(3)上的盖(2)。本体(3)具备侧壁(3b)和底壁(3a)，该侧壁(3b)具有啮合面(3d)和开口于啮合面(3d)上的槽(3c)。盖(2)具备相对本体(3)的啮合面有接触面(2d)的上板部(2a)，以及从上板部(2a)延伸出来，包围侧壁(3b)的外侧的凸缘部(2b)。
iii 金属氮化物培养方法以及用于反应容器

[发明专利]氮化物晶体及其制造方法-CN201110276053.2无效
发明人：佐藤隆;皿山正二;岩田浩和;森勇介;北冈康夫 -专利权人：株式会社理光;国立大学法人大阪大学
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种氮化物晶体及其制造方法。该氮化物晶体围绕籽晶的外周，一实施例中的氮化物晶体包括：第一局部区域和第二局部区域，并且第二局部区域具有不同于第一局部区域的光学特性，且具有表明晶向的光学特性。
氮化物晶体及其制造方法

[发明专利]单晶培养用反应容器以及单晶的培养方法-CN200980154332.2无效
发明人：岩井真;东原周平;北冈康夫;森勇介;佐藤峻之;永井诚二 -专利权人：日本碍子株式会社;丰田合成株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：通过含钠熔液的助熔剂法培养单晶的方法，在钇·铝·石榴石构成的反应容器内收容助熔剂。较之于使用了氧化铝容器或氧化钇容器的情况下，可显著削减氧、硅等杂质的带入量，可成功得到残留载流子浓度低、电子迁移率大、电阻率高的单晶。
培养反应容器以及方法

[发明专利]制造Ⅲ族氮化物半导体的方法-CN201010139890.6有效
发明人：佐藤峻之;永井诚二;森勇介;北冈康夫;岩井真;东原周平 -专利权人：丰田合成株式会社;国立大学法人大阪大学;日本碍子株式会社
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
制造氮化物半导体方法

[发明专利]氮化物单晶的制造方法-CN200880005131.1有效
发明人：市村干也;今井克宏;岩井真;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;北冈康夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：在培养容器(1)内，在含有助熔剂以及单晶原料的熔液(2)中，在晶种基板(5)上制造氮化物单晶时，在培养容器(1)内的熔液(2)的水平方向上设置温度梯度。由此，通过助熔剂法培养氮化物单晶时，抑制杂晶附着到单晶上，并且使单晶的膜厚均匀化。
氮化物制造方法

[发明专利]N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法-CN200910143035.X有效
发明人：永井诚二;山崎史郎;药师康英;佐藤峻之;岩井真;今井克宏;森勇介;北冈康夫 -专利权人：丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及N型III族氮化物基化合物半导体及其制造方法。本发明的一个目的是通过熔剂工艺来实现具有高电子浓度的高品质n型半导体晶体的制造。本发明的通过熔剂工艺制造n型III族氮化物基化合物半导体的方法包括：利用熔剂来熔化至少III族元素以制备熔体；对该熔体供给含氮气体；以及由该熔体在籽晶上生长n型III族氮化物基化合物半导体晶体。在该方法中，将碳和锗溶于该熔体中，并且将锗作为施主引入该半导体晶体，由此制造n型半导体晶体。该熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％。
氮化物化合物半导体及其制造方法

[发明专利]GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置-CN200780042434.6有效
发明人：森勇介;佐佐木孝友;川村史朗;吉村政志;川原实;北冈康夫;森下昌纪 -专利权人：国立大学法人大阪大学;财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。
gan 晶体制造方法半导体装置

[发明专利]Ⅲ族元素氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族元素氮化物晶体-CN200880001092.8有效
发明人：山田修;峯本尚;平中弘一;畑山健;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;北冈康夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
元素氮化物晶体制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法以及电子器件及其制造方法-CN200780020883.0有效
发明人：美浓规央;竹内孝之;北冈康夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明的制造方法是具备含有有机半导体材料的结晶的半导体层的半导体元件的制造方法。该制造方法包括(i)在基板(基材)(11)上形成框架(frame)体(12)的工序和(ii)在框架体(12)的内侧形成半导体层(结晶(13))的工序。工序(ii)包括将含有有机半导体材料和液体介质的溶液(21)(液体)配置于框架体(12)的内侧并由溶液(21)形成结晶(13)的结晶形成工序。
半导体元件及其制造方法以及电子器件

[发明专利]二维图像显示装置、照明光源及曝光照明装置-CN200680022220.8有效
发明人：笠澄研一;北冈康夫;水内公典;山本和久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：本发明提供一种二维图像显示装置、照明光源及曝光装置，其中，二维射束扫描部(2)反射来自红色激光光源(1a)、绿色激光光源(1b)以及蓝色激光光源(1c)的各射出射束，在二维方向上进行扫描；各扩散板(3a、3b、3c)使在二维方向被扫描的各光束扩散并将其导向各空间光调制元件(5a、5b、5c)；各空间光调制元件(5a、5b、5c)根据各色的视频信号来调制各光；分色棱镜(6)将调制后的3种色的光合波后导向投射透镜(7)；将彩色图像显示在投影屏(8)上。由于从射束扫描部射出的二维的光被扩散并照射到空间光调制元件上，因此可以使从扩散部件射出并照射空间光调制元件的射束的光轴不断变化，从而可以有效地抑制斑点噪声。
二维图像显示装置照明光源曝光装置

[发明专利]影像显示装置及影像显示系统-CN200580024293.6有效
发明人： 北冈康夫;山本和久;北浦坦;笠澄研一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H04B10/10 文献下载
摘要：本发明提供一种影像显示装置及影像显示系统，对以指定的帧频显示的影像不会产生影响而可以执行可见光通信。控制器(12)，按照影像信号来控制空间调制器(14)，让其显示影像，并通过以大于影像信号的帧频的频率对来自背光(13)的可见光进行强度调制，在来自背光(13)的可见光中加载附加信息。受光器(15)接收该可见光并进行解调，从中抽出附加信息。附加信息发生器(16)输出该附加信息。
影像显示装置显示系统

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法和使用其的电子设备-CN200580014058.0无效
发明人：竹内孝之;川岛孝启;斋藤彻;奥泽智宏;北冈康夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管，其包括半导体层(14)、与半导体层(14)电连接的源电极(15)以及漏电极(16)、和用于对源电极(15)和漏电极(16)之间的半导体层(14)施加电场的栅电极(12)，半导体层(14)包括由无机半导体构成的多根细线和有机半导体材料。
场效应晶体管及其制造方法使用电子设备

[发明专利]制造第III族元素氮化物晶体的方法、其中所用的制造装置以及由此制造的半导体元件-CN200580010595.8无效
发明人：森勇介;峯本尚;北冈康夫;木户口勲;川村史朗;佐佐木孝友;高桥康仁 -专利权人：松下电器产业株式会社;森勇介
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。
制造 iii 元素氮化物晶体方法其中所用装置以及由此半导体元件

[发明专利]Ⅲ族元素氮化物结晶制造装置以及Ⅲ族元素氮化物结晶制造方法-CN200580008118.8有效
发明人：森勇介;峯本尚;北冈康夫;木户口勋;川村史朗;佐佐木孝友;梅田英和;高桥康仁 -专利权人：松下电器产业株式会社;森勇介
申请日： 2005-04-27 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
元素氮化物结晶制造装置以及方法

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