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[发明专利]晶圆背面异常检测方法、系统及电子设备-CN202210316805.1在审
发明人：赵若云;施海铭;包中诚;曹玖明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆背面异常检测方法、系统及电子设备，涉及半导体技术领域。在本发明提供的晶圆背面异常检测系统中，其首次提出将具有对晶圆背面异常具有检测功能的检测设备与单片湿法清洗机台进行融合，从而得到可以在晶圆背面进行湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照的单片湿法清洗机台。并且，根据湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照，得到的第一图像和第二图像的定性分析，确定出该晶圆背面是否存在异常问题以及是在哪次半导体工艺设备中造成的异常问题(划痕或水渍)。
背面异常检测方法系统电子设备

[发明专利]监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台-CN202111422197.4在审
发明人：赵若云;施海铭;包中诚;曹玖明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种监测晶圆固定单元位置的方法及晶圆清洗机台，监测晶圆固定单元位置的方法包括：提供一晶圆，承载板上设置有若干晶圆固定单元，晶圆在承载板上具有预设圆心位置及预设偏移容量；获取晶圆静止时的几何圆心位置，比较与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量；若否并旋转承载板，获取晶圆旋转时的几何圆心的位置，比较与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，若否，则晶圆固定单元的位置正常。本发明中，通过先后比较晶圆静止时的几何圆心位置以及晶圆旋转时的几何圆心位置与预设圆心位置的距离是否大于预设偏移容量，可快速准确实现晶圆固定单元的位置是否异常的判断，并防止晶圆从承载板上甩出。
监测固定单元位置方法清洗机台

[发明专利]射频线圈装置及多晶硅蚀刻机台-CN202010754222.8在审
发明人：陈超;施海铭;包中诚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本发明提供一种射频线圈装置及多晶硅蚀刻机台，所述射频线圈装置包括线圈组件及支架组件，所述支架组件包括多个呈环状分布的支架，所述支架包括多个沿所述支架组件的轴向设置的台阶面，每个所述支架的多个所述台阶面沿所述支架组件的径向依次排列，所述线圈组件围绕所述支架组件的中心轴线盘绕设置于所述台阶面上；其中，每个所述台阶面上至多盘设一匝所述线圈组件，且每个所述支架至少具有一个空置的台阶面。通过设置每个台阶面上至多盘设一匝线圈组件，且每个支架至少具有一个空置的台阶面，使线圈组件可利用空置的台阶面调节线圈的径向间距，改变线圈组件的绕行密度，进而优化多晶硅蚀刻机台的蚀刻率的均匀性。
射频线圈装置多晶蚀刻机台

[发明专利]化学干法蚀刻方法和半导体器件的形成方法-CN201310261309.1有效
发明人：张程;包中诚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种化学干法蚀刻方法和半导体器件的形成方法。所述化学干法蚀刻方法包括提供化学干法蚀刻机，所述化学干法蚀刻机包括石英玻璃管；对所述石英玻璃管进行脱羟处理；采用所述化学干法蚀刻机进行干法蚀刻。本发明可以避免CDE设备中的石英玻璃管发生破裂，且可以提高蚀刻速率和晶圆的良率。
化学蚀刻方法半导体器件形成

[发明专利]反应腔与石英管的隔离装置及其控制方法-CN201410087105.5有效
发明人：巴文林;包中诚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔与石英管的隔离装置及其操作方法，在石英管末端管道中接入第一隔离阀，设置连通该末端管道与排气管道的连接通道，及在该连接通道中接入第二隔离阀；正常工作时第一隔离阀常开而第二隔离阀常闭；如若更换石英管的维护工作时，通过第一隔离阀将反应腔的气体入口封闭，不再需要对反应腔进行通气操作；只有在维护工作完成后才将第二隔离阀打开将石英管通过连接通道、排气管道与外部的排气泵连通，对换上的石英管进行抽真空操作。而在查漏时，将第一隔离阀关闭，可以更快速地分辨泄漏源位置。因此，本发明可以有效简化维护工作，节省维护和查漏时间。
反应石英管隔离装置及其控制方法

[发明专利]硅片转移装置、转移托环、半导体工艺反应设备-CN201210024579.6有效
发明人：蔡辉;包中诚;吴明龙 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种硅片转移装置、转移托环、半导体工艺反应设备，其中硅片转移装置包括圆形基座，所述圆形基座包括第一基盘和第二基盘，所述第一基盘比第二基盘小，且以圆心重合的方式重叠于第二基盘上，所述第一基盘的边缘处设置有向外开口的卡槽；转移托环，所述转移托环包括环状结构，及自环状结构向内延伸、并与所述卡槽相对应的至少两个支撑柱；转移臂，所述转移臂与所述转移托环连接；其中，所述转移托环的材质为耐高温石英、超强C‑C复合材料中的一种，或者为陶瓷，陶瓷表面覆盖有钛、镍合金中的任一种材料。所述半导体工艺反应设备具有所述转移托环。本发明提供的转移托环耐腐蚀、耐高温，能够在Al刻蚀后进行的去胶工艺过程中长期使用不变形。
硅片转移装置半导体工艺反应设备

[发明专利]减小闸阀开闭时振动的反应腔及机台-CN201410099788.6在审
发明人：张军;包中诚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种减小闸阀开闭时振动的反应腔，该反应腔与其它腔室的连接口处设有闸阀，所述闸阀的开闭为气动控制，其设有用于控制该闸阀打开的第一气路和用于控制闸阀关闭的第二气路；闸阀的第一气路和第二气路上分别设有控制气体流量的针阀，延长闸阀开闭时间。本发明中控制闸阀开闭的气路加设针阀，调节控制闸阀开闭气路的气体流量，控制闸阀的开闭速度，用来延长闸阀的开闭时间，可从小于1秒延长至3秒，从而减少闸阀开闭做造成的振动，保证机台上其他腔室的正常工作。
减小闸阀开闭振动反应机台

[发明专利]一种温度控制系统及其控制方法-CN201410716335.3有效
发明人：巴文林;包中诚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： G05D23/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度控制系统及其控制方法，该温度控制系统包含：热卡盘、第一温度传感器、温度比较装置及温度控制器。热卡盘设置在外部机台上。第一温度传感器用于获取热卡盘的实时温度。温度比较装置获取热卡盘的实时温度，并与第一温度传感器连接。温度控制器设置在外部机台上；温度控制器分别与第一温度传感器输出端、温度比较装置输出端连接。能够实时监控第一温度传感器的工作状态，并将其是否工作正常的情况信号发送至温度控制器中，第一温度传感器能够实时获取机台的热卡盘工作温度，并将该温度信号发送至温度控制器中，使得温度控制器能够获得准确、可靠的温度信号，能够提高机台的温度控制可靠性，提高了生产效率，降低了生产成本。
一种温度控制系统及其控制方法

[发明专利]光阻加固设备及微粒污染排除方法-CN201410097452.6在审
发明人：巴文林;包中诚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种光阻加固设备及微粒污染排除方法，通过反应腔室中设置有测量装置，所述测量装置能够测量排气线路的状态并且发出测量信息，由此若测量装置发出的测量信息显示排气线路的状态适合排气时，则从排气管排出气体；若测量装置发出的测量信息显示排气线路的状态不适合排气时，则先调整排气线路的状态至适合排气，再从排气管排出气体。从而避免了在排气线路的状态不适合排气时而执行排气操作，导致不能很好的将携带有微粒污染的气体排除出反应腔室，反应腔室中仍有大量颗粒污染的问题。进而提高了光阻加固设备及光阻加固工艺的可靠性。
加固设备微粒污染排除方法

[发明专利]用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置-CN201210231292.0无效
发明人：奚姚军;包中诚 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： F16J15/06 文献下载
摘要：一种用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，该密封装置包含设置在盖体和等离子管之间空隙内的O型密封圈，还包含增设的O型密封圈，该增设的O型密封圈设置在盖体上增设的凹槽内。本发明避免了O型密封圈较快地被等离子体氧化刻蚀，从而延长了O型密封圈的使用寿命。
用于 asp 中等离子器件密封装置

[发明专利]一种装有垫片的射频线圈连接器-CN201210170664.3无效
发明人：陈路桥;包中诚;陈超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01R24/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种装有垫片的射频线圈连接器，包含：连接器，该连接器连接射频电缆与射频线圈，该连接器与射频线圈支撑座之间具有空隙；垫片，该垫片卡设在连接器与射频线圈支撑座之间。本发明能够防止射频线圈连接器产生电弧，从而避免拱顶温度错误。
一种装有垫片射频线圈连接器

[发明专利]一种密封的N2清洗装置-CN201210163264.X在审
发明人：华良;包中诚;陈超;华俊杰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种密封的N2清洗装置，包含N2清洗管和N2清洗适配器，还包含设置在N2清洗管和N2清洗适配器接触面上的密封圈。本发明改善了密封条件，避免了晶片背面受到化学污染。
一种密封 n2 清洗装置

[发明专利]一种承载台-CN201210366854.2在审
发明人：华良;包中诚;陈超;华俊杰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种承载台，通过使用紧固件，使得固定件处于比较牢固的状态，或者将固定件和定位装置固定在一起，避免了现有技术中由于过货较多而导致固定件松动，从而导致定位装置位置发生变化，进而使得晶圆受损的问题，同时固定件的采用能够防范于未然，也不会浪费人力物力，极大的提高了生产效率。
一种承载

[发明专利]用于半导体制造的泵抽吸端口的遮挡盖-CN201210366180.6有效
发明人： 包中诚;陈超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： F04D29/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体制造的泵抽吸端口的遮挡盖。用于半导体制造的半导体制造设备包括涡轮分子泵、涡轮泵阀门、泵抽吸端口；其中，所述涡轮分子泵通过所述涡轮泵阀门与泵抽吸端口相连。所述泵抽吸端口遮挡盖用于盖在半导体制造装置腔体内的泵抽吸端口上。所述泵抽吸端口遮挡盖包括：环形侧壁、以及布置在环形侧壁外周的密封圈。根据本发明，在泵抽吸端口上安装了泵抽吸端口遮挡盖，使聚合物粘附在泵抽吸端口遮挡盖内壁，而不会粘附在泵抽吸端口上。由此，在保养中只需向上取出泵抽吸端口遮挡盖，再对泵抽吸端口遮挡盖进行清洗即可，由此节省了时间和人力，保证了涡轮分子泵的使用寿命并保证了产品良率。
用于半导体制造抽吸端口遮挡

[实用新型]射频同轴连接器和射频同轴连接装置-CN201220181385.2有效
发明人：钮晨光;吴明龙;包中诚 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01R24/40 文献下载
摘要：一种射频同轴连接器和射频同轴连接装置。所述射频同轴连接器至少包括：内圈；所述内圈包括多个内圈片，相邻的内圈片之间存在间隙，所述内圈为截顶锥体，且内圈的顶部小于内圈的底部。所述射频同轴连接装置包括所述射频同轴连接器和与所述射频同轴连接器中内圈相对应的内插针。本实用新型提供的射频同轴连接器中内圈为截顶锥体，因此在插拔内插针的过程中，内插针插入内圈时可以被内圈片紧紧束缚住，可以防止内圈片发生弯曲，从而避免电弧的发生，最终提高了射频同轴连接器的性能。
射频同轴连接器连接装置

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